記事一覧

  • GaNは扱いにくい？壊れやすいのはなぜ？

    GaN HEMTとは HEMT　(High Electron Mobility Transistor)とは高電子移動度トランジスタのことです。GaNはSiCよりも性能が優れていますが、結晶や加工が難しい材料です。Siの表面にGaNを結晶成長させた基板を用いて表面だけで素子を形成するHEMTという技……

  • 半導体の信頼性試験って？

    信頼性試験の概要 半導体デバイスにおいて、メーカーからの出荷後からお客様が使用されている期間においてデバイス特性を保証することを確認するために信頼性試験が行われます。 信頼性試験には製品開発時、量産時などで方法が分かれます。製品開発時の信頼性試験の目的は新製品の要求品質水準・機能・信頼性を満……

  • 次世代パワー半導体？SiCとGaNの特長をミクロな視点で考察してみた

    はじめましてmaison2cokeです。 昨今、半導体業界で、SiC（シリコンカーバイド）やGaN（ガリウムナイトライド）といった名前を聞く機会が増えました。これらは次世代のパワー半導体として期待されており、Si（シリコン）に取って代わるだけのポテンシャルを秘めた材料だと言われています。ではい……

  • 暗号化の基礎技術および規格

    情報セキュリティに不可欠な暗号技術およびその規格について、簡単にまとめたいと思います。   NISTとFIPS NIST(National Institute of Standard and Technology)はアメリカ合衆国の国立の計量標準の研究所で、FIPS(Federa……

  • ForgeFPGAの評価キットを使ってみた

    製品概要 ForgeFPGAは小規模・小型のFPGAで、製品の機能追加や小型化に有効なデバイスです。ルネサス社既存製品GreenPAKの製造インフラを活用した工場書込型製品となっています。開発環境に費用がかからず、FPGA検討に容易に着手することができます。GreenPAKでは回路容量が足りないケ……

  • 工数・コスト削減に有効な開発手法MBD(Model Based Development)とは？ – 後編 –

    前置き 前回の記事：工数・コスト削減に有効な開発手法MBD(Model Based Development)とは？ – 前編 – 前編ではMBD (Model Based Development)の基本とトレンド、V字開発左側のPhaseにおける2つの手法MILS/SILSの解説をしました。……

  • 工数・コスト削減に有効な開発手法MBD(Model Based Development)とは？ – 前編 –

    近年、車載向けソフトウェアのボリュームは急速に増大しています。これは、自動運転技術や先進運転支援システム（ADAS）、コネクテッドカー技術などの高度かつ多様な機能が求められるようになった為です。それに伴い、従来手法での開発では追いついておらず、生産性を高めることが難しい状況です。 また、ソフト……

  • オープンドレイン出力コンパレータのヒステリシス幅設定方法

    オープンドレイン出力の汎用コンパレータ(μPC177、μPC277など)でヒステリシスコンパレータ回路を 組む場合のヒステリシス幅の設定方法について、お客様よりご質問を良く頂きます。本記事ではその計算方法について、紹介します。 計算結果 まず初めに計算結果を示します。 以下の回路を構成した場……

  • 基板実装されたGreenPAKのレジスタへのオンボード書き込みをしてみた

    タイトル ：基板実装されたGreenPAKへのオンボード書き込みをしてみた   製品概要： ルネサスエレクトロニクス社のGreenPAKと言う製品は、アナログとデジタルが混載したカスタムミックスドシグナルICの位置づけで、 汎用ロジックIC数個で組める回路の置き換え等に適したI……

  • スイッチ素子の発熱量を予測、MOSFETのスイッチング損失算出方法

    ある客様からこんなお声を頂きました。 「電源ICを変更したらMOSFETが以前の回路より熱くなった。効率も下がった。これってICが悪いの？それともMOSFET？」 結論を言ってしまうと どっちも ですね。 確認したところ、電源ICの変更に伴い、LとCは小型化、スイッチング周波数(以下f……

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