底面PADについてですが、これはICの放熱が主目的となります。
また、底面PADはSilicon-Chipのサブストレートに相当するため、シリコン全体の電位を安定させる目的で、DRV8412/8834であればGND、OPA564であればV-と同電位に接続する必要がございます。

PAD部からの十分な放熱を得るため、及び安定動作の目安として、少なくとも底面PAD面積の半分の面積を開口部として設けて頂き、底面PADの半分が半田付けされるようにご検討頂ければと思います。

この底面PADの半分（50％）というのはあくまで目安となります。
御社の想定される実使用環境下において、ICの動作定格温度範囲となるような放熱効果が得られていれば基本的に問題ございません。
この点につきましては、実機にてご判断頂ければ思います。