[クライフ従業員]

madridista様

1. 先程の回答から1点追加でご確認をいただけますでしょうか。

• 貴社ソフト設計にて、SFRRPCRレジスタ「SYSRSTRE」ビットはクリアされておりますでしょうか。

当ビットはRESETピンの内部プルダウン/プルアップ抵抗を有効にするビットで、デフォルトは「1(有効)」となります。
ただ、MSP430FR6989のErrata「PORT28」によると、このビットをクリアするとTESTピンの内部プルダウン抵抗が無効となり、消費電流増加する恐れがございます。

お手数ですが、上記の可能性があるかご確認をいただけますでしょうか。

2. ノイズ対策として、先程の回答に加えて、次の点についてご確認ください。

• TEST端子のトレースを短くできるか
• 外部プルダウン抵抗によって、消費電流増大を防げるか

TESTピンは通常、内部プルダウン抵抗が有効となっておりますが、ノイズの影響を受け、ピンレベルHighとなる可能性があります。これを抑制するため、上記2点でノイズ対策を強化できるか貴社にてご評価をいただければ幸いです。

メーカーフォーラムでも上記のようなTEST端子に関するスレッドが御座いましたので、ご参考いただけるものと考えております。

TI E2E Community – MSP430FR6922 TEST Pin Noise Immunity
TI E2E Community – MSP430F5419A: Noise on TEST pin

回答が前後した形となり、お手数おかけしますが、
まずはじめ本投稿内容についてご確認を頂き、こちらでもノイズ影響を受ける場合は、先投稿の内容をご確認ください。

以上、よろしくお願いいたします。
Cruijff

[ten参加者]

Cruijff様
ご返信ありがとうございます。

＞fsystem (with FRAM wait state)の通り、NWAITSx = 1と設定する必要がございます。
上記はサンプルプログラムを参照し、既に記載済みです。

＞3. LPMは使用されておりますでしょうか。使用されている場合、その種類をお教えください。
LPMは使用していません。
＞4. I2Cのプルアップ抵抗は外付けで用意されておりますでしょうか。
4pin/5pin ともに1kΩのプルアップ抵抗を接続しています。
（51kΩだとツール接続状態でもI2Cが動かなかったので1kΩに変更しています。
　datasheetで探しきれなかったのですが、推奨抵抗値がありましたらご教示願います。）

＞1. ツールを外しての電源供給はDVCC何Vでしょうか。
＞2. 安定化電源による電源供給でも、こちらの現象は発生しますでしょうか。
確認中です。

[madridista参加者]

有難うございます。
被るかもしれませんが、下記内容もご確認願います。

TI製マイコンMSP430シリーズの静電気ノイズ対策について教えてください。
TESTピンからのJTAG用パターンがある状態でVccあるいはGNDに静電気を印加すると
消費電流が増加してしまうのですが、TESTのパターンが無ければ静電気ノイズ耐性はかなり強くなります。
対策としては、デバッグ用のパターンをなくしてしまう方法もありますが、
なんとかTESTのパターンを残したいと考えており、
静電気ノイズ耐性を強くする方法をご確認いただき、お教えいただきたいです。
今回問題が確認できているのはMSP430FR6989IPZ　（TI製）ですが、
弊社にお納めいただいているMSP430シリーズは他に何がありますか、
それらの静電気ノイズ対策としてはどのようにすれば良いかもお教えください。

[クライフ従業員]

madridista様

MSP430のESDは、HBMで±1000V、CDMで±250Vと定義されており、
それぞれJEDECに規定されたモデルに従うものと考えております。
これはMSP430すべてのシリーズで共通の規定となります。

JEDECに規定されたモデル以外での静電気試験はメーカでの試験例がなく、どのような挙動になるか情報がございませんでした。
「特定ピンにのみ静電気を印加する」といった場合は、絶対最大定格（Voltage applied to any pin）の規定を超えた電圧を印加しており、デバイスを破損させる可能性がございます。
絶対最大定格、ESD定格はそれぞれデータシート（5.1 Absolute Maximum Ratings）、（5.2 ESD Ratings）にて記載されております。

静電気ノイズへの対策についてですが、システムレベルでの対策も一つの検討方法ではないかと考えております。例として、GND層、パターンを厚くする、パターンの引き回しをお見直しいただく、筐体レベルでシールドにより保護するなどございます。

下記資料には、MSP430におけるESD定格の情報や静電気へのシステム単位での対策案等も記載されております。
ご参考にいただければと考えております。

MSP430™ System-Level ESD Considerations
http://www.ti.com/lit/an/slaa530/slaa530.pdf

以上、よろしくお願いいたします。
Cruijff

現在、TI製マイコンを搭載した製品にてノイズ耐性が弱いことがわかり、対策を行うため調査中です。

対象のマイコン：MSP430FR6989IPZ　（TI製）

現状で、JTAG用端子のTESTピンに静電気を印加すると消費電流が増加する不具合となります。
JTAGモードがONになるということでしょうか。
この現象はMSP430シリーズすべてで発生する現象でしょうか。
あるいは同じシリーズでも静電気ノイズ耐性が強いものがあるのでしょうか。
また、消費電流が増加した状態では電池寿命には影響しますが、その他の機能には
影響はないと考えていますがいかがでしょうか。
他の製品にもMSP430シリーズのマイコンを使用しており、確認したいです。
急で申し訳ありませんが、今週中(11/19)にご回答を頂きたいです。（早い方がいいです）

[クライフ従業員]

dengensekkeiGT様

恐れ入りますが、ご所望の資料についてはメーカーおよび弊社にて用意がございません。
ただ、msp430fr2155.hにてVECTOR名と対応アドレスの定義が記載されております。
ご認識いただいているユーザーズガイドでの記載と合わせてお読みいただけますと、C言語で割り込みベクタを記述する際のご参考になると考えております。

ご不便をおかけしますが、同ヘッダファイルの内容をご確認いただければ幸いです。

以上、よろしくお願いいたします。
Cruijff

[クライフ従業員]

ten様

MCLKを12MHzとして使用する場合、データシートP.20 5.3 Recommended Operating Conditionsより
fsystem (with FRAM wait state)の通り、NWAITSx = 1と設定する必要がございます。
お客様のソフトウェアにてそのように設定されているかご確認いただけますでしょうか。
下記サンプルプログラムは内部DCOでの設定になりますが、16MHz設定する際、NWAITSx = 1と設定されており、ご参考いただけるものと存じます。

MSP430Ware – msp430fr69xx_cs_02.c

その他については恐れ入りますが、現時点の情報では原因特定は難しく、
いくつか切り分けが必要であると考えております。
そこで、以下についてご確認をいただけますでしょうか。

1. ツールを外しての電源供給はDVCC何Vでしょうか。
2. 安定化電源による電源供給でも、こちらの現象は発生しますでしょうか。

3. LPMは使用されておりますでしょうか。使用されている場合、その種類をお教えください。
4. I2Cのプルアップ抵抗は外付けで用意されておりますでしょうか。

お手数ですが、ご確認のほどよろしくお願いいたします。
Cruijff

[FUKU従業員]

「TPS563200」の御検討ありがとうございます。

セラミックコンデンサの置換えは、出力コンデンサ及び入力コンデンサについてと推測致します。
◎出力コンデンサの場合
・耐圧は、出力電圧の2倍以上が目安です。
・出力電圧リップルを抑える為に、低ESR（寄生抵抗）で低ESL（寄生インダクタンス）の製品の御採用
　をお奨め致します。
・導電性高分子コンデンサの方が低ESR/低ESLの製品があるようです。
・導電性高分子コンデンサにも、「アルミ電界」「タンタル固体電界」「アルミ個体電界」「ハイブリッドアルミ電界」
　などの材質、サイズ、価格についてさまざまありますので、最適のものをお選びください。

◎入力コンデンサの場合
・スイッチング時に高速大電流の充電/放電が行われますので、デバイス選択には次の点に注意が必要です。
　①実効定格電流値に余裕あるものを選択
　　　回路動作で入力コンデンサへの充放電実効電流値TCin_rmsは次の式で計算されます。
　　　　　ICin_rms＝Iout × (D × (1-D))^0.5　　　ここで、D:デューティ比
　②耐圧に余裕あるものを選択
　　　入力電圧の2倍以上が目安です。
　③なるべく低ESR、低ESLのものを選択
　　　入力電圧のリップルを低減するためです。
・出力コンデンサの場合と同様に、導電性高分子コンデンサより最適なものをお選びください。

[Yojiro従業員]

RNWは、通常時High（Read）が出力されており、Writeアクセス時にCS（Chip Select）と同じタイミングでLowアクティブとなる信号になります。
OEは、Readサイクル内でアドレスを確定させてデータバスを読み込める状態になったときにアクティブになる信号になります。詳しくは、Technical Reference ManualのFigure 24-11.などのタイミングチャートをご参考にしていただければと思います。

各信号の制御タイミングにつきましても、上記と同様にデータシートやTechnical Reference Manualに記載されておりますので、ご確認ください。

EMIF機能につきましては、ガイドライン資料（Design and Usage Guidelines for the C2000™ External Memory Interface (EMIF)）が用意されております。こちらも合わせてご一読いただけますでしょうか。

なお、TMS320F28377SではCPU自体が基本的に16bitでのアクセスになります。8bitアクセスは行われませんので、16bitバスメモリにあるUB(Upper Byte）やLB（Lower Byte）信号は基本的に使用されません。

添付ファイルの様に、割り込みソースとベクタアドレス(C言語上記述)が一覧となった表はありませんでしょうか？
ユーザーズマニュアルなど探してみましたが、Word Addressとなっていました。
よろしくお願い致します。

Attachments:

1. 9e7ec143dae7853946c17f773e0ff50e.pdf

[Kevin従業員]

お問い合わせありがとうございます。
以下回答いたします。

>ちなみに、I2C設定とピン設定がありますが、ピン設定の場合は話は別になりますでしょうか？
>1.I2Cモードで設定できるモード
>　①KRモード
>　②ノーマルモード
>2.ピンモードで設定できるモード
>　①KRモード
>　②10GEモード
>はじめにお伺いしたのは1のケースでしたが、2のケースでもお願い致します。
>実測すると
>2-①と2-②ではVODで設定した振幅で出ているように観測されています。
（回答）
Pin modeでも同様だと思います。
念のためにENSMB端子(3 pin)とVOD_SEL端子(17 pin)とMODE端子(18 pin)の設定を確認させていただけないでしょうか。
Pin modeでKR modeにしたい場合は、ENSMB=1kohmでGNDにプルダウン、17 pinをHigh、18 pinをFloatにする必要がありますがそうされておりますでしょうか。

Best regards,
Kevin

バス制御端子について質問させて頂きます。

バス制御端子の内、RNW（read　not　write）とOE（output　enable）は
意識的にどの様に使い分けを行えば宜しいでしょうか？

また、WEを含めバス制御端子は同時に動作可能でしょうか？
他のデバイスにてロジックを組んで16bitバスのUB,LB信号を
生成しようと考えております。

[William従業員]

　CRB2様

　お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。

　CINは主に、下図のようにTPS22918がオンになり、負荷回路にインラッシュ電流が流れた時に、
電圧が出来るだけ下がらないようにするためのコンデンサです。（添付波形のような状態を軽減するためのものです。）
　もし、その電圧低下が負荷回路に問題がないレベルであれば、CIN：CLは10:1より小さい値（１：１等）でも
問題はありません。ただし、データシートにもありますがCINの電圧が急に下がる動作をする場合は、
ICの寄生ダイオードを通して、CLからCIN方向に電流が流れるますので、その値がアンペアオーダー流れる場合は、
CINの容量を10:1程度にしていただけますでしょうか。

　以上、何卒よろしくお願いいたします。

[William従業員]

　KWN001様

　お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。

　残念ながらSN74AHC1G08の入力はシュミットトリガ入力ではございません。そのためヒステリシス電圧の規定もございません。
TI社の言うSchmitt-Trigger Actionは、シュミットトリガ入力ということではなく、入力遷移レート(Δt/Δv)が
通常のCMOSデバイスよりに少し遅いと言うことを意味しております。たとえばSN74LVC1G08ではVCC=5V時で5ns/V（Max)と
なっておりますが、SN74AHC1G08ではVCC=5V時で20ns/Vと(Max)なっております。

　以上、何卒よろしくお願いいたします。

SN74AHC1G08について

データシート1ページ目にて以下の記載があるのですが
Schmitt-Trigger Action at All Inputs Makes the Circuit Tolerant for Slower Input Rise and Fall Time

VIH、VILで規定しておりヒステリシス電圧の記載もなさそうなのですが
シュミットトリガとして使用できるのでしょうか(ヒステリシス電圧ありましたら教えていただけないでしょうか)

以上、よろしくお願い致します。