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TRS3243EのFORCEOFF(22pin)端子の使い方に関しまして、
常時接続させておく場合、プルアップにしてしまって問題ないでしょうか?
また、推奨回路があればご紹介ください。データシートP11 Figure12の同期動作の回路でSlaveを2個とした時に、2個間でP5のVramp(v)のばらつき0.7~1.25Vをどこかの周辺回路の定数を調整またはMasterのclock波形などで等しくできますか?同様にVramp(p)はどうですか?
すみませんがこの質問は保留してください。
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osanoが6 年、 6 ヶ月前に変更しました。
トピック: マイクロSDカードへのデータ保存
USBミニコネクタ、MSP430F5438Aのマイコン、 TUSB3410VF(USB interface)、マイクロSDカードスロットが搭載されている基板について、機能を拡張したいと思っています。現在の機能はマイクロSDスロットにさしこんだSDカードの情報をマイコンの4ピンをSD_CS,SD_MOSI,SD_CLK,SD_MISOにわりあて、それをスロットのDATA3,CMD,CLK,DATA0に割り当て、読み取り処理をしています。現状、USミニコネクタのDM、DPがTUSB3410VFに接続されており、UART_TX,UART_RXがマイコンに接続されています。
行いたいことは上記構成を用いていてマイクロSDカードにPCからUSBコネクタを通してデータを保存することです。
状況説明が不十分で申し訳ありませんが、次を教えてください。
①TUSB3410VFの出力ピンを直接マイクロSDカードスロットのDATA2,DATA3,CMD,CLK,DAI0,DAT1につなげて、PCのデータをマイクロSDカードに保存することができませんか。
②現在、PCと基板のUSBコネクタを接続しても、プラグインのように記憶媒体の中身が見られません。(設定していないので当然かもしれませんが)。 PCから、TUSB3410VFーUARTーMSP430F5438AのマイコンーSD_MOSI-マイクロスロットカードを通して、PCからマイクロSDカードにデータを保存するにはどうすればよいかご教示いただければ幸いです。トピック: リセット端子の処理
リセット端子の処理についてユーザーズ・ガイド35頁に
「47 kΩ プルアップ抵抗、または 10 nF(2.2 nF(1))プルダウン・コンデンサを備えた内部プルアップ抵抗(1)
・・・
FET インターフェイスまたは GANG プログラマなどの TI ツールを用いて、Spy-Bi-Wire モードまたは 4 線式 JTAG
モードで Spy-Bi-Wire インターフェイスを備えたデバイスを使用するときは、プルダウン・コンデンサの容量は
2.2 nF を超えてはいけません。」
とありますが,FET インターフェイスを使用する場合,プルダウンコンデンサを2.2nFよりも大きいものにしてはいけない理由はリセット信号の遅延によるものでしょうか?それ以外に何か理由があるのでしょうか?また,添付ファイルのようにリセット端子の前にロジックICとCRのローパスフィルタを使用した回路を考えていますが,そのローパスフィルタのプルダウンコンデンサの容量はどれくらいまで可能でしょうか?
トピック: DS100BR210の使い方について(2)
“0” = 10G-KRを設定すると、よりリニアなドライブ特性が得られます。
低周波電圧利得は〜1.3倍以下に低減されます。これにより出力振幅は入力振幅に依存します。上記の回答をいただきましたが、確認させてください。
出力振幅は入力振幅に依存するというのは、
私は100mVで入ったものが100mVででるという意味だと思っていましたが、
それは間違いで、
周波数成分が依存して、出力電圧はあくまでもVODで指定した電圧になる
が正解でしょうか?トピック: 電流センスアンプのオフセットによる影響について
ご担当者 様
度々申し訳ございません。
今回は電流センスアンプのオフセットについてご教示をお願い申し上げます。データシートのVofs部を参照しますと
ISGAIN=00 , input shorted max4mVとあります。ゲイン設定=00(ゲイン5倍)時のセンスアンプの
出力で±4mVと考えて良いのでしょうか?
それともセンスアンプの入力で±4mVとして捉え
ゲイン5倍時は±20mVと考えれば良いのでしょうか?お手数ですがご教示の程よろしくお願い申し上げます。
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