[umamiti従業員]

ikeda777様

今回のエラーの内容は、CCSが指定された実行ファイルを使用してターゲットメモリの内容を検証し、ターゲットメモリにロードしようとしたときに、不一致が発生していることが考えられます。
（今回、不一致が発生しているアドレス0x081B0は、Main: code memory領域となります。）
一般的な原因として、CCSが実行ファイルをターゲットに正常にロードできなかったことが考えられます。詳細につきましては、Data Verification Errorsをご参照下さい。

まずは次の項目についてご教示頂けますでしょうか？
・リンカーコマンドファイルは、デフォルトから変更されていますでしょうか
→リンカーコマンドファイルは、プロジェクト内の.cmdファイルから確認することが出来ます。

・デバッガーのメモリマップは、デフォルトから変更されていますでしょうか
→デフォルトでは無効になっております。デバック画面のメニューバー->Tools->On-chip Flashで開かれたWindow内のMemory Mapを選択することで確認方法出来ます。

・デバイスに接続し、実際の0x081B0アドレスのデータをご確認頂けますでしょうか？
→エディット画面のメニューバー->View->Target Configurationsで開かれたWindow内の、.ccxmlファイルを右クリックし、Launch Selected Configurationを選択します。デバック画面に切り替わった後、メニューバー->Connect Targetでデバイスに接続後、メニューバー->View->Memory Browserで特定のアドレスのデータが確認出来ます。

・書き込みを行なうファームの中で、FRAM領域の書き込み保護機能を使用されていますでしょうか。

・新たにCCS Projectを作成(main関数のみのシンプルなものなど)し、書き込みが可能かお試し頂けますでしょうか？

・「BSL Password is error!」と表示された際のBSLの送信コマンドは、「RX Password」コマンドになりますでしょうか？
→「RX Password」コマンド送信時に、パスワードが不一致の場合は、FRAM領域がMass Eraseされます。結果として、FRAM領域が初期状態となり、新たにファームを書き込むことが可能になっている可能性があり、BSLツール接続時の実施内容について確認させていただければと思います。

以上、よろしくお願い致します。

[Polnaref従業員]

aikawa様

>> Workaroundとは、500ms +　α にするという認識で合っていますでしょうか？
はい、その御認識で結構です。
αの値については現物合わせとなってしまいますこと、御了承頂きたく存じます。

Polnaref

[KJ従業員]

sonodera様

TI社の設計支援ツールはこちらからダウンロードください。
TPS3700 and TPS3701 Supervisor Resistor Calculator Tool

添付頂いた条件から算出しましたところ近しい値の結果でしたので、
ご認識頂いた範囲で問題ないと思われます。
ツールご使用いただきご確認ください。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[Kato従業員]

ET 様

追加のご質問がないようですので、本件に関しましてクローズとさせて頂きますが、
ご不明点等がございましたら、遠慮なくお問い合わせ下さい。

Kato

CCSでビルドしたファームを書き換えようとすると
MSP430: File Loader: Verification failed: Values at address 0x081B0 do not match Please verify target memory and memory map.
とエラーが発生し、デバッグができない状態となってしまいます

手順としては
・CCSでソースコードをビルド
・デバッグボタン（虫マーク）押下してデバッグ開始
です

ボードはMSP-EXP430FR2355 LaunchPad の評価基板を使用し、ボード上に実装されているeZ-FET Debug Probeの
USBコネクタとPCを接続しています
CCSのバージョンは最新の10.1.0 です

エラーが発生した状態でBSLツールを接続すると、BSL Password is error! 状態となっています
再度BSLツールを接続し、BSL Password is correct!と書き換えたあとは、CCSで再度ファームの書き込みが可能となりますが、
コードを変更し、再度書き込みを行おうとすると、ベリファイエラーが発生します

このため、CCSを使って効率よく評価実験ができない状態となっております
解決方法をご教示願います

[aikawa参加者]

wait時間は、500msとしておりました。

Application Report SNAA312 に記載している、3.3のフローで制御しております。
レジスタ設定値
　Adr:0x0E 0x60 2Hz
　　↓
　500ms後にアクセス

Workaroundとは、500ms +　α にするという認識で合っていますでしょうか？

[uchidaK従業員]

ttkkttkk様

お世話になっております。

Build Configurationsは、使用するソースコード(Exclude from Buildの設定)や、

使用するコンパイラのバージョン等を含むプロジェクトプロパティまで

すべてBuild Configurationsで分けられる仕様になっております。

Build Configurationsを変えることによって、何かしらの差分が生じていると思われますので、

双方の設定をご確認いただければと思います。

また、下記ドキュメントの通り、Release Buildではサンプルプロジェクトなどで最適化設定が

行われていることが多く、必要な変数や処理がこちらの設定で失われている可能性がありますので、

合わせてご確認いただけますと幸いです。

https://software-dl.ti.com/ccs/esd/documents/users_guide/ccs_project-management.html#build-configurations

※プロジェクトを右クリック→Properties→Build→ARM Compiler→Optimizationからご確認いただけます。

以上、参考になれば幸いです。

uchidaK

TI社製 温湿度センサ HDC2080について、教えて下さい。

現在、2つの案件にて上記の温湿度センサを使用しております。
そこで、下記の事象が発生しております。

事象：数10時間ランニングしていると、間温度 0℃が見えるときがある。(実際の温度と異なる)
頻度：間欠。複数枚のボードで発生する。また、未発生のボードもある。

以下について、教えて下さい。
１．他のユーザーから類似の事象をお聞きしたことがありますでしょうか？
２．本事象が発生する原因について、想定されることがありましたら、
　　ご教授下さい。

以上、お手数ですが、ご回答の程よろしくお願いいたします。

[Ge従業員]

ご質問の件、以下に回答致します。

> 各MCUのピンに依存すると言われればそれまでなのですが、
> プルダウン/プルアップ抵抗の強弱の境界値はどのあたりに存在するのでしょうか。

申し訳ございませんが、明確な強弱の境界は定義されておりません。

 

> 当該ピンのようにデータシートに推奨値の記述があれば良いのですが、
> 中には記述のないピンもございます。
> そういった他のGPIOをプルダウン/プルアップする際の抵抗値を決めたく、
> ごきょじ頂けないでしょうか。

GPIOの場合には、内部のプルアップ/ダウンを無効にすることが可能となりますので、
外部でプルアップダウンする場合には、無効にしてご利用いただけますでしょうか。
GPIO以外のピンで、内部プルアップ/ダウンが固定となっており、外部抵抗の推奨値の記述のないピンが御座いましたらご連絡いただけますでしょうか。メーカーに確認させていただきます。

以上、宜しくお願い致します。
ご連絡いただけますでしょうか。

[Kato従業員]

yong 様

ISO7141のData Sheet p.10のTEST CONDITIONSに以下の記載がございます。

「AC signal: All channels switching with square-wave clock input; CL = 15 pF」

ご認識の通り、p.10の試験条件における4CH分のTyp、及びMaxの消費電流になります。
また、ご参考までにp.12のFigure 3.も合わせてご参照頂けますと幸いです。

Kato

度々お世話になっております

CodeComposerStudio8.1に
Propertyの[Manage Configurations]においてRelease, Debugの設定があります
[Debug]をSet Activeにしてビルド、ダウンロードするとPWM出力がされるが
[Release]をSet Activeにしてビルド、ダウンロードするとPWM出力がされない
という現象が出ております。

[Debug]と[Release]で自動的に変更されるプロパティの項目を教えて頂きたくお願いいたします。

[Ge従業員]

ご返信ありがとうございます。

> 「非常に弱いプルダウン」とのことですが、具体的に何を指すのでしょうか。

紛らわしい表現で申し訳ございません。
内部のプルダウン抵抗値が大きいということになります。
そのため、外部ノイズには弱いということになります。

お世話になります。
現在、御社のマイコンの評価を進めているのですが、起動時にVDD=1.2Vの電圧がドロップし、
リセットICの監視電圧の閾値にかかってしまう事象が生じております。

Table 4-1. Signal Descriptionsにある通り、
VDDのパスコンはトータルで20 uF以上(公差・DCバイアス・温度特性込)の値にしておりましたが、
それではNGで、ここから更に容量を増やすことで上記事象は解決できました。

実験的には上記で問題ないのですが、
やはり設計上・机上計算上、要求される最低必要容量を計算したく思います。
つきましては、起動時のVDDの消費電流最大値をご教示頂けないでしょうか。
Table 5-1. Device Current Consumption at 200-MHz SYSCLKには
IDDの最大値は400mAとあります。
・これが質問の答えとなるのでしょうか。
・つまり起動時の過渡的な電流も含むと考えて良いでしょうか。

以上よろしくお願いいたします。

[Ge従業員]

ET様

お問い合わせありがとうございます。お問い合わせの件、以下に回答致します。

> TRSTピンには内部プルダウン抵抗が存在するとあります。
> これについて3点質問させていただきます。
> 1.こちらの抵抗値をご教示頂けないでしょうか。
> 可能であれば最小・最大値もいただけますと助かります。

申し訳ございませんが、内部抵抗値については公開されておりません。

> 2.内部プルダウン抵抗があるにも関わらず
> 外部プルダウン抵抗が必要な理由についてご教示頂けないでしょうか。

内部プルダウン抵抗は非常に弱いプルダウンとなっておりますので、
外部プルダウン抵抗を接続する必要がございます。

> 3.質問2の答えと重複するかもしれませんが、
> 外部プルダウン抵抗が無い場合、どのような不具合が想定されるでしょうか。

データシートのTRSTピンの説明を見ますと、以下の記述がございます。
TRST, when driven high, gives the scan system control of the operations of the device.

上記は簡単に説明するとデバッグモードになるというものです。
TRSTピンの内部プルダウン抵抗は弱いため、外部プルダウン抵抗がない場合には、
ノイズなどの影響により、このデバッグモードに入ってしまい、誤動作の原因となってしまいます。

以上、宜しくお願い致します。

お世話になります。
データシートのTable 4-1. Signal Descriptionsによると、
TRSTピンには内部プルダウン抵抗が存在するとあります。
これについて3点質問させていただきます。
1.こちらの抵抗値をご教示頂けないでしょうか。
可能であれば最小・最大値もいただけますと助かります。
2.内部プルダウン抵抗があるにも関わらず
外部プルダウン抵抗が必要な理由についてご教示頂けないでしょうか。
3.質問2の答えと重複するかもしれませんが、
外部プルダウン抵抗が無い場合、どのような不具合が想定されるでしょうか。

以上よろしくお願いいたします。