この度は宜しくお願い致します。
皆様のお知恵を拝借したく、お力添えください。

現在、MSP430F5528にて制御プログラム開発しているものが御座います。
搭載機能としては、以下になります。
尚、基板回路はカスタム開発したものです。

・LED点灯制御(PWM)
・加速度センサーICとの通信(I2C)
・ADコンバーターとの通信(SPI)
・電源電圧をCPUでA/D入力
・タクトSW入力
・DCモーター制御

開発環境は以下になります。
ICE・・・MSP-FET (Spy-Bi-Wire (2-wire JTAG) )
IDE・・・CCS ver7.4.0.00015

DCモーター制御以外の機能を搭載し、動作確認を行う上では問題はありません。
しかし、DCモーター制御を含むと、不規則に暴走してしまいます。

DCモーターは、DRV8837のドライバーを用いた簡単な制御になり、
PORT1から2本用いて、HIGH or LOWの組み合わせ制御をしています。
モーター電流は、最大400mA以下になります。

暴走原因を探っている過程にあり、考えられる要因は御座いますでしょうか？
現状で分かっている事を箇条書き致します、、、

　・DCモーター制御処理をMASKし、それ以外の機能を制御させると発生しない

　・デバッグ用として、DCモーター制御だけを一定周期でMAIN関数でさせると、
　　暴走状態が発生する

　・電源は安定化電源を用いており、モーター電源は安定化電源から取得し、
　　CPU電源は安定化電源 -> 基板回路上のLDOにて3.0V生成して供給。
　　CPUのDVCC1,2ともに+3.0Vで、オシロで確認する限りモーター駆動時に電圧降下はない

　・MSP-FETを起動直後の初期化でブレークしていると、
　　暴走時は、RESETが掛かっている様で、初期化ブレークにくる(恐らくSystem Reset)

　・WDTはmain関数の冒頭で1箇所のクリア処理とし、WDTをインターバルモードにて割り込み設定すると、
　　暴走発生時に、WDTのベクタへ飛んでくることがある(必ずではない)
　　
　・暴走後の初期化ブレーク状態にて、SFRの中をモニターすると、
　　全て0xFFで埋められている事がある

　・stack、heap領域を増加させ、メモリFillしながら確認したが、通常時はオーバーフローしている様子はなかった。
　　但し、暴走時はstack領域が全て0xffになることがある。
　　全てのメモリが0xffにならないこともあり、頻度や傾向はわかりません、、、

　・ICEを繋がず、スタンドアローン動作を試みても現象は変わらず発生する

　・暴走現象は、電源印可 -> モーター起動直後に発生することもあれば、
　　数分間駆動し続けて発生することもあり、時間的な傾向はみられない

長文となってしまいましたが、見落としや考えられる要因があれば、どの様な事でも結構なのでご指示ください。

以上、宜しくお願い致します。

C2000　28075のアプリケーションをデバッグしておりますが、
何をきっかけにして分かりませんが、
デバックランニング中にハードウェアーブレークを設定しても止まらなく
なってしまいました。
JTAG　エミュレータ（XDS100V2）を交換してみましたが症状は変わりません。
設定後にreset → run　をし直せば、ブレークはかかります。
リアルタイムに、ブレークポイントを機能させるさせる上で必要な
設定はありますか、
念のためコンフィグレーションを添付します。
拡張子　jpg　は、zip　に変更してください。

Attachments:

1. 

   configuration.jpg
   

[nakagawa参加者]

EVMとの差分です。

ユニットナンバーはEVMのデータシートP13のものです。

C6,R2,R3=バリスタ//1uF//0.01uF
R10=610kΩ
R17=130kΩ
C18=1000pF
R12=3.9kΩ
R13=3.9kΩ
C25=0.047uF
R22=100kΩ
C1=0.1uF
C2+C3=22uF
R14=150kΩ
C29=なし
C32=なし
R15=10kΩ
L1=4.7uH
C21=22uF
C7,8,9,10=なし
C4=33uF x 2
BATの出力先=VBAT直結,BATPRES EXT OpAMPなし
R26=0Ω
R27=0Ω
R40=なし
CMPINの接続先=GND直結
R34=24kΩ//100pF
R33=なし
R35=3kΩ
R36=3kΩ
R43,D3=なし
R45,D5=なし
R44,D4=接続が逆でR44=1.5kΩ

コネクタ,テストパッドは省略しております。

お手数をお掛けしますがよろしくお願い致します。

[nakagawa参加者]

ご回答ありがとうございます。

>>お手数をお掛けしますが、
>>現在IBAT端子から電圧が確認されない状況での実際の充電電流測定(電池へ流れている電流値)結果及び
>>センス抵抗両端の電圧降下状況をご教授頂けないでしょうか。

測定致しましたのでご連絡致します。
充電電流,Vsrp-Vsrn,Ibat
0.0A,0.02mV,3.2mV
0.2A,2.05mV,3.3mV
0.4A,4.06mV,4.2mV
0.6A,8.03mV,3.5mV

参考に放電電流も測定致しました。
0x38H bit[6] = 0b
放電電流,Vsrn-Vsrp,Ibat
0.0A,0.01mV,02.3mV
0.2A,2.06mV,32.5mV
0.4A,4.07mV,64.3mV
0.6A,6.06mV,96.2mV

EVMとの差分は現在調査中ですので少々お待ちください。

[Undertale従業員]

nakagawa様

お世話になっております。
本件TI社側へ確認を取らせて頂きましたが、
貴社ご理解及びデータシート表記”V(IBAT) = 20 × (V(SRP) – V(SRN)) for charge current”の通り、
充電電流の監視は可能でございます。
TI社側で別途EVMを用いて貴社レジスタ設定にてテスト致しましたが、約207mVがIBAT端子より確認でき、
電流値のモニタリングはできている状況でございます。

お手数をお掛けしますが、
現在IBAT端子から電圧が確認されない状況での実際の充電電流測定(電池へ流れている電流値)結果及び
センス抵抗両端の電圧降下状況をご教授頂けないでしょうか。

またEVMとの差分を調べさせて頂きたく、現在ご使用されている回路図もしくは
EVMと異なる部分をご教授頂ければ幸いでございます。

何卒宜しくお願い致します。

Undertale

[ottey従業員]

wtidesigner様

 

本件返信が遅くなり、大変申し訳ございません。

先日の回答にてデータシートとExcel Design toolのClampの式で差異があるとお答えさせて頂きましたが、
以下の内容をTI社に確認しましたので、回答させて頂きます。

①Excel Design toolで使用されているClampの計算式について
Excel Design toolのClampには以下の式が使用されており、Lk, fsw, VBULKmin, Nps, Voutnomの値を入力することでClmapの計算値を求めることが可能です。

②Excel Design toolに記載されているClampの値について
Excel Design toolでは、DCバイアスを考慮したClampの値を求めることが可能です。
以下の表は実際のExcel Design toolから抜粋したものとなり、それぞれのClampの値の説明は以下の通りとなります。

・Clamp_rec：上記の式から求めたClamp
・Clamp_act：実際に設計で使用するClampの値（手入力）
・Clamp_eff： Drea_clamp(手入力)をもとにDCバイアスを考慮して出したClampの実容量（Ccamp_actをもとに計算）
・Clamp：今後の計算で使用するClamp（Clamp_effの値を反映）

 

③データシートとExcel Design toolから求められるClampについて
データシートやExcel Design toolで求められるClampの値はどちらも周辺回路の影響（漏れインダクタンス等）が考慮されていない、あくまで参考値となっております。
そのため、貴社の方でどちらかの方法でClampの値を設定して頂き、実機で動作を確認しながら、Clampの値を調整して頂けないでしょうか。

 

以上、よろしくお願い致します。

 

ottey

　TPS62130/40/50は、TPS62140のデータシートFigure48のように接続すれば、
マイナス電圧を生成できるようですが、
マイナス電圧を生成する場合のレイアウトの例について資料がございましたら
提供をお願いします。

BQ24770のIBATピン(バッテリ電流モニタ)の充電電流のモニタリングができません。
放電電流はモニタリング可能です。
充電時のIBATピンの出力はほぼ0mV(5mV～10mV)となります。
IBATピンの接続先は直接テスター(電圧計)となります。
0.8A充電で評価しております。

データシートにて
V(IBAT) = 20 × (V(SRP) – V(SRN)) for charge current,
との記載があり、充電電流のモニタリングも可能と読み取れます。

周辺部品の定数は下記となります。
電流検出抵抗(データシートP36:RSR):10mΩ
C8,C9,C10:0.1uF
R11:30kΩ
R11と並列にコンデンサ:100pF

IBATと関係のあるレジスタ設定は下記となります。
ADD:0x12H Charge Option 0
Bit[12] = 0b IDPM AUTO DISABLE
Bit[1] = 1b IDPM Enable

ADD:0x3BH Charge Option 1
Bit[11] = 1b IBAT Enable

ADD:0x38H Charge Option 2
Bit[6] = 1b IBAT OUTPUT SELECT

ADD:0x15H Max Charge Voltage Register
0x2EE0H

ADD:0x14H Charge Current Register
0x0400H

上記以外で必要な設計や設定、モニタリングできない理由等ございますでしょうか。

お手数をお掛けしますがご対応よろしくお願い致します。

[ottey従業員]

wtidesigner様

ご投稿ありがとうございます。
返信が遅くなり、申し訳ございません。

TI社にExcel Design Calculatorで使用されているClampの計算式について確認したところ、
データシート8.2.2.3項に記載されている計算式と差異があることは確認致しましたが、
詳細については引き続き確認をしている状況ですので、もう少々お待ち頂ければと存じます。

以上、よろしくお願い致します。

ottey

EQYL02BDK 8P 211W 136～229Vrms
上記のモーターを運転するのに必要なデバイス及びドライバを紹介願います

Attachments:

1. bdd7f77fbfee5dafb43f159e66519181.pdf

Vo=20V　2.25A　計算がUCC28780のDataSheet SLUSD12に示されています。
また計算ツールとし　てUCC28780 Excel Design Calculator (Rev. C) SLUC664C.xlsxを準備いただいています。

後者計算ツールによるとCclumpの容量は計算値 0.396uFですが、前者 （8.2.2.3項 ）の計算式で計算してもこの値になりません。
使用している各値は、後者計算ツールから　Lk＝2.5uH，LM=110uH，Nps=2.5，Vo＝20V，Vｆ＝1V　としています。
IM+(FL)が定義されていませんが、前者（30）式の IM+ として計算、2.31A　とすると　0.103uFにしかなりません。

どれか誤っているのでしょうか。教えていただきたく。

計算ツールの保護パスワードが分かると早いのですが(笑)

[KJ従業員]

akinobu様

ご投稿ありがとうございます。
データシート記載の特性を得るには推奨動作範囲内である必要がございます。
　Buffer off時　AGND-0.1V以上
　Buffer on時　AGND以上

推奨範囲外と絶対最大定格の間に関しては、破壊はしませんが、特性保証はできません。
そのため、AGND-0.2Vの場合のAD値についてはお答えすることができません。

尚、AGND-0.2Vを入力すると保護の為、内部のダイオードがONとなります。
内部ダイオードを動作させることがないように、推奨動作範囲内にて
ご使用いただけますようお願いします。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

ADS1250のAINの絶対最大定格= –0.3 to AVDD + 0.3
となっています。
仮にAINの入力電圧＝-0.2V入力した場合、AD値は0になるのでしょうか？

[GC従業員]

yong様

 

1点訂正させて頂きたく。

内部・外部リファレンス共に2.5Vに対するばらつきがあるかと思いますが、

僅かな電圧差分でも、どの程度の電流が流れるかの推定が出来ない為、先に報告させて頂いた通り、

「CONFIG register Bit8を”1”に設定後、外部リファレンス電圧を印加するシーケンス」が推奨となります。

 

大変申し訳御座いませんが、何卒よろしくお願いします。

 

GC

• この返信は4 年、 10 ヶ月前に  GC さんが編集しました。

[yong参加者]

GCさま

お世話になっています。

2.5Vであれば問題なさそう　ということなので、その方向で検討してみます。

情報ありがとうございました。