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UMA様
御投稿頂きましてありがとう御座います。
【御質問】
どんなに抵抗を調整しても出力は最低0.8Vまでしか下がりませんでした。
これはFBのref電圧が0.8Vだからだと認識しておりますが、間違いないでしょうか？
【回答】
はい、その通りです。
トポロジ的にVref=Voutの最小値となります。【御質問】
仮にオペアンプを使用して、[出力が0.3Vの時にFB端子電圧が0.8V]となるような回路を組んだ場合、
何か不都合が発生しますでしょうか？
今のところ、注意すべき点はオペアンプによるフィードバックの遅延や異常発振が発生する程度かと考えておりますが、
他にありますでしょうか？
【回答】
御推察の通り、伝搬遅延における出力の異常発振が懸念されます。
全体的に帰還制御周波数を下げれば対応可能と思われますが、fswを低下させLやCoutを大きくする必要があると考えます。
但しメーカー側でも実施した例が無い使用方法の為、推察のみの見解でありますこと、御了承頂きたく存じます。
予め用意された負電圧をGNDとし、電源を設計するのが現実的と思われます。以上、今後とも宜しくお願い致します。
Polnaref現在、MSP430F5シリーズを使用しており、
量産書き込み時にMSP-GANGでJTAGロックすることを考えています。
Ti社Q&Aを見ると、JTAGロック後はBSL接続でプログラムの書き換えや読み出しができることは
わかったのですが、JTAGロックを解除する方法がわかりません。デバッガーのMSP-FETを使用して、JTAGロックを外すにはどのようにすればよいのでしょうか？
MSP-FETとBSL Scripterを使ったBSL通信ではJTAGロック解除はできないのでしょうか？
（CCSを使い方法でもよいので、MSP-FETで外せるのが一番助かります。）※TiのHPにはサードパーティーの製品を使用すれば、GUIでfuseの復元＝JTAGロック解除ができる
とありますが、MSP-FETではできないのでしょうか？
https://e2e.ti.com/support/archive/jp//f/969/t/400456以下の組み合わせでどの組み合わせならJTAGロックを解除できますか？
（そもそもつながらないなどありましたらそれも含めて回答いただけると助かります。）
・デバッガFlashPro430とソフトウェアFET-Pro430の組み合わせ（サードパーティー製）
・デバッガGangPro430とソフトウェアGANG-Pro430の組み合わせ（サードパーティー製）
・デバッガGangPro430とソフトウェアMSP-GANGの組み合わせ・デバッガMSP-GANGとソフトウェアMSP-GANGの組み合わせ（Ti製）
・デバッガMSP-FETとソフトウェアMSP-GANGの組み合わせ（Ti製）
・デバッガMSP-FETとソフトウェアCCSの組み合わせ(Ti製）
・デバッガMSP-FETとソフトウェアFET-Pro430の組み合わせ
・デバッガMSP-FETとソフトウェアGANG-Pro430の組み合わせ降圧チョッパIC:LM25117について質問があります。
LM25117を使用し、出力を0.3V程度まで下げたいと思っております。(実際はVout12V～0.3Vの可変)
データシートの[Application Circuit]の通り、Voutから出力電圧を分圧抵抗を使用してフィードバックすると、
どんなに抵抗を調整しても出力は最低0.8Vまでしか下がりませんでした。
これはFBのref電圧が0.8Vだからだと認識しておりますが、間違いないでしょうか？
仮にオペアンプを使用して、[出力が0.3Vの時にFB端子電圧が0.8V]となるような回路を組んだ場合、
何か不都合が発生しますでしょうか？
今のところ、注意すべき点はオペアンプによるフィードバックの遅延や異常発振が発生する程度かと考えておりますが、
他にありますでしょうか？お手数ですが、ご回答のほど、宜しくお願いいたします。
返信先: CCSにおけるUnitテスト
satoshiさん
DSSにつきましては、以下のサイトに概要および使い方について記載さておりますので、こちらをご参照頂けますでしょうか。
http://downloads.ti.com/ccs/esd/documents/users_guide/sdto_dss_handbook.html
C2000向けのサンプルスクリプトファイルにつきましては、テスト向けでの用意はございません。
以下のフォルダにF28335用のFlash書き込みスクリプトが用意されております。<CCSインストールフォルダ>\ccs\ccs_base\scripting\examples\DebugServerExamples
同フォルダには、C2000向けのほか、MSP430用ですがRAMメモリ操作やブレークポイント設定などが用意されておりますので、参考にしていただけるものと思います。
DSSのAPIリファレンスにつきましては、
<CCSインストールフォルダ>\ccs\ccs_base\scripting\docs\GettingStarted.htm
から参照いただけますので、ご確認ください。
以上、ご確認のほど、よろしくお願いいたします。
返信先: DDC112のレンジ0の外部容量について
sefuku様、
回答の方、お待たせしてすみませんでした。以下のように回答させていただきます。
【回答】
御質問の外部コンデンサの範囲につきまして、データシート（資料番号：SBAS085B）
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ddc112.pdf
に記載がございます通り、12.5pF～250pF範囲でのご使用を推奨いたします。
（ご存知のように12.5pF~87.5pFの範囲で使用される場合は内部容量(Range1~7)を活用いただけます。）
12.5pF以下の容量の使用に関してですが、データシートのページ6、”NOISE vs Csensor”のグラフのように、Range0 (250pF)に比べ、Range 1(12.5pF)は大きなノイズを示すことが分かります。（C-senseはフォトダイオードの負荷容量）よって12.5pF以下の容量のコンデンサを使用された場合は、さらにノイズは増える方向になりますので、12.5pF以上を使用されることを推奨いたします。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
返信先: TPD2S703-Q1 CCライン
ご回答ありがとうございます。
今後、TPD6S300Aの車載対応品の計画は御座いますでしょうか。
ある場合、いつ頃の計画でしょうか。以上 宜しくお願い致します。
返信先: TPD2S703-Q1 CCライン
mg様
お問い合わせ下さいましてありがとうございます。
残念ながら、TPD2S703-Q1をType-CのCCラインに使用することは出来ません。
CCラインは5.5Vまでの仕様となりますが、TPD2S703-Q1のOVPしきい値(TYP)が4.5Vと低く、ご要求を満たせない為です。
民生品(非車載対応品)となってしまいますが、CCラインに対応出来る、TPD6S300Aを念のため紹介させて頂きます。
※データシート P7の「VOVPCC OVP threshold on CC pins」をご参照下さい。
TPD6S300A datasheet
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/tpd6s300a.pdf
何卒よろしくお願いします。
GC
トピック: TPD2S703-Q1 CCライン
TPD2S703-Q1はD+,D-ラインだけでなく、Type-CのCCラインにも使用可能でしょうか。
返信先: DDC112のレンジ0の外部容量について
<p> sefuku様<br /> <br /> お問い合わせいただきありがとうございます。</p><p>本件、TI社の方に確認しております。回答が来次第ご連絡いたしますので、今しばらくお待ちください。</p><p> 以上、何卒よろしくお願いいたします。</p>
ご回答有難うございました。
データシートp6に記載されているVOUTのInitial output voltage accuracyは、
リプル電圧まで考慮した値であることがわかりました。
Coutの容量を増やせば、軽負荷時でもリプル電圧を低減できると認識しておりますが
認識は合ってますでしょうか?返信先: 再配置について
mickey.mouseさん
特定ファイルのebssを対象セクションの先頭に配置するには、以下のように記述してみて頂けますでしょうか。
SECTIONS {
：
.ebss : { Filename.obj(.ebss) *(.ebss) } RUN = RAMGS3 | RAMGS4 , PAGE = 1,
RUN_START(_RamEBssStart), RUN_SIZE(_RamEBssSize)Filename.objは、変数f_lpfを定義しているオブジェクトファイルを指定してください
ワーニングの内容では、CLAオブジェクトに対するワーニングが表示されているようです。CLAではアクセス可能なメモリは、LSx（0x8000 – 0xAFFF）に限定されており、GSxメモリにはアクセスすることができません。
そのため、変数f_lpfをCPUとCLA双方でアクセスする場合は、RAMLS0～RAMLS5のいずれかに配置する必要があります。（下記例では、LS3に配置しています）
cla_ebss : { Filename.obj(.ebss) } > RAMLS3
などのように、特定ファイルのみのセクション指定が必要となります。
以上、ご確認のほど、よろしくお願いします。
maida様
お問い合わせいただきありがとうございます。
以下の通り回答させていただきます。■動作モードが切り替わる負荷について
データシートP.15式(9)をご確認ください。
負荷電流がインダクタ電流の半値分の時が、動作モードが切り替わるポイントとなります。■Initial output voltage accuracyについて
ご認識の通り、Vrefとなります。この項にはP.6注釈(4)に記載の通り、FBピンの精度が記載されております。軽負荷動作中はスイッチング周波数が減少するためリップルが増加します。
また、Cout部品の個体毎、温度毎によってもスイッチング周波数がばらつくことが想定されます。
これらの要因から軽負荷動作時のFBピンから与えられる精度は、
PWM Mode時と比べて大きい値として定義されていると考えられます。ご参考になれば幸いです。
よろしくお願いいたします。トピック: 再配置について
コンパイルすると以下のエラーが出ますが、.bss セクションが大きいため16bitのアドレス範囲をまたいでいます。
下記（f_lpf）の構造体を前側に割り当てたいのですが、どのように定義するとよいのでしょうか、
よろしくお願いします。コマンドファイルの抜粋
PAGE 1 : /* Data Memory */
/* Memory (RAM/FLASH) blocks can be moved to PAGE0 for program allocation */RAMGS1 : origin = 0x00D000, length = 0x001000 /* stack ari */
RAMGS2 : origin = 0x00E000, length = 0x001000 /* stack ari */
RAMGS3 : origin = 0x00F000, length = 0x001000
RAMGS4 : origin = 0x010000, length = 0x003800
.ebss : RUN = RAMGS3 | RAMGS4 , PAGE = 1,
RUN_START(_RamEBssStart), RUN_SIZE(_RamEBssSize)コンソールのワーニング表示
“../Task1(power)/Lib_PWM_CLA.cla”, line 686: warning: relocation from function
“Cla1Task2” to symbol “_f_lpf” overflowed; the 17-bit relocated address
0x1290c is too large to encode in the 16-bit unsigned field (type =
‘R_ABS16_OC’ (107), file = “./Task1(power)/Lib_PWM_CLA.obj”, offset =
0x0000071e, section = “Cla1Prog:_Cla1Task2”)
cla_data.dcdcv_in = f_lpf.batt_volt;TUSB8041AをUSB 2.0 Hubとして使用したい場合、SuperSpeed用の以下の端子の処理はオープン
でよいでしょうか？ 念のため、推奨する端子処理を教えてください。
USB_SSTXP_UP、USB_SSTXM_UP、USB_SSRXP_UP、USB_SSRXM_UP、
USB_SSTXP_DN1、USB_SSTXM_DN1、USB_SSRXP_DN1、USB_SSRXM_DN1返信先: 出力反転現象の有無
eozako様
先ほど投稿した文章が読みにくくなっており失礼しました。
再度投稿させていただきます。（内容は同じです。）—TI様に確認が取れました。
結論としましては、MC33078はVCMの範囲を超えると位相反転する可能性がございます。
詳細については、以下の内容となりますのでご確認いただけますでしょうか。
MC33078については、先日添付したアプリケーションノート（SLYT759)のFugure 1.と同様の入力段回路となっております。
入力段の回路はPNPとなっており、さらに位相反転を防止する回路もありません。
このため、コモンモード電圧を超えた信号が入力されて飽和状態になると、位相反転する可能性がございます。以上、よろしくお願い申し上げます。
FI43101
