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  • #6855

    amatsu1
    参加者

    いつもお世話になっております。
    早速ですが、以下の件につきまして、ご対応をお願いします。

    ■不具合内容
    pin20のCRのRを大きくすると、280mV程度が発生してしまう。

    ■質問
    なぜこのような現象が起きるのでしょうか。

    ■簡易回路図
    添付を参照願います。

    大変恐縮ですが、急ぎ案件の為、至急ご対応願います。

    #6851

    OKADA
    参加者

    William様

    ご回答ありがとうございます。
    瞬間的な電流のため問題ない旨承知致しました。

    よろしくお願い致します。
    以上

    #6850
    umamiti
    umamiti
    従業員

    cloudwork様

    投稿いただき、ありがとうございます。

    1.I/Oポートから電圧出力をする場合、High状態であれば最大でVccが出力されます。
    詳しくは、データシートの「5.11 Outputs – General-Purpose I/O」 をご確認ください。

    2.申し訳ございませんが、
    内蔵レギュレータの出力電圧を、プログラムによって変更することは出来ません。

    以上、よろしくお願い致します。

    #6848
    クライフ
    クライフ
    従業員

    dengensekkeiGT様

    MSP-FETをつないだ状態で、貴社工場作業用のPCのデバイスマネージャーでのポートに「不明なデバイス」とございませんでしょうか。

    上記の場合は、MSP430 USBドライバが作業用PCにインストールされていない可能性がございます。
    MSP430 USBドライバはCCSをインストールする時に合わせてインストールされますので、
    作業用PCにもCCSをインストールをお試しいただければと思います。

    インストール手順は下記ページを参考にしていただければ幸いです。

    技術ラボー【2019年版】Code Composer Studioのインストール手順

    宜しくお願いいたします。

    クライフ

    #6840

    okabat
    参加者

    「TMS320F28374SPTPS」にてソフトウェア開発を行うにあたり、開発の全体的な流れを把握したいと考えています。
    現在予定されているワークショップを見ますと、

    • MSP430の基本がわかるハンズオンワークショップ <無料> 2019/7/17
    • TI ARM Cortex-A プロセッサ 入門ワークショップ!(RTOS版) 2019/8/21

    のあたりが希望の内容に近く見えましたが、私の希望(TMS320F28374SPTPSのソフト開発の全体的な流れを把握したい)に対しては、どちらのワークショップの方が有用でしょうか?

    #6833
    William
    William
    従業員

    OKADA様

    お問い合わせいただきありがとうございます。
    本件について以下のように回答させていただきます。

    はい、GDRVのドライブ能力としては、一瞬は500mA程度が流れるかもしれませんが、外付けのスイッチング用NMOSFETのゲートが電圧が上がってしまうと電流は止まりますので、書いていただいたように電流としては瞬間的なものになり、連続的な電流ではありませんので、問題はないと考えます。

    抵抗に流れる平均電流としては以下のように計算できます。

    NMOSFET(Q1)に使われている、以下のURLのSi7850DPのデータシートを見てみます。

    Si7850DP

    https://www.vishay.com/docs/71625/si7850dp.pdf

    このデータシートのページ3に、Gate Chargeのグラフがあります。これはQ1のゲート電圧を0Vからある電圧まで上げるのに必要な総電荷量を示しています。TPS40210のGDRV端子のHレベルはBP端子の電圧である8Vになりますので、Q1をオンするためにゲート電圧が0V→8Vに上げるには総電荷量はグラフより15nC程度になっています。またこのゲート電圧は、Q1をオフするときには0Vに引き下げる必要があります。よってQ1がオン・オフ両方の時にR3に電流が流れることになります。

    次にその時に流れる平均電流としては、スイッチング周波数を設計例の400kHzと考えると、2.5usごとに一回、Q1のゲートが充電・放電(0V→8V→0V)することになります。 充電あるいは放電が2.5usの半分の1.25usで1回行われるとしますと、その時の流れる平均電流は、電荷量の式、Q(C)=I(A)*t(s)より、

    I(A)=Q(C)/t(s)

    となります。

    これに各値を当てはめると、Q1のゲートを充電するのに必要が平均電流は、

    I(A)=15(nC)/1.25(us)=0.012=12mAとなります。ゲート抵抗(R3)にはこの平均電流が常時流れることになるので、抵抗で消費される電力としては、P=I^2*R=0.012(A)*0.012(A)*3(Ω)=0.000432(W)=0.432mWとなり、1608サイズのチップ抵抗でも問題はありません。

    ただし、実際にはQ1のQgのばらつきやその他の規制容量、PCBパターン容量等の影響もあり、これよりは増えますので、実機での評価を行っていただきますようお願いいたします。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

     

    UNA
    UNA
    従業員

    kkk様

    本件お待たせしており大変申し訳ございません。

    REFOへの切り替わり時に少なくとも、下記データシートに記載されている、”REFO Start-up Time”(25us:TYP)
    の時間が必要とのことでございますが、これ以上の詳細(停止する期間やタイミングのずれ)については
    情報が開示されていないようでございます。

    ・MSP430 F53xx Datasheet
    [5.18 Internal Reference, Low-Frequency Oscillator (REFO)](p25)
    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/msp430f5329.pdf

    以上、明確な回答とならず大変申し訳ございませんが何卒ご理解いただけますようお願い申し上げます。
    UNA

     

    #6825

    Kato
    従業員

    iwa 様

    LDC0851にはExcelベースのToolが準備されておりますので、以下のURLより入手願います。
    Excel File “LDC_Tools-ext49.xlsx”を開いて頂き、Sheet “LDC0851_calc”をご参照下さい。

    Inductive Sensing Design Calculator Tool (Rev. E)
    http://www.ti.com/lit/zip/slyc137

    また、Application Noteも多数用意されておりますので、こちらも合わせてご確認頂けますと幸いです。

    http://www.ti.com/product/LDC0851/technicaldocuments

    Kato


    Polnaref
    従業員

    UMA様

    御投稿頂きましてありがとうございます。

    【回答1】
    7.3.3 Oscillator And Sync Capabilityに御座います式(3)を御参照頂きたく存じます。
    fsw=50kHzに設定する場合、Rt=103.05kΩと算出できます。

    【回答2】
    最大公差±20%とお考え頂きたく存じます。

    【回答3】
    最小TonはIC固有のパラメータの為、Crampで変化は致しません。
    fswとDutyを鑑みて、最小Tonに対し、1.5倍~2倍程度のマージンを確保して頂きたく存じます。

    御参考になれば幸いで御座います。
    今後とも宜しくお願い申し上げます。

    Polnaref

    #6817

    UMA
    参加者

    IC:LM25117について3点質問があります。
    1:データシートでは動作周波数が50kHz~1MHzと記載がありますが、
    P7の[Switching Frequency vs RT]を見ると、100kHz以下の対応した抵抗値の記載がありません。
    50kHzもしくは60kHzとする場合、どの程度の抵抗値を接続すればよいのでしょうか?

    2:最小ON時間が100nsとありますが、これは最大でどの程度ばらつくと考えればよろしいでしょうか?

    3:最小ON時間はCRAMPの容量でも変わってしまいますでしょうか?

    大変お手数ですが、ご回答をお願いいたします。

    #6800

    OKADA
    参加者

    TPS40210のGDRV端子に接続する抵抗について、
    データシートの設計例では、1608品の3.3Ω抵抗を選定していますが、問題ないのでしょうか。
    (データシートp31における、諸元R9)

    データシートでは、FETを急速ON/OFFするために500mA程度のドライブ電流を流すとあります。
    この場合、P=R×I^2の式から、この抵抗には 0.825Wの電力がかかるため、
    1608品では対応不可なように思えます。

    これは、電流が流れるのが瞬間的だから問題ないという理由なのでしょうか。
    或いは別の理由でしょうか。

    よろしくお願い致します。
     以上

    #6799

    トピック: LDC0851センサ設計手順

    フォーラム内 センサー

    iwa
    参加者

    LDC0851のデータシート9.1.1.2 Sensor Design Procedureの項目2のfSENSORの周波数はどのように決めたらよろしいでしょうか。ご回答の程宜しくお願いいたします。

    #6792
    Yojiro
    Yojiro
    従業員

    kitadeさん

    お問い合わせいただき、ありがとうございます。

    Tiva製品につきましては、現在TI社HPより、「製品」→「マイコン」の製品ツリーリストから「その他のマイコン」カテゴリーにてご確認いただくことが可能となっております。
    クイック・サーチにて、CPU欄に”ARM Cortex-M4F”を選択していただきますと、Tiva製品がリストアップされますので、こちらをご参照いただけますでしょうか。
    http://www.tij.co.jp/ja-jp/microcontrollers/other-mcus/products.html#p887=ARM%20Cortex-M4F

     

    1.Tivaシリーズは、新規採用をやめた方が良いのでしょうか?
    ・もし、そうであれば、代替のマイコンがあるのでしょうか?

    Tivaシリーズですが、Tiva製品対応SDKであるTivaWareについて、今後更新される見込みはございません。

    Tivaシリーズの後継製品としまして、MSP432E4シリーズを用意しております。
    ソフトウェア(SDK)はSimplelink MSP432E4 SDKをご利用いただくものになります。
    Simplelink MSP432E4 SDKのドキュメントにつきましては、こちらから参照していただくことができますので、ご確認いただけますでしょうか。

    LCD+USB機能でしたら、MSP432E411Yにて対応いただけるものと考えております。

     

    2.Tiは、Cortex M7系は対応しないのでしょうか?

    大変申し訳ございませんが、現時点でCortex-M7対応製品のリリース情報は入手しておりません。

     

    以上、ご確認のほど、よろしくお願いいたします。

    #6790

    トピック: Tivaシリーズについて

    フォーラム内 その他

    kitade
    参加者

    LCD+USB(memory+HID)+その他の構成の案件を検討しています。
    以前に、ステラリスで似たようなシステムを開発したので、Tiva+TivaWearを考えています。
    Tiのホームページを見ると、Tivaはメニューからたどれず検索でしか見れません。
    そのため、採用して良いか、迷っています。

    1.Tivaシリーズは、新規採用をやめた方が良いのでしょうか?
     ・もし、そうであれば、代替のマイコンがあるのでしょうか?

    2.Tiは、Cortex M7系は対応しないのでしょうか?

    以上、お教えください。

    #6748

    トピック: TPS61085(出力電圧:推奨動作)

    フォーラム内 電源IC

    etskbtskk
    参加者

    Vs(Boost Output voltage range)の推奨Min電圧はVIN+0.5Vですが、
    推奨値を下回った場合(Vin=5.3V,Vs=5.74V)の振る舞いや部品破壊のリスクについてご教示願います。

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