[aiga参加者]

ご回答有難う御座います。
LM5025について追加で下記ご教示下さい。

RAMPの外付けのCRを選定するにあたり、
REF電圧バラツキ：5V±3%
RAMPスレッシュ電圧バラツキ：2.5V±3%
発振器周波数バラツキ10%
より最大DUTYを70%設定で70%±16%のバラツキがICのみで発生してしまいます。
この対応としては、周波数をボリューム調整して
RAMPの抵抗をボリューム調整することで
バラツキを吸収できますが、大変です。

（１）REF、RAMP、発振周波数の各精度を改善したものをご紹介いただけないでしょ
うか。
（２）無い場合は、それぞれのバラツキの分布データご提供いただけないでしょうか。
　　　バラツキの実力で設計したいです。

お手数ですが宜しくお願い致します。

[aiga参加者]

ご回答有難う御座います。
LM5025について追加で下記ご教示下さい。

RAMPの外付けのCRを設計するために以下のバラツキをご教示ください。
REFとRAMPスレッシュ電圧は、以下と考えてよいでしょうか。

REF電圧バラツキ：5V±3%
RAMPスレッシュ電圧：2.5V±3%
尚、REFが5V＋3%のときは、RAMPスレッシュも2.5V＋3%と同じ方向に変化する。

宜しくお願い致します。

[aiga参加者]

ご回答有難う御座います。
TI製LM5025のついて追加で下記ご教示下さい。

LM5025のブロック図では、UVLOとVCCUVは無関係のように書かれていますが
実際には、UVLOでVCCUVもコントロールしているということでしょうか。

ご回答宜しくお願い致します。

[投稿者]

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