フォーラムへの返信
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投稿
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ご投稿ありがとうございます。
ご質問に関しましては、直接メールにてご連絡させていただければと存じます。
つきましては、本スレッドを閉じさせていただきたく宜しくお願い申し上げます。
ご質問ありがとうございます。
（組込み技術ラボ フォーラム システム上のトラブルにより、対応が遅れましたこと、お詫び申し上げます。
誠に申し訳ございません。)はい、お考えの通りとなります。
データシートp3 絶対最大定格値にて、入力については入力-GND間のダイオード電流について、出力に関しては
入力-GND間および、入力ーVcc間のダイオード電流について規定がされております。どうぞ宜しくお願い致します。
お問い合わせありがとうございます。
まず電源電圧3.3V時のVIH,VILにつきましてですが、VIHは各電源電圧の70％～75％、VILにつきましては
各電源電圧の25％～30％の値として規定されております。これから、電源電圧3.3V時のVIH,VILは、
VIH＝2.31～2.475V, VIL＝0.825～0.99Vの範囲内になるとお考え下さい。また電源電圧3.3V時のVOH,VOLにつきましては、出力段MOSFETの線形領域での動作となります。
線形領域では出力抵抗はほぼ一定となりますので、データシートに記載された他の電源電圧の
電気的特性と同等の電圧出力が可能となります。
ただし、出力電圧は、電源電圧及び出力電流により変化します。
データシート記載の電源電圧4.5V時及び6V時の出力電流及びVOH/VOLから出力抵抗の概算値を計算して、
3.3Vを出力抵抗概算値で割ることで、同等の電圧出力となるIOH/IOLを計算することができます。いずれの値につきましても、データシート内の電気的特性にて規定されていない条件でのものと
なりますため、保証値ではない点、ご了承ください。以下、TI E2Eのスレッドについても、併せてご参考ください。
https://e2e.ti.com/support/logic-group/logic/f/logic-forum/742466/faq-what-is-the-output-voltage-voh-or-vol-when-the-output-current-is-x-or-the-supply-voltage-is-yどうぞ宜しくお願い致します。
はい、お考えの通り、過電流制限値の設定等の計算を実施する際にはRds(ON)の値をご参照ください。
GT
ご質問ありがとうございます。
はい、Rds(ON)とZds(ON)は異なります。
Rds(ON)は直流で測定されたFETのドレインーソース間の抵抗値なのに対し、
Zds(ON)は、ある条件下でのスイッチング電源として動作させたときの、等価的な抵抗値となります。CSD86360Q5D データシートP12 Figure31、32に記載されております通り、Rds(ON)が同等の
Discrete FETと比較をすると、FETの各容量成分及び、配線のインダクタ成分などの影響により、
スイッチング電源での効率に大きく差が出ます。そのため、同期整流タイプのスイッチング電源に使用する場合の性能を表す適切な指標として、
Zds(ON)を記載しております。どうぞ宜しくお願い致します。
GT
maida様
お問い合わせ頂きありがとうございます。
未使用のportのA,Bピンについては、GND接続でLow固定の処理でも問題ございません。
どうぞ宜しくお願い致します。
GT
etskbtskk様
ご質問ありがとうございます。
本件につきましてですが、別途メールにてお伝えしました内容にて対応致しますため、Closeとさせて頂きます。
どうぞ宜しくお願い申し上げます。
GT
sekai様
お世話になっております。
掲題の件、お問い合わせありがとうございます。また何かご質問がございましたら、お気軽にお問合せください。
どうぞ宜しくお願い申し上げます。
GT
aikawa様
掲題の件、お問い合わせありがとうございます。
LMZM23601につきましては、TI社の電源モジュール製品のうち、MicroSiPと呼ばれるタイプの製品となります。
LMZ12xxxおよびLMZ14xxxシリーズとは製品の構成が全く異なるもののため、LMZM23601については当該の問題の
対象外となります。
また、他のユーザー様にてLMZM23601が、LMZ12xxxおよびLMZ14xxxシリーズと同様の現象が発生したという
報告は受けておりません。どうぞ宜しくお願い申し上げます。
GT
yamazaki888様
掲題の件、お問い合わせありがとうございます。
以下文中にて、回答させて頂きます。１．TMP117Mの湿度範囲を教えて下さい。
(回答)使用環境で、湿度の規定はございません。
結露の無い範囲でご使用下さい。２．TMP117Mは30℃~45℃となっていますので体温測定を行う場合はこの製品と
考えて宜しいでしょうか。(回答)ICの使用温度範囲は以下の通りになります。
• Operating temperature range: –55°C to +150°C
この使用温度範囲に対して、温度のレンジを区切って測定精度が保証されております。記載いただきました”TMP117M”につきましては、30°Cから45°Cの範囲において、
±0.05°C (typical) ±0.1°C (maximum)の温度精度が規定されております。想定される使用環境温度、及び、求める測定温度範囲に対して十分な測定精度が
得られるグレードの製品をお選び下さい。また、体温計として使用する場合、Medical grade: meets ASTM E1112 and ISO
80601-2-56規格等を満たす必要があるかと思います。
この製品は上記規格に適合します。３．小さいパッケージサイズにこだわってDSBGAを選択しようとしていますが、センサーの構造からWSONは金メッキ処理が
されておりDSBGAはSAC396でスズ・銀・銅が 含まれているようです。
この成分の差が温度精度への影響を与えませんでしょうか。(回答)データシートに記載がある場合を除き、精度はパッケージタイプには依存しません。
データシート記載の精度で測定できるものとお考え下さい。４．フレキ線の上に実装して使用予定です。製品にはフレキ線をプラスチック材料の
上に貼り付けて雰囲気温度をTMP117で測定したいと思っています。
このような場合、考えられる測定誤差はどのようなものがありますでしょうか。
測定する空間は1立方センチメートル位の空間内の雰囲気温度です。(回答)TMP117データシートおよびアプリケーションノートに、設計に関する注意事項がまとめられております。
http://www.tij.co.jp/product/jp/TMP117/technicaldocuments（例：TMP117データシート 8.2.2 Detailed Design Procedure、9 Power Supply Recommendations、10.1 Layout Guidelines等）
これら資料内の記載事項に則り、ご設計頂くようお願い致します。
また、実機にて十分にご評価、検証頂いた上で、ご使用可否をご判断ください。hirotass様
いつも大変お世話になっております。
掲題の件、お問い合わせありがとうございます。添付頂きましたデータシートの抜粋ですが、当該部分の記述については、2017年のデータシートの改版で
Vccの記述が”3V±5.5V”から、”3Vto5.5V”に変更となっております。（誤植の訂正となります。）
以下URLの最新データシートをご確認ください。
http://www.ti.com/jp/lit/ds/symlink/max3232e.pdfこの記述の通り、Vccが5Vの場合は、データシート記載のC1=0.1μF C2,C3,C4=0.47μFの定数が
お使い頂けます。どうぞ宜しくお願い致します。
GT
maida様
本件、お問い合わせありがとうございます。
確認したところ、WEBENCHに関しましてはTPS53355、TPS53319のいずれも、
Bode Plotのシミュレーションには対応しておりませんでした。誠に申し訳ございません。TINA-TIでのBode Plotのシミュレーションの可否につきましては、確認の上、
回答させて頂きます。どうぞ宜しくお願い致します。
GT
ikeda様
掲題の件、ご質問ありがとうございます。
以下のように回答させていただきます。1につきまして
Iccはお考えの通り、データシート記載のIs（Total Supply Current）を指します。
（この値が2mAであれば、前述の計算式のIccは2ｍAとなります。）データシートP8 「±15-V Electrical Characteristics」内のIsの値が、
2mA typ. / 3mA max
データシートP7 「±5-V Electrical Characteristics」内のIsの値が、
1.5mA typ. / 2.6mA max
となっております。
このことから、Total Supply Currentは電源電圧によってそこまで大きく変動する
ものではないと考えられるため、±12V電源時は、±15V時の値をご参考いただくのが
よいと思います。2-1、2-2につきまして
交流出力電圧の場合、お考えのとおりAC電圧の実効値電圧で計算します。
例えば±15Vp-pの正弦波で考えた場合、ピーク間電圧を30Vとして、それを
2√2で割った値を実効値とします。割合が50％の方形波であれば、ピーク値を2で割った値が実効値となります。
ご連絡させて頂きましたメールアドレスにつきましては、自動的に配信を行うためのものとなり、
誠に申し訳ございませんが、こちらのメールアドレスに直接お問い合わせをお受けすることができません。お手数をお掛けいたしますが、今回のご質問に関連するものであれば、この回答に対しての
返信という形で、また、新規のお問い合わせであれば、該当するフォーラムのカテゴリーから
新たにお問い合わせを頂きたいと思います。どうぞ宜しくお願い致します。
GT
ikeda様
掲題の件、ご質問ありがとうございます。
また、再度ご投稿いただくお手間を取らせてしまい、誠に申し訳ございません。ICパッケージ表面温度よりIC ジャンクション温度を推定する場合には、
θJC topではなく、ΨJTの値をお使い頂くほうが有効となります。
(LM7322 データシートP4に、ψJT＝10.7℃/Wと記載されております。)「ψJT」を使用した場合のジャンクション温度の求め方は下記になります。
計算式としては以下のものを用います。
Tj = Tt + Pd×ΨjtTj:：IC ジャンクション温度
Tt：デバイス パッケージ表面温度
Pd：IC部での消費電力
Ψjt：熱パラメータ ψJTΨjtにつきましては、併せて以下の資料をご参考ください。
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/jaja451/jaja451.pdf
資料のP8，9に、パッケージの表面温度の測定点につきましても記載がございます。
基本的には、パッケージ表面の中心部を測定いただくようになります。Ψjtは、ある一定の電力消費をICチップで発生させたときの、ジャンクション温度とケース表面温度を測定し、
規定されたものになります。
本来であれば、ジャンクションで消費される電力の全てがジャンクションーケース間を流れるわけでは
ないのに、そうなっていると仮定して計算していますので、あくまで擬似的な熱抵抗となりますが、
θjcを測定している環境より実機に近いものとなりますので、ケース表面温度からジャンクション温度を
推定するには、こちらの値の方が有効なものとお考え頂けると思います。一般にθjcの 1/5～1/10 程度、またはそれ以下の値となっております。
Ψjt もある特定の基板（JEDEC基板）での測定結果ですので、やはり基板が変わればΨjtの値も変わりますが、
ジャンクション‐周囲間の熱抵抗θjaに比べて非常に小さな値となりますので、実機でのΨjtが
記載のΨjtに対して差があったとしても、それほど大きな影響があるとも考えにくいことになります。また、消費電力については、記載いただきました出力電流による電力消費のほか、OPAMP自体の
回路電流による電力消費も考慮いただく必要がございます。OPAMP自体の消費電力P_opamp=Icc×（V+ - V-）
Icc：OPAMPの消費電流 V+:OPAMPの＋側電源電圧 V-：OPAMPの‐側電源電圧OPAMPの出力電流による電力消費 P_out
ソース電流の場合＝（V+ – Vo）×IL=（V+ – Vo）×Vo／RL
シンク電流の場合＝（Vo – V-）×IL=（Vo – V-）×Vo／RL
V+:OPAMPの＋側電源電圧 V-：OPAMPの‐側電源電圧 RL:負荷抵抗 Vo：出力電圧 IL:出力電流OPAMPの電力消費は、P_outとP_opampの合計となります。
どうぞ宜しくお願い致します。
GT
