[ishii参加者]

主題としている、過電流を一時的に超えてしまう現象については、
エネルギーが小さいことからICが損傷することは無いということで了解致しました。

突入電流を減らす為に、tracking start upを使用することを提案されていますが、
これはデータシート上におけるtracking modeの使用という理解でよろしいでしょうか？
その場合、VTT出力の立上り時間はVDDQ出力の立上り時間と同期することになるように見受けられます。
VDDQ電源のソフトスタート時間が1.1ms程度であることから、突入電流を下げるという意味では効果が期待できます。
しかし、使用予定のCPUから、VTT電源の立上り時間について指定があり、
それが35us以内と短いことから、non tracking modeでの使用を考えていました。

回路図については、一部であれば提供可能という許可が下りましたので、添付させて頂きます。
VTTの出力部分と、メモリ側に実装しているデカップリングコンデンサとなります。
VTT電源上には、これ以外の受動部品は実装されておらず、残りはDDR4ソケットとDDR4モジュールのみとなります。

電流(電圧)波形については、どこの拡大かが分かりかねましので、突入電流が発生している辺りの拡大波形を添付致します。

以上、宜しくお願い致します。

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   VTT_decoupling.png
   

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[ishii参加者]

現状、出力部に10uF、DDR4負荷側に10uFを入れている状態で”突入電流”が激しくなっています。
また、現象が発生しているのは、コンデンサへの電荷を充電している最中の立ち上がり時ですので、
コンデンサから電流が供給されるとは考えにくいと思われます。

一応、現象を確認した立ち上がり波形も添付しておきます。
電流値は、出力部に10mohmの電流検出抵抗を用意し、その両端の電位差から算出しています。
CH1が出力部側の抵抗端子、CH2が負荷側の抵抗端子で測定しています。

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