[KJ従業員]

MJ様

はい、ROM書き込みデータに関してはご認識の通りです。

本デバイスはPowerDelivery2.0対応品の為、情報取得することができません。
PowerDelivery3.0対応しているTPS65983Bをご検討頂けますようお願い致します。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

MJ様

本製品は起動時に外部ROMから設定をBootする為、外部ROMに書き込む方法が正しいです。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

t-nishi様

データシートの間違いではありません。
TCA6507のVILは、1.65 V ≤ VCC ≤ 1.95 Vにおいては、0.3Vmaxでご使用頂くようお願いします。
残念ながら1.65 V ≤ VCC ≤ 1.95 VでのVIL(max);0.3*VCCを保証することはできません。

以上、宜しくお願い致します。

KJ

[KJ従業員]

astro383様

ご投稿ありがとうございます。
以下回答致します。

VID =0.35V, VCM(COMMON)=1.25V のLVDS信号を入力は、
データシート (SLLS373L) の7.3 Recommended Operating Conditions (Page 4) を満たしており
問題ありません。

Figure 12. VIT+ and VIT– Input Voltage Threshold Test Circuit and Definitions の記載に関して、
ご認識の通り、7.3 Recommended Operating Conditions　|VID|と
7.6 Receiver Electrical Characteristics (Page 6) の VITH+, VITH に対する補足説明です。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

K2様

メーカに確認したところ、ファームウェアの問題のようでした。
しかし、近々修正する予定もなく、正しいファームウェアも提供することができません。
1chのみの使用とは思いますが、4chでの取得でご利用頂ければと思います。
ご不便おかけしますが宜しくお願い致します。

KJ

[KJ従業員]

K2様

弊社でも同様の現象が確認できましたので、メーカに対策確認中です。
お手数おかけしますが、もう少々お待ち下さい。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

K2様

ご投稿ありがとうございます。
現象を確認させて頂きますと、以下画面で1chのみを選択してもグラフ表示もなく、
csvでのデータ取得ができないということでしょうか？

お手数ですがご確認お願い致します。

KJ

[KJ従業員]

hi3807様

ご投稿ありがとうございます。
ご理解の通り、HDC1080とHDC2080は、電源電圧範囲が大きな違いとなっております。
その他の差異は、消費電流と高温時の湿度誤差です。
電圧条件が合うようであれば、HDC2080を推奨致します。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

K2様

ご連絡ありがとうございます。
なにかお伝えできる湿度に関する事例は確認してみます。
引き続きご評価のほど宜しくお願いします。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

Jimy_1983_1様

ご投稿ありがとうございます。
以下回答致します。

Q1回答
GNDは分離しているわけではございません。
TIDA-01573に記載されている意味としては、”GaN-FETのソース–>電源へのリターン”部へ短距離で
接続するということで、レイアウト図のFET(Q1)の2個GNDホールがありますが、この点が電源リターン
となり、LMG1020のGNDに配線しています。

Q2回答
(1)はい、Q1回答と同じになりますが、FETソースから電源RTNへ最短距離で太いパターンということになります。
(2)FETソース（表面パターンで接続）から2個のGNDは太く短く、ここにビアで２層目の信号GNDを接続し、
ここも太く短くということを推奨しています。2個のGNDビアを別々のGND層と接触ということではございません。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

K2様

FDC1004の評価ボードのセンサー部を切断した状態での測定とのことで、検出値としてはかなり小さな値と
思われますが、その値が温度を振った際に、データシート記載の
Figure 4. Gain Drift vs. TemperatureやFigure 5. Offset Drift vs. Temperatureのずれより
大きくなるのでしょうか。もし容量変化がその範囲内である場合は、ICの特性となりますので製品化前に
十分評価データを取り、ICの温度変動による変化量を補正するようなことをご検討頂けませんでしょうか。
ご提案となりますので、実現性を保証するものではないことはご了承ください。

また、少なからず外部(センサー)は環境変化による容量変化はございますが、そちらの補正はどのようにお考えでしょうか？
小さな容量変化を捉えることをお考えとのことですので、何らかの補正回路が必要になってくると考えます。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

K2様

ご投稿ありがとうございます。
以下回答といくつか確認させて頂きたいことがございます。

一般的な半導体と同様吸湿による信頼性の影響は受けますが、湿度による検出値の依存性はないと考えます。
温度については、データシートに記載のtcG(Gain drift vs. temperature)特性があります。

基本的にはICは外部(センサー)の容量変化を電気的に検出しますので、センサー側の環境変化の影響に大きく
左右されると考えます。
評価基板のみでも変化が発生とのことですが、センサー部無しの状態で測定されたのでしょうか。
もしくはTI評価ボードをご使用しての結果でしょうか。
http://www.tij.co.jp/tool/jp/fdc1004evm

センサー部の環境変化により影響を打ち消すためにはDifferential measurementsという手法がございます。
P5を参照ください。
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/snoa927/snoa927.pdf

また、小さな容量変化を捉えたいとのことですが、アプリケーションは近接アプリでしょうか。
もしくはターゲットは固定で環境変化による容量変化を測定されたいということでしょうか。
差し支えない範囲でお答え頂けますと幸いです。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

Osugi様

申し訳ございません、推奨値としてはデータシート記載の10~40pFとなっておりますので
8pFで問題なく使用できるかどうかの判断は致しかねます。
十分にご評価の上、使用可否の判断くださるようお願いします。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

Osugi様

はい、ご認識されている通りです。
水晶振動子から見た場合に、入出力端に接続される外部負荷容量や基板などの
寄生容量を含むトータルの容量範囲とお考えください。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

[KJ従業員]

KATANA様

ご投稿ありがとうございます。
以下回答致します。

データシートP.26の10 Power Supply Recommendations項目に
” There is no restriction on the power-up sequence.”の記載あるように
power-up sequenceに制約はございません。

因みに、レジスタ01hの4bit(PWDN)でパワーダウン制御が可能です。
電源投入後、PWDNはdefaultの”0″(power-up)に初期設定されますが、その後
PMDNを”1″に設定するとデバイスはパワーダウンし、パワーアップ時、
PWDNは”0″にとなります。
8.3.2 Default Device Configurationに記載されております
“power-down–power-up sequence”とは、上記の流れを示しています。

VDD,VDDOUTの投入順序は特にありません。
しかし、VDDOUTを最初に投入する場合VDDはフローティングにせずに
GNDレベルにしておくことを推奨しております。

以上、宜しくお願い致します。
KJ

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