フォーラムへの返信
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papiron様
回答が遅くなり、申し訳ございません。
MICRON製のNANDフラッシュ：MT29F1G08ABAEAについて以下回答させて頂きましたため、ご参照願います。
１．この製品の製造時におけるバットブロックは，およそ何％くらいでしょうか？
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本製品は、仕様上Bad Block数はおおよそ2％程度許容されております。
２．製品などに実装後，どのくらいの頻度でどの程度のバットブロックが発生しますか？
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温度環境やprogram方法にも依存いたしますが、
本製品のP/E cycle寿命指針に近づくと、訂正能力以上のbit errorが発生し、
出荷後発生Bad Blockになりやすくなります。
なお、本製品のP/E cycle寿命指針は100k[P/E cycle]となります。
３．バットブロックとは正常に読み書きできないブロックだと思いますが，
ハード的なメカニズムを教えてください。
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本NANDセル内にある酸化膜がprogram/eraseの繰り返しにより、劣化していき、
後にbit errorとして顕在化し、読み書きできない領域としてBad Blockの発生につながっております。
補足ですが、Endurance P/E cycle数を超えるとBad Blockになるわけではございません。
４．ECC機能はNANDフラッシュに実装されているものなのでしょうか？
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本製品に関しては、Non-ECCの製品になるため実装されているものではなく、Host側が実装するものになります。
５．ECCのやり方は，どのような方法となるのでしょうか？
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Hamming符号,Reed-Solomon,BCHにて実装頂けます。BCH符号方式がMicron製品の推奨実装方法になります。
詳細はテクニカルノートがございます為、営業担当までご連絡頂けますようお願い致します。
６．ECCに失敗すると，どのような方法でデータを確保するのでしょうか？
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基本的に実装された訂正能力以上のbit化けは回避できません。
そのため、NAND Flash単品を扱う場合Block管理等ケアし、使用する必要がございます。
例)ECC, Bad Block management, Wear leveling
注)’23年終息予定の製品になりますため、非推奨品になります。その点ご了承頂けますようお願い致します。papiron様
いつもお世話になっております。富士エレクトロニクス＠Micronです。
連絡が遅れて申し訳ございません。
NANDはデバイスにより、ECCやページサイズが異なっており、このスペックを守らないと
正常動作できません。恐らくWindowsCE側のデバイスドライバをMicronのスペックに
修正して頂く必要がございます。以上 お手数ですが宜しくお願い致します。
paprin様
対応が遅れて申し訳ございません。
下記の通り、回答させて頂きます。・バッド・ブロックとはどのようなものか？
回答⇒
NANDは使用しているうちに、メモリセルが壊れてゆく製品となります。
バットブロックは、プログラムや消去するとエラーが出るブロックで、
メモリ管理の対象から外す必要があります。
基本的には、バットブロックが出る前に、そのブロックに書いてある内容を空いている
ブロックにコピーしなおすなどのプログラム管理をユーザが、する必要がございます。・使用しているうちにバッド・ブロックが発生するものなのか？
→発生する場合，どのような要因が考えられるか？（読み込みだけで発生するのか？，書き込みをおこなうと発生？など）回答⇒はい。バッド・ブロックは使用してゆくうちに発生するものです。
読込みや書込み、経年劣化などで発生します。以上、お手数ですが、宜しくお願い致します。
tkn様
お世話になります。富士エレクトロンクスのMicron担当です。
連絡が遅れて申し訳ございません。このご質問につきまして、連絡させて頂きます。
引き合頂きました、製品はすでに製造中止となっております。
添付資料は、現時点で接続確認のできている、TIコントローラに接続できるメモリシーリーズの
一覧資料となっております。
お手隙の時に参照ください。※Micronは現時点で技術ラボのファーラムに参加しておりませんので、お手数ですが
追加で質問や、サンプル購入希望などございましたら、
下記のメールアドレスに連絡頂けませんでしょうか？以上、お手数ですが宜しくお願い致します。
引合い ありがとうございます。
動作温度が 0－95℃ でOKなら MT41K512M8DA-093:P を推奨させて頂きます。
本製品は、MT41K512M8RH-125 とピンコンパチであり、動作周波数は1066MHz 品ですが、
下位互換があり、800MHｚで動作させることが可能です。
