フォーラムへの返信
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emanon445様
お問い合わせ頂きありがとうございます。
仰せの通り、残念ながらWebench Clock ArchitectureはFLASHの停止に伴い、EOLとなりました。代わりのツールですが、入力周波数→出力周波数を自動的に作成するツール/デバイス選定ツールはないので、TICSPROにて、自分で周波数を確認する方法になります。
・TICSPRO(https://www.tij.co.jp/tool/jp/TICSPRO-SW)位相余裕や位相ノイズのシミュレーションには以下のツールをご使用いただければ幸いです。
・PLLatinum(https://www.tij.co.jp/tool/jp/PLLATINUMSIM-SW)以上、よろしくお願いいたします。
okuiutosa様
一点追記がございます。
Free Run ModeからGen-Lock Modeに戻さない場合、1080P59.9のHREFと148.35MHzは同期がとれません。
この場合、PLL1をロックさせないと言う指示を意味します。
Free RUN Modeにすると、ロック表示は常にロックと表示されます。以上、よろしくお願いいたします。
mtmt
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この返信は4 年前に mtmt さんが編集しました。
okuiutosa様
■頂いた波形からの考察■
頂いた波形から、1080p59.9の場合、HSYNCをトリガに148.35MHzクロックを観測すると、
流れてはいないがクロックの遷移タイミングが一定の範囲で、前後にずれていると推測します。
ジッタが観測されていると思います。予期される結果です。
LMH1983は入力ビデオに含まれる低周波ジッタを除去した後、148.35MHzクロックを生成するので、両者の間には、除去した分のジッタが観測されます。一方、720p60をリファレンスとした場合、HSYNCをトリガに148.35MHzクロックを観測すると、波形は流れます。なぜなら、720p60と整数関係にあるクロックは148.5MHzクロックで、148.35MHzクロックは1/1.001ずれます。オシロで観測すると流れます。
720p59.9を入力にすると、1080p59.9の時と同じ結果になるはずです。■追加質問■
レジスタ設定に関し、確認致しますが、使用方法はGENLOCKとなりますが、
前述の初期化後、GENLOCKに戻すということで宜しいでしょうか。■回答■
その御認識で問題ございません。「5.」の内容の後、Free Run Modeから御使用のGENLOCKにお戻しいただければ幸いです。さらに詳細な内容に関しましては御購入先の代理店様から確認頂けますと幸いです。
またE2Eという英語ですが質問可能なフォーラムもございますので、こちらも併せてご検討いただければ幸いです。以上、よろしくお願いいたします。
mtmt
okuiutosa様
ご連絡頂き、誠にありがとうございます。
■依頼事項1■
「LMH1983が出力するCLKOUT3(PLL3_148.35MHz)を観測するとクロックが揺れています。」
とございますが、こちらの波形取得を送付頂くことは可能でしょうか？
また、波形に関してはオシロの重ね書きで線が太く見えるような形でしょうか？■依頼事項2■
CLK3の出力に関しては、データシート記載が分かりにくいかもしれませんが、
下記手順でレジスタ設定を実行することにより、 PLL3 CLK出力のDuty崩れを防止(初期化)が可能になります。
こちらのレジスタ設定も一度確認頂けますでしょうか？
1．Power Up
2．ソフトウェアリセット ADDR 0x05 [7] = 1
3. クロスポイントスイッチの設定変更
ADDR 0x09 [3:0] = 0010’b
ADDR 0x09 [3:0] = 0000’b
4．PLL1をFree Run Modeに設定
REG 0x05 [4:3] = 00’b //PLL1 : Free Run mode
5. TOF3のAlignment Mode設定変更
初期値 -> Always Align -> Wait -> 初期値(Never Align)
ADDR 0x13 [5:4] = 10’b //TOF3 : Always Align
Wait 500ms (More than 2 output frame period)
ADDR 0x13 [5:4] = 11’b // TOF3 : Never Alignまた、波形等に関してコンフィデンシャルなことを含む場合、直接やり取りさせて頂くことも可能と存じます。
弊社の営業から連絡させていただければと存じます。以上、よろしくお願いいたします。
mtmt
お問い合わせ頂き、ありがとうございます。
■ご質問1■
Decayは３つのモードを選択出来るようですが、どの様なもので、設定によりどの様に影響するものでしょうか？■回答1■
以下データシートP12記載の通りになります。
Ilimitに到達後、設定された、Decayのモードになります。
＜データシートP12記載＞
Once the chopping current threshold is reached, the H-bridge can operate in two different states, fast decay or slow decay.
各Decayモードの詳細は以下のリンクを参照頂けますと幸いです。■ご質問2■
ISEN*の抵抗と、*VREFの抵抗の値によりモータの定格電流を設定することは分かったのですが、
いくつを設定すれば良いのかいまいち理解できません。
以下の定格モータの場合、どの様な抵抗値にすればよいでしょうか？
・定格電流1.6A
・定格電流1.0A■回答2■
Ichop=VREF/(5×RISENSE)となります。
使用する、抵抗とVREFの分圧に依存します。
1.6A= VREF/(5×RISENSE)で求めて頂ければと思います。
抵抗の放熱性等を考慮した値、システム設計内容なので、御社でお考え頂きますようお願いいたします。■ご質問3■
nENBL信号とnRESET信号の動作の違いを教えて下さい。
・nENBLはSTEP入力を無視するだけでモータの励磁は保持される。
・nRESETはモータの出力をOFFしモータフリーの状態になる。
上記の様に理解しているのですが間違っていますか？
マイコンで制御しようとしていますが、止まっている間は発熱を抑えるためにモータへの励磁を切りたいです。
その場合はnENBLはlowで、nRESETもlowとすればよいのでしょうか？■回答3■
データシートP17記載の通り、nENBL=Highならば、出力のHブリッジは全てHizとなります。
このため、励磁は保持できません。STEP入力を無視するは御認識の通りです。
内部LDOのV3P3、チャージポンプ、内部クロック動作中です。
nSleep=Lowならば、スリープモードに入ります。
出力のHブリッジは全てHiz、内部LDOのV3P3は停止、チャージポンプと内部クロック動作も停止します。
低消費動作になります。モータの励磁だけを切るなら、nENBL=Highでも特に問題ないと存じます。
実際の動作を確認頂ければ幸いに存じます。■ご質問4■
nENBL信号は、電源投入後に常にモータ制御を有効にしたい場合はlowにしておけばいいでしょうか？■回答4■
はい、その認識で問題ありません。■ご質問5■
nRESET信号は、電源投入後に常にモータ制御を有効にしたい場合はHiにしておけばいいでしょうか？
モータの励磁を切るためにリセット状態にした後、再度移動開始した場合はリセット前の励磁位置から行いますか？
固定の位置（A相+,B相+)になってしまいますか？■回答5■
常に動作にする場合は、仰せの通り、nSleep=Highになります。
モータの励磁を切るためにリセット状態にした後、再度移動開始した場合はリセット前の励磁位置から行いますか？
固定の位置（A相+,B相+)になってしまいますか？
→こちらの意味が理解できず申し訳ありませんが、一度停止した後の動作開始でしょうか？それであれば、リセット前の励磁位置から開始になります。
ただし、励磁をしていない状態で物理的に動作をして動作させた場合には、当然ながら物理的に動作した状態になります。■ご質問6■
nHOME信号とは、モータの電気角が基準位置になったらHIになるものと理解したのですが、
何のために使用するのでしょうか？■回答6■
ホームポジション検知用のフラグに使用します。抵抗定数の推奨は回答いたしかねることご了承頂きたく存じます。
理由としまして、電源保護に関しましてはシステム設計の内容であることと、抵抗損失による発熱の懸念もあり、ホットスワップデバイスを推奨していることが理由になります。
このため、実機にて確認頂きたく存じます。
以上、よろしくお願いいたします。御返信頂き、誠にありがとうございます。理解いたしました。
仰せの通り、電流制限を含めて以下になるかと存じます。
①電流制限に関して、仰せの通り抵抗で制限をする
②ショート電流が対応できるように、トランスの定格を大きくする
③150mA程度で電流制限がかかるLDOを使用する■各内容に関しまして■
①ISO3086のVCC2(バスライン電源側)電流制限に関して、抵抗を使用すると常時発熱になるかと存じます
この場合、使用する抵抗のW数とパターンに依存すると存じます
②ショート電流まで流せるように、定格の大きいトランスを使用する
③TPS7A05等に関しまして、仰せの以下のLDOでもTYP450mAとなります。
他のLDOでTLV717P等もございますが、TYP値とMAX値の規定がないため、判断は難しいかと存じます。
http://www.ti.com/jp/lit/ds/symlink/tps7a05.pdf
http://www.ti.com/jp/lit/ds/symlink/tlv717p.pdfその他の内容としまして、ホットスワップデバイス等は如何でしょうか？
TPS22946等であれば、30mAの設定も可能かと存じます。
http://www.ti.com/jp/lit/ds/symlink/tps22946.pdfご連絡頂きありがとうございます。
弊社の理解不足で申し訳ございません。
パルストランスとありますが、Typical Application CircuitでのX-FMRになりますでしょうか？
電源トランスのイメージでしょうか？
この場合、後段にLDOを接続した場合、電流制限のかかるLDOであれば制限にはなりますが、この方法ではないという認識でしょうか？■ご質問1■
RCA,RCB,ISENA,ISENB,CP1,CP2,VCPにかかる電圧はそれぞれ何Vでしょうか。（Vcc：5V、VMA,VMB：24V）■回答1■
CP1とCP2はVM電圧を基準とした定格を考えて頂く内容となります。
今回VM=24Vならば、FastDecayの場合にVM電圧が回生等で跳ね上がることを含めると、VMの2倍耐圧があれば特に問題無いと存じます。
VCP-VM間はチャージポンプ電圧は最大12Vとなります。こちらを基準とした定格を考えて頂く内容となります。
少なくとも16V以上の耐圧は必要となります。推奨は25V耐圧品でご考慮頂けますと幸いです。
ISENAXピンに関しては、–0.875V～0.875Vの絶対最大定格範囲になります。Ichop×シャント抵抗分で電圧になります。
データシートの式(1)を記載頂けますと幸いです。
RCAとRCBはデータシートFigure 8. PWMの記載の通り、Vcc×0.6=RCXの記載がございます。
Vcc=5.5V(MAX)のため、6.3Vの耐圧があれば特に問題無いと存じます。直流バイアスと温度特性を含めて、コンデンサ値を想定頂ければ幸いです。■ご質問2■
ISENA,ISENBピンにコンデンサを取り付ける必要はあるのでしょうか。
コンデンサを取り付けた場合どのような影響があるのでしょうか。
現在0.1μFと0.47μFの2つのコンデンサをISENA,ISENBピンそれぞれに取り付けており、
外しても問題ないものなのか検討しています。■回答2■
コンデンサを追加するとシステムコストが増加するので、ノイズの問題がなければISENSEXピンにコンデンサを追加する必要はないと存じます。
コンデンサを追加は、レイアウトが不適切になることによるノイズ結合や、小型ボード上の複数のDRV8818など、状況によっては役立つことがあります。
(レイアウトや使用環境に依存します)
コンデンサを追加する場合は、0.1uFのコンデンサで十分と存じます。■ご質問3■
P1,CP2とVCPピンに取り付けるコンデンサについて、データシートには0.22μFと書かれていますが場合によっては
その他の静電容量のコンデンサを取り付けることもあるのでしょうか。また、そうした場合どのような影響が出ることが考えられますか。
現在2箇所とも0.1μFのコンデンサを取り付けており、0.22μFに変更するべきなのか検討中です。■回答3■
CP1～CP2端子間、Vcp～電源間には0.22uFを大きく外れる値は推奨しておりません。理由として、チャージポンプのコンデンサのためです。
最初にVM端子電圧でCP1～CP2端子間のコンデンサに電荷をチャージします。次にそこでためた電荷をVcp～電源間のコンデンサに足してハイサイド用の電源とします。
このため容量値が重要です（Q=CVの法則となります）。0.1uF*2個（0.02uFの差）ならば影響はでないと存じます。
+/- 50%までならば動作はすると想定されますが、可能な限り0.22uFを逸脱しない範囲(0.1uF*2個程度で)使用することを推奨しております。ご連絡ありがとうございます。
承知いたしました。御返信ありがとうございます。
逆起電力等は、インダクタンス値に依存、デバイス外のシステム設計に依存した内容になります。
正直なところよくあるかはお応えできない内容になります。
恐らくLS(リレーのコイル部でしょうか？)が。かなりL値が大きい可能性がございます。
抵抗で消費させた場合、瞬間的な電流とはいえ、放熱パターンと使用する抵抗に依存すると存じます。
本来はスイッチング周波数を高くして、ON時間を短くする、TON時間を短くする等が対策になりますが、残念ながら、DRV110はどちらも劇的に数値を変更することができません。
他の方法はL値の小さい物を使用する等になるかと存じます。上記を踏まえて二点程ご確認頂きたいことがございます。
・フライホイールダイオードD1のみを残し、D5とVS1を外しても同じでしょうか？
→D1のみの還流で消費が足りないかをさらに切り分けする意図がございます。
・LSのインダクタンス値を小さくしても同じことになりますでしょうか？以上、よろしくお願いいたします。
ご測定頂き、ありがとうございます。
一点ご確認頂きたいのですが、
ROSC=160kohm(PWM=25kHz)の場合も同等の条件になるかをご確認頂くことは可能でしょうか？
Minimum PWM duty cycle＝7.5%, ON時間が7.5%は最低条件のため、PWM周波数を大きくすることで、最小ON時間を短くした場合の内容確認になります。
誠に恐れ入りますが、ご対応頂けますと幸いです。ご測定頂き、誠にありがとうございます。
Hold端子電圧ですが、プローブは等倍で電圧は1.0Vということ承知しました。
お手数ではございますが以下のPeak電圧も含めてご測定頂けませんでしょうか？
・CH1:Peak端子電圧
・CH2:Sense端子電圧
・CH3:ソレノイド電流波形
ご確認ではございますが、本件発生している基板は全数になりますでしょうか？
誠に恐れ入りますが、ご対応頂けますと幸いです。お問い合わせ頂きありがとうございます。
また、返信が遅くなりまして、申し訳ございません。
CinはVinのデカップリングコンデンサになります。
電流制限抵抗とCinがターンオン電圧の上昇を設定します。
このため、Iholdに影響することは考えにくい存じます。
外部電源のノイズがそれほど大きくない場合は、ランプアップ電圧を極端に遅くならないようにするために、
Cin=1uFを推奨しております。
Iholdが設計値200mAに対して、実測値は100mAということですが、以下を御展開頂けませんでしょうか？
・電流波形
・Hold端子の電圧、Sense端子の電圧 -
この返信は4 年前に