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maida様
御問い合わせ頂きましてありがとうございます。
御認識の通りに相違ございません。R11の両端に正弦波を注入し、その周波数をスイープすることでボード全図が描かれます。以上、宜しくお願い申し上げます。
Polnarefmaida様
回答が遅くなりましたこと、御詫び申し上げます。
メーカーの回答では、ハイサイドFETのゲート電荷は約10nCとのことです。御参考になれば幸いで御座います。
以上、宜しくおい願い申し上げます。
Polnarefmaida様
回答に時間を要しており、大変申し訳御座いません。
こちらに関しましてもメーカーへ回答を督促しております。今暫くお待ちください。Polnaref
maida様
回答に時間を要しており、大変申し訳御座いません。
メーカーへ回答を督促しておりますので、今暫くお待ちください。Polnaref
maida様
御問い合わせ頂きましてありがとうございます。
データシート内ではCssの上限に関する規定の旨は記載されておりませんが、念のためメーカーへ確認させて頂きたく存じます。Polnaref
maida様
御問い合わせ頂きましてありがとうございます。
メーカーへ確認しておりますので、回答まで暫くお待ち頂きたく存じます。以上、宜しくおい願い申し上げます。
Polnarefmaida様
TINA-TIでのBode Plotのシミュレーションに関しまして、対応したSpice-modelが無い為、申し訳御座いませんがTINA-TIでは確認することは出来ません。
TPS53355/TPS53319はD-CAPと呼ばれるトポロジを採用しており、データシートにも記載されております通り、位相補償に関しまして特段の対策は不要(no need for compensation.)です。
位相余裕の測定にはFRAを用いるのが一般的ですが、負荷電流の過渡的な変動における出力電圧の「跳ね上がり」から、電源回路の位相余裕を推察することが可能です。
詳しくは下記URLのp67を御参照ください。
https://www.ti.com/seclit/ml/slyw038c/slyw038c.pdf御参考になれば幸いで御座います。
今後とも宜しくお願い申し上げます。Polnaref
maida様
投稿頂きましてありがとうございます。
>> スイッチング周波数を、例えば400kHzと500kHzの間の450kHzに設定したい場合、
>> WEBENCHでは、どのように設定すれば実現できますでしょうか?
⇒申し訳御座いませんが、WEBENCHでは対応致しかねます。
評価ボード等にて御確認頂きたく存じます。>> 8通りの周波数以外の周波数も設定できるのではと思っておりましたが、
>> TPS53355で設定できるスイッチング周波数は、table1に記載されている8通りのみでしょうか?
⇒当デバイスのスイッチング周波数は外付け抵抗と接続先にて調整できるため、御推察の通り
抵抗値を変更することで任意の周波数に設定することは可能です。
但し計算式が公開されていない為、御不都合が無ければ表中の値にて御使い頂きたく存じます。今後とも宜しくお願い申し上げます。
Polnaref
maida様
投稿頂きましてありがとうございます。
>> Rrfとスイッチング周波数の関係式を教えて頂けないでしょうか?
申し訳御座いませんが、データシートに記載されていない以上、非開示の情報との扱いとなります。>> webenchでTPS53355を使用した回路を設計する場合のスイッチング周波数の変更方法を教えてください。
WEBENCHのCUSTOMIZE画面にて、回路図左側に御座います[Configuration Options]枠内、[User Preferred Frequency]ボタンをONにしてください。その後、[REDESIGN]をクリックすることで、回路図上のRF端子に抵抗が追加され、新しく設定された周波数に則った結果が表示されます。御参考になれば幸いで御座います。
今後とも宜しくお願い申し上げます。Polnaref
aikawa様
>> サポート外という認識でよろしいでしょうか?
はい、その御認識で結構です。WebenchのTopページにおける入力電圧範囲は0V~1000Vとなっており、
負電圧の入力は対応できなくなって御座います。今回の内容はメーカーへ報告させて頂きます。
今後とも宜しくお願い申し上げます。
Polnarefaikawa様
投稿頂きましてありがとうございます。
申し訳御座いませんが、Webenchは未だ負電圧入力には対応していない為、WebenchでTPS7A3001の諸特性は確認することは出来ません。
御不便をお掛けしまして申し訳御座いません。TPS7A3001は御指定の条件におきまして、Spec上、問題無く御使い頂けます。
今後とも宜しくお願い申し上げます。
Polnarefkanon01様
御問い合わせ頂きましてありがとうございます。
当方と致しましても、これまで経験のない入出力条件の為、適切な回答が難しい旨、御了承下さい。御推察の通り、入力電流が100A程度となる為、FETでの発熱を如何に分散させるか、が設計のポイントになると考えます。
インターリーブではFETが2個のため、かなり大がかりな放熱対策を要すると思われます。フルブリッジコントローラUCC28951は如何でしょうか?
http://www.tij.co.jp/product/jp/UCC28951
別途コントローラ用電源とトランスが必要になりますが、出力側の同期整流制御機能も内蔵しているため、効率は上げられると思います。FETドライバですが、入力側FETのスイッチングにはUCC27712、出力側同期整流のFETにはUCC21530が宜しいかと存じます。
http://www.tij.co.jp/product/jp/UCC27212
http://www.tij.co.jp/product/jp/UCC21530御検討頂けましたら幸いで御座います。
PolnarefUMA様
はい、ダイオードエミュレーションモードを含んだ軽負荷動作の一環とお考えください。
通常、軽負荷時には効率が極端に低下致します。その際にはまずDutyを絞りますが、それでもVoutが低下しなければ
スイッチング周波数を低減します。
スイッチング周波数が下がることにより、自己消費電力が低下、軽負荷時の効率が向上致します。軽負荷時のVoutは、凡そCoutでのみ保持されるため、Coutの値を変更することで「歯抜け」の様子も変化すると思われます。
Polnaref
UMA様
御投稿頂きましてありがとうございます。
回路図、及び各波形を確認していない為、明確な回答をすることが難しいですが、軽負荷時に移行する「ダイオードエミュレーションモード」になっているものと思われます。
LM25117には、軽負荷時の損失を低減するためにLow側FETのスイッチングを止め、ボディーダイオードのみでフライホイール電流を流すモードが御座います。
Voutが0Vまで低下するのは、Vout(0.24V)がFETのボディーダイオードのVfよりも低く、ボディーダイオードがONにならない為と考えられます。
また、LM25117だけでなく、周辺素子(FETやCout,L等)の特性が顕著に影響するため、個体によって挙動が変わってしまう可能性が御座います。Polnaref
shigure様
キーサイト社のHPにBackdrive Voltageの概要が御座います。
https://www.keysight.com/main/editorial.jspx?cc=JP&lc=jpn&ckey=1764803&id=1764803
コンプライアンステストの定義及び方法に関しましては、規格書を御読み頂くか、規格認証機関又は規格に準拠した測定器のメーカーへ御問い合わせ頂きたく存じます。ちなみにDPをプルアップする1.5kΩの抵抗は、前述のUSB2.0規格書7.1.5.1項にて指定された値の為、値の変更や抵抗の除去は出来ないものと思われます。
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