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kk5533
本件各種ご確認下さりありがとうございます。
出力電流の仕様としては50Aの認識で正しい(アプリケーションノートの表記通り)事を
確認致しました。
追加にてご確認並びにご質問いただいた内容について確認を取らせていただきます。
また、出力電流仕様確認時、下記内容についてコメントがございました。
念のためご確認頂ければ幸いです。コメント：
PFCを介して本EVMへDC375Vを供給いただいているとお伺いしておりますが、
こちらDC電圧にノイズ等は入っておりませんでしょうか。
またもし動作上でノイズ等が懸念される場合、
お手数をお掛けし申し訳ございませんが、
評価ボード上のR10, R11, R16, R17部分に
0.022uF程度のコンデンサを追加いただき動作確認いただけないでしょうか。(原文)
We are adding 0.022uF capacitors across the primary MOSFET gate to source resistors, R10, R11, R16 and R17 which has been confirmed with the assembly contractor.Undertale
kk5533様
ご確認並びにテスト条件をご連絡下さりありがとうございます。
アプリケーションノート上、50Aのご認識で正しいと考えます。
念のためこちらに関して確認し折り返しご連絡致します。また動作確認時の電圧印可順序をお伺いできますでしょうか。
アプリケーションノートP10 Power On/Off Procedure記載の下記内容より入力電圧印可後に
Bias電圧を印可いただく事を推奨させていただいております。
またこちらの立ち上げ順序に反する手順は無いかも合わせてご確認頂ければ幸いでございます。The EVM was not designed to startup from 0-V input voltage.
Please make sure the input voltage is inbetween 370 V and 410 V before applying the bias voltages.Undertale
kk5533様
本件ご連絡下さりありがとうございます。
すでにご確認いただいております下記アプリーションノートP6 Electrical Performance Specifications
記載内容のうち、動作範囲を超える使用条件はございませんでしたでしょうか。
http://www.tij.co.jp/jp/lit/ug/sluub02a/sluub02a.pdf入力側のDC input voltage rangeとMaximum input currentスペック等についてご確認下さい。
また、可能な範囲にて入力いただいている電源仕様及び
接続いただいている電子負荷型名、配線状況についてご教授頂ければ幸いでございます。
宜しくお願い致します。Undertale
kk5533様
UCC28950が従来のハードスイッチングに対応しており同タイミング動作可能か否かについて確認させていただいたところ、
動作可能とのことでございます。
ただしDmaxでの連続動作となり、デューティサイクルが固定されますので、出力電圧の調整ができない動作状態となります。
また、前述させていただきました背景でハードスイッチング動作ですと、特に高入力電圧での損失が大幅に増加致します。
変換効率の低下及びスイッチの熱損失増加についてもご留意ください。
宜しくお願い致します。Undertale
kk5533様
お問い合わせ下さりありがとうございます。
ご記載ご理解いただいております通りシフト動作させる利点は効率(スイッチングによるロス)を抑える点が挙げられます。
ハードスイッチング方式の場合、対になるスイッチが同時にONし1次側トランスに電圧が印可され、
2次側へ電力が伝達されます。
一方で、位相シフトを利用した場合、対になるスイッチが互い違いにスイッチングしデューティ50％動作致します。
その結果、ZVS動作が実現されスイッチングロスを減らすことが可能となっております。UCC28950が従来のハードスイッチングに対応しており同タイミング動作可能か否かについては
別途確認し折り返しご連絡させていただきます。Undertale
astro383様
お世話になっております。
本件以下に回答させていただきます。【回答】
ICCSTATはICC800に含まれております。最大消費電流値の参考としてはICC800 =111mA_maxをご使用下さい。何卒よろしくお願い致します。
Undertale
astro383様
本件お問い合わせ下さりありがとうございます。
ご質問頂きました件に関しまして確認後折り返しご連絡致します。
何卒よろしくお願い致します。Undertale
demio様
本件お問い合わせ下さりありがとうございます。
1点ご確認いただきたく、Vcc電圧4.5V条件で信号入力の電圧を4.5V以下にて
動作状況をご確認いただけますでしょうか。
データシートの電気的特性に近い形で念のためご確認いただきたく
お手数をお掛けしますが何卒よろしくお願い致します。Undertale
いつもお世話になっております。
お問い合わせありがとうございます。2つのメモリコントローラに対し1つのTPS51200で動作させた
実績はございます。
注意点と致しましては2つ分の負荷電流となりますので
電流値のご確認をお願い致します。以上
宜しくお願い致します。astro383様
いつもお世話になっております。
本件確認させていただきましたが、
TTLOUT(5pin)のインピーダンスはスペック規定がなされていないとのことでございます。あくまで参考値とはなりますが設計ターゲット値(シミュレーションモデル登録値)は
20ohmとなっております。
上記は動作条件により変動致しますのでご留意下さい。以上
宜しくお願い致します。telekinesis様
いつもお世話になっております。
ご確認ご返信下さりありがとうございます。
PCのUSB typeC端子についてのお問合せとなる為、
下記URLのインタフェースに関するお問合せフォーラムへ
移動させて頂きました。https://emb.macnica.co.jp/forums/topic/5018/
お手数をお掛けしますが上記URLをご確認頂ければ幸いでございます。
以上
宜しくお願い致します。telekinesis様
いつもお世話になっております。
USB2.0 specification等を調査させて頂きましたが、
以下ご記載頂いているHi-Z期間に関する情報を見つける事ができませんでした。
お力になれず恐縮ではございますが、ご了承頂けますと幸いです。＞デバイス未接続の状態で、50Hz電源ノイズを利用してD+の状態を確認した所
＞添付図のようにVbus接続後100msec程度はプルダウンしているのですが、
＞その後HiZが始まり、約0.85sec後に一度HiZを止めプルダウン
＞次にHiZを再開し、Vbus接続後2.29sec後にHiZを終了させる挙動を示しています。
＞この図ではVbus接続後2.29secでHiZを終了させているのですが、PCとの組み合わせによってはVbus接続後3.34秒間HiZとなるものもあり
＞このHiZ期間について明確な規格があれば知りたい所存です。以上
宜しくお願い致します。telekinesis様
いつもお世話になっております。
1月22日にご返信頂いた内容について以下に回答を記載させて頂きます。(お問合せ)
この0.9secというのは,BQ24297において
・0.5sec間DCD回路形成&判別⇒0.4secで内部処理(DCD合計で最大0.9sec)⇒ primary detection or non-standard
adapterとしてREG08[7:6]に00書き込み
もしくは
・DCD開始からprimary detection,全てのポート判別が完了しREG08[7:6]にポート種類書き込み
までが最大0.9secということでしょうか(回答)
DCD開始からprimary detection,全てのポート判別が完了しREG08[7:6]にポート種類書き込み
までが最大0.9secとなります。(追加お問合せについて)
こちら波形及び状況をご教授下さりありがとうございます。
ハブをPCに繋いでからD+,D-がハイインピーダンスとなる期間について、
Vbus立ち上がり後何msec以内にプルダウンしなくてはならないといった規格値等があるか否か
確認を取らせて頂き折り返しご連絡させて頂きます。また、追記頂いたお問合せについて以下に回答をさせて頂きます。
(お問合せ)
Vbusの立ち上がり後、200ms(Typ)でDCDを開始することについて、
この200msecの間は内部で処理を行っているのでしょうか？(回答)
こちらはVBus立ち上がり後、内部のREGN LDOを起動する時間となっております。
その為、申し訳ございませんが200ms(typ)より短い時間での立ち上げができない仕様と
なっております。以上
宜しくお願い致します。telekinesis様
いつもお世話になっております。
二つ目(1月17日)に投稿頂いた内容について以下に回答を記載させて頂きます。(お問合せ1)
本ICについて、USBを接続し、D+,D-Vbus,GNDが接続した後
Vbus立ち上がりから何msec後にREG08[2] goes HIGHとなるのでしょうか？
また、データシートのp19よりVbus立ち上がり⇒REG08[2] goes HIGH⇒ Vbus立ち上がりかつREG08[2] goes HIGHで
「Turn on D+ IDP_SRC and the D– pull-down resistor RDM_DWN for 40 ms」が作動するという認識でよろしいでしょうか。(回答1)
Vbus立ち上がりから250msec(typ)にてREG08[2] goes HIGHとなります。
またご記載頂きました、”Vbus立ち上がり⇒REG08[2] goes HIGH⇒ Vbus立ち上がりかつREG08[2] goes HIGHで
「Turn on D+ IDP_SRC and the D– pull-down resistor RDM_DWN for 40 ms」が作動する”
という認識でお間違えございません。(お問合せ2)
BQ24297のデータシートp19のData Contact Detectionについて、
Detect VBUS present and REG08[2] = 1 (power good)
• Turn on D+ IDP_SRC and the D– pull-down resistor RDM_DWN for 40 ms
• If the USB connector is properly attached, the D+ line goes from HIGH to LOW, wait up to 0.5sec.
について、本来のBC1.2ではDP側定電流源接続＋DM側プルダウンさせ300~900msecの間に10msec以上D+が0~0.8Vとなれば[SDPorCDPorDCP] と判定となっていると思うのですが、
このデータシートの記述は間違っているのではないでしょうか？
恐らく、
D+ IDP_SRC and the D– pull-down resistor RDM_DWN ⇒
D+が0.5sec以内に40msec期間以上LOで[SDPorCDPorDCP] と判定
が正しい記述になると思うのですが、
Data Contact Detectionについて正しい方法、規格のご確認をお願いします。(回答2)
データシート記載内容が混乱を招く表記となっており申し訳ございません。
BC1.2の仕様については記載頂いたご認識の通り考えます。
データシート中の0.5sec記載箇所については、D＋/D-ワイヤが差し込まれ、0.5secのタイマーが
切れていない事を検出した場合、Primary detection(SDP or CDP or DCP検出)へ進むことを指しております。(追加のお問合せに関しまして)
1月22日にご返信頂いた内容及び波形を添付頂いた内容については確認後折り返しご連絡させて頂きます。
可能でございましたら波形を添付頂いた投稿についてFig1波形及びハブのご仕様を合わせてご教授頂ければ幸いでございます。以上
宜しくお願い致します。telekinesis様
いつもお世話になっております。
一つ目に投稿頂いた内容について以下に回答を記載させて頂きます。(お問合せ)
TI製充電IC BQ24297について、お伺いしたいのですが
USB接続時の自動データコンタクト検出は規格上Vbusの立ち上がり後何msec後に実施しているのでしょうか？
おそらく、BQ24297では220msec後だと思うのですが、他社製ICでは30msec程度で実施しているものもあり
正確な規格のご教示をお願いします。
また、特定のPC＋特定USBハブにおいて、BQ24297のDCDタイミングでハブのD+がハイインピーダンスとなり
DCDが正常に行えない問題が発生しております。
この問題について、データコンタクト検出で[SDP,CDP,DCP]以外のポートと検知した場合には
2sec後にREG07のIINDET_EN機能で
再度ポート判別を実施することで対策とするつもりなのですがこの機能について、注意点や問題点などはございますでしょうか？(回答)
Vbusの立ち上がり後、200ms(Typ)が設計ターゲット値となっております。
検出完了時間については、最大で0.9secかかる仕様となっており、
現在ご対応頂いております2sec後にREG7のIINDET_EN機能を使用し、
再度ポート判別を実施する対策で問題無いと考えます。
お手数をお掛けしますが現行の対策方法にてご対応頂ければ幸いでございます。以上
宜しくお願い致します。
