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ご回答ありがとうございます。
メーカーより回答がありましたら
ご連絡よろしくお願いします。以上、よろしくお願いします。
負荷電流は添付波形の 桃色波形 になります。
その他の波形は上記と同様です。また、負荷により測定した結果は下記になります。
・無負荷の時 → 発生無し
・定電流負荷の時 → 発生以上、よろしくお願いします。
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ご回答ありがとうございました。
上記回答にて解決いたしました。
ご回答ありがとうございました。
Fswに関しては、IC仕様下限である 100kHz付近に設定しているため、変更できませんが
LやCoutを少し大きくし、マージンを持たせたいと思います。以上、ありがとうございました。
上記、いかがでしょうか?
ご回答ありがとうございます。
磁気飽和時とは、インダクタンスの磁気飽和により電流が制限されずに跳ね上がり
ショート保護動作に引っかかるという認識であっていますでしょうか?また、右半面ゼロの資料ありがとうございました。
資料で計算しますと、引っかかっている可能性はあると思いました。しかしながら、今回の場合IS端子につけるセラコンの容量を
0.01uF から大きくすることで現象が発生しなくなる点との接点が今一つわかりかねました。
どういうつながりがあると考えられますでしょうか?以上、よろしくお願いします。
ご回答ありがとうございます。
最大電圧のかかる時間を確認いたします。先ほどの投稿における、ノイズレベルですが
規格-0.4Vに対してノイズレベルが -0.6V ですが
こちらにも時間による定格があるのでしょうか?以上、よろしくお願いします。
ご回答ありがとうございます。
ショート保護においてブランクアウト時間を無視できるということでしょうか?
原因として、右半面のゼロというのはどういうことでしょうか?
詳しく教えていただけたらと思います。以上、よろしくお願いします。
ご回答ありがとうございます。
そうした場合、添付波形(青色:Vgs/水色:Isen)のように異常発振している理由として
Isen端子電圧によるものではないと考えられるということになるのでしょうか?個人的には、異常発振の発生タイミングにおいて電圧が Vsen + Vsl(typ.92mV)を超えているため
これが影響していると思っておりました。。。これらを踏まえ、原因は何だと考えられるでしょうか?
以上、よろしくお願いします。
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すみません、1点確認なのですが
Vsl電圧(内部補償ランプ電圧) 以上のノイズが入ってきた際には
ブランクアウト時間を考えずICをリセットすると思っているのですが、間違っていますでしょうか?間違っていた場合、最小ON時間とブランクアウト時間はは形状でも一致するはずでしょうか?
以上、よろしくお願いします。
ご回答ありがとうございました。
波形が乱れているのは寄生容量と寄生インダクタンスによるもの
ということなのですね。今回の異常発振の原因は
波形の乱れにより、Isen端子電圧にかかるノイズレベルが、ラッチ閾値を超え発生したものと考えられました。ありがとうございました。
ご回答ありがとうございます。
つまり、Isen端子容量を大きくしたことで、安定的な動作となったということでしょうか?
>>Vinそのものが低下しているのではないでしょうか?
添付①の波形にVin端子とIsen端子電圧を示します。Vin端子電圧は影響していないと考えます。また、Isen端子容量を大きくすると添付②の波形のように
Isen端子電圧に急峻な変化が起こらなくなります。この改善は、動作の安定性によるものなのでしょうか?
以上、よろしくお願いします。
(3枚目の画像は誤って添付してしまいました。無視して考えてください。)
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電流検出のスロープに対し余裕ができたというのはどういうことでしょうか?
また、容量が低い場合添付波形のように、FETの起動時、停止時にIsen端子電圧が急峻な変動を起こします。
これはどういったことによるものなのでしょうか?
(青色:Vgs / 水色:Isen端子電圧)ご回答いただけたらと思います。
以上、よろしくお願いします。
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ご回答ありがとうございます。
データシートのご指摘箇所を参考にしたところ、
正常動作として確認が取れました。ちなみに、 156mVというのは デューティー変動の変化が小さくなる領域になる際の
Isen 端子電圧という認識であっているのでしょうか?以上、よろしくお願いします。
入力電解コンデンサを 1500uF → 2000uFまで上げてみましたが
効果がみられませんでした。また、サブハーモニック現象について
データシートより算出した 値が 0.047 << 1 ということで十分マージンを持っていると思われるため、
サブハーモニック現象が原因ではないと思われます。
ちなみに定数としては Fs=120kHz , L=15uH , Rsen=10mΩ です。現在、Isen端子の容量 Csn=0.01uF 大きくすると改善がみられる状況です。
Csnの容量0.047uFを使用しようと思っているのですが、問題はありませんでしょうか?また、今回の内容も踏まえ原因は何が考えられるでしょうか?
以上、よろしくお願いします。
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