フォーラムへの返信

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  • 返信先: TPS3703-Q1のRSENSE計算について #17825
    William
    William
    従業員

    トピックを閉じる処理は弊社で行う仕様に変更させて頂きましたのでそのままにして頂いて問題ございません。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    William

    返信先: TPS3703-Q1のRSENSE計算について #17823
    William
    William
    従業員

    回答が遅くなり申し訳ございません。

    TI社に確認しましたところ、Rsenseの最小値はThreshold Optionにかかわらず、3.33MΩより小さくなることはないということでした。

    そのため、データシート(Ver.SBVS344D)のページ20にありますFigure 9-4の回路構成を使用される場合は、Rsense値の最小値が3.33MΩになることを前提にInaccuracy(不正確さ)を計算していただけますでしょうか。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    William

    返信先: TPS3703-Q1のRSENSE計算について #17819
    William
    William
    従業員

    お待たせしており申し訳ございません。

    現在確認しております。わかり次第ご連絡いたしますので

    少々お時間いただけますでしょうか。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    William

    返信先: TPS3703-Q1のRSENSE計算について #17816
    William
    William
    従業員

    お問合せ頂きましてありがとう御座います。

    TPS3703のデータシート(資料番号:SBVS344D)、ページ20の等式4”Rsense=Vsense/Isense”に使われる

    VsenseとIsenseの値は、ページ6の7.5 Electrical CharacteristicsにありますIsense

    (Input current, SENSE pin)に書かれている値をご使用ください。

    具体的にはVsense=5V、Isense=1.5uA(MAX)となっておりますので、

    Rsense(SENSE端子ーGND間内部抵抗)は、Rsense=Vsense/Isense=5V/1.5uA≒3.33MΩです。

    こ存じのように、この抵抗は外部のR2抵抗との合成抵抗となりますのでR2の値はわずかに小さくなります。

    そのためR1とR2の抵抗だけで計算されるVMONの検知電圧より実際の検知電圧はわずかに大きくなり、

    Inaccuracy(不正確さ)につながっています。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    William

     

     

    返信先: HD74LV1G**との比較 #16704 解決済み提案を取消
    William
    William
    従業員

    お問合せありがとうございます。

    後ほど担当者より直接メールでご連絡させていただきますので、少々お待ちください。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    William
    William
    従業員

    当フォーラムのご利用ありがとうごさいます。

    不明点等ございましたら、”フォーラムに投稿”よりお気軽にお問い合わせいただきますよう、

    何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: TPS71530の出力オーバーシュートについて #9136
    William
    William
    従業員

    waki様

    お問い合わせいただきありがとうございます。
    本件について以下のように回答させていただきます。
    この現象の原因としましては、入力電圧がドロップアウト状態(入力電圧が、正しい出力電圧を出すために必要な電圧より低い状態)になっているためと考えられます。VIN電圧が下がりドロップアウト状態になると、TPS715内部のIN-OUT間にあるPMOSFETが誤差増幅器が持つ最大能力で駆動され、そのFETの抵抗値は最小となります。この状態ではIN電圧とOUT電圧はほぼ同じになります。一度下がったIN電圧が再度上昇していくと、それに伴いOUT電圧も上昇していきます。OUT電圧がターゲット電圧以上になると、誤差増幅器によりIN-OUT間FETの抵抗値は無限大の方向に変化していきますが、誤差増幅器の帯域幅や応答特性によりその変化には時間がかかります。この変化時間によりオーバーシュートが発生しています。

    これを防ぐ方法としましては、IN電圧をもっと下まで下げるため、”元電源がオフしている時間を長くする”や”IN-GND間に抵抗を付けて小さな負荷電流を流す”ことが考えられます。

    もしこの対策ができない場合は、“TSP715の入力(IN-GND間)についているコンデンサの容量値を大きくしてIN電圧の立ち上がり時間を落とす”や”TPS715の出力(OUT-GND間)についているコンデンサ容量を大きくする”ことでオーバーシュート電圧を小さくすることができると考えます。

    一度実機でご確認いただければ幸甚です。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: DDC114の積分直線誤差の表記について #9121
    William
    William
    従業員

    sefuku様

    はい、ご認識の通りです。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: DDC114の積分直線誤差の表記について #9115
    William
    William
    従業員

    sefuku様

    お問い合わせいただきありがとうございます。
    本件について以下のように回答させていただきます。
    積分直線性誤差の中の「±0.025% Reading」のReadingは、その時の読み取り値を表しています。

    例えば1mVが読み取られたときは、この誤差は0.25uVとなります。

    また1000倍の1Vが読み取られたときは、この誤差も1000倍の0.25mVとなります。

    つまり、この誤差は読み取り値によって変動する(読み取り値が大きいほど誤差も大きい)

    ことになります。

     

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: TPS25944LRVCの故障モードについて #8532
    William
    William
    従業員

    sefuku様

    お問い合わせいただきありがとうございます。
    本件について以下のように回答させていただきます。

    故障の原因は多岐にわたるので、一概にどうなるかは難しいですが、

    例えば入力電圧端子(TPS25994LのIN端子)から、絶対最大電圧を超える異常な電圧(電圧サージ等)の入力が

    あった時は、多くの場合、IN端子‐GND端子間やIN端子‐OUT端子がショート状態になります。

    また外部からの異常な電圧の入力がなく、使用しているうちに故障した場合は、IN-OUT間スイッチの状態が

    オープンかショートか、どちらになるかは不明です。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    William
    William
    従業員

    sefuku様

    お問い合わせいただきありがとうございます。
    本件について以下のように回答させていただきます。

     

    TPL7407LAは、COMピンが電源になりますが、ほかのピンとの電圧供給順番はありません。

    また、ADS8519Iは2電源(VDIG、VANA)方式ですが、これも電圧供給順番はありません。

    ただどちらとも、電源電圧が上がり切った後に動作をスタートさせるようにしてください。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: DRV8835の電源投入シーケンスについて #8175
    William
    William
    従業員

    sefuku様

    お問い合わせいただきありがとうございます。
    本件について以下のように回答させていただきます。
    投入順番に決まりはありません。

    DRV8835のデータシート(資料番号:SLVSB18H)

    http://www.ti.com/jp/lit/ds/symlink/drv8835.pdf

    のページ14、”9.2 Power Supplies and Input Pins”の項に以下の記述があります。

    “VCC and VM may be applied and removed in any order. When VCC is removed, the device enters a low power state and draws very little current from VM. To minimize current draw, keep the input pins at 0 V during sleep mode.”

    ご確認いただければ幸甚です。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: DDC112のレンジ0の外部容量について #7091
    William
    William
    従業員

    sefuku様、

    回答の方、お待たせしてすみませんでした。以下のように回答させていただきます。

    【回答】

    御質問の外部コンデンサの範囲につきまして、データシート(資料番号:SBAS085B)

    http://www.ti.com/lit/ds/symlink/ddc112.pdf

    に記載がございます通り、12.5pF~250pF範囲でのご使用を推奨いたします。

    (ご存知のように12.5pF~87.5pFの範囲で使用される場合は内部容量(Range1~7)を活用いただけます。)

    12.5pF以下の容量の使用に関してですが、データシートのページ6、”NOISE vs Csensor”のグラフのように、Range0 (250pF)に比べ、Range 1(12.5pF)は大きなノイズを示すことが分かります。(C-senseはフォトダイオードの負荷容量)よって12.5pF以下の容量のコンデンサを使用された場合は、さらにノイズは増える方向になりますので、12.5pF以上を使用されることを推奨いたします。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

    返信先: DDC112のレンジ0の外部容量について #7050
    William
    William
    従業員

    <p> sefuku様<br /> <br /> お問い合わせいただきありがとうございます。</p><p>本件、TI社の方に確認しております。回答が来次第ご連絡いたしますので、今しばらくお待ちください。</p><p> 以上、何卒よろしくお願いいたします。</p>

    返信先: COMP端子の電圧について #6996
    William
    William
    従業員

    OKADA様

    お世話になっております。

    今回のCOMP端子のように、IC自身が駆動する端子の出力電圧範囲はICによって変わりますが、いずれのICの場合でも、通常の使い方で絶対最大定格を超えるような出力電圧を、IC自身が出すことはありません。

    以上、何卒よろしくお願いいたします。

     

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