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OKADA様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。はい、ご認識の通りです。
COMPを駆動する誤差アンプの電源はBP端子からとっており、BPの電圧（VBP)のMaxは9Vですので、
VCOMPの電圧は、一番大きな値でも９Vまでとなります。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
OKADA様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。はい、GDRVのドライブ能力としては、一瞬は500mA程度が流れるかもしれませんが、外付けのスイッチング用NMOSFETのゲートが電圧が上がってしまうと電流は止まりますので、書いていただいたように電流としては瞬間的なものになり、連続的な電流ではありませんので、問題はないと考えます。
抵抗に流れる平均電流としては以下のように計算できます。
NMOSFET（Q1)に使われている、以下のURLのSi7850DPのデータシートを見てみます。
Si7850DP
https://www.vishay.com/docs/71625/si7850dp.pdf
このデータシートのページ３に、Gate Chargeのグラフがあります。これはQ1のゲート電圧を０Vからある電圧まで上げるのに必要な総電荷量を示しています。TPS40210のGDRV端子のHレベルはBP端子の電圧である8Vになりますので、Q1をオンするためにゲート電圧が0V→8Vに上げるには総電荷量はグラフより15nC程度になっています。またこのゲート電圧は、Q1をオフするときには0Vに引き下げる必要があります。よってQ1がオン・オフ両方の時にR3に電流が流れることになります。
次にその時に流れる平均電流としては、スイッチング周波数を設計例の400kHzと考えると、2.5usごとに一回、Q1のゲートが充電・放電（0V→8V→0V）することになります。 充電あるいは放電が2.5usの半分の1.25usで１回行われるとしますと、その時の流れる平均電流は、電荷量の式、Q（C)＝I（A)＊ｔ（ｓ）より、
I（A)＝Q（C)／ｔ（ｓ）
となります。
これに各値を当てはめると、Q1のゲートを充電するのに必要が平均電流は、
I(A)=15(nC)/1.25(us)=0.012=12mAとなります。ゲート抵抗（R3)にはこの平均電流が常時流れることになるので、抵抗で消費される電力としては、P=I^2*R＝0.012(A)*0.012(A)*3(Ω）=0.000432(W)＝0.432mWとなり、1608サイズのチップ抵抗でも問題はありません。
ただし、実際にはQ1のQgのばらつきやその他の規制容量、PCBパターン容量等の影響もあり、これよりは増えますので、実機での評価を行っていただきますようお願いいたします。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
Osugi様,
前回はDRV8702Dのデータシートを基に回答しておりました。申し訳ありません。
改めて、以下のように回答させていただきます。
お問い合わせのDRV8702（Dなし）はHブリッジ（フルブリッジ）が、外付けNMOSFETで実現できるICになっています。MODEによるコントロール信号の真理値表はデータシート（資料番号：SLVSDR9D)
http://www.ti.com/lit/ds/symlink/drv8702-q1.pdf
のページ23、Figure 3~5を御参照ください。
0.PHは不明ですがENはイネーブル？使い方をご教示ください。
→PHは回転方向（正転/逆転）の選択で、ENは回転させるかさせないかの選択、EN=1で回転、EN=０でブレーキ（ローサイドFETが両方オン）となります。MODE=0（MODE端子=L）でこのモードになります。
1.ブレーキ、-100%、100%の速度以外切替モード？
→DRV8702の場合はSPIレジスタは使えず、VREFのスケール変更や電流制限のオン/オフが出来ませんので、MODE=0時は速度は+100％、-100%、以外は選択できません。（PWMモードを使い、MOSFETをオンするデューティを変えれば速度調整は可能です。また類似ICのDRV8703の場合は、SPIレジスタの設定で電流制限をオフしたり、VREFのスケールを変更することにより速度を切り替えることが可能です。)
2.PWM制御で速度と回転方向をコントロールできる。0,-100,100はできない？
→はい、コントロール出来ます。MODE=Hi-Z（MODE端子=オープン）でこのモードになり、IN1/PH端子とIN2/EN端子のH/Lレベルの組み合わせで、Table 5にありますように、Coast（H bridge disabled Hi-Z）、Reverse (Current SH2 → SH1)、Forward (Current SH1 → SH2)、Brake（low-side slow decay）の4つのモードが選べます。外部信号によりスイッチをオンするデューティを変えることで速度がコントロールできます。
このコントロールに関しては、以下の弊社サイトの特徴１が参考になれば幸甚です。
高効率で簡単！TI社製ブラシ付きDCモータードライバ DRV8870
以上、何卒よろしくお願いいたします。
Osugi様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。
お問い合わせはDRV8702D-Q1に対してのものと認識し回答いたします。まず、このICの機能としましては、御存知のように外部についてるハイサイド、及びローサイドの合計2つのNMOSFETのを駆動する ハーブブリッジゲートドライバです。外部の各NMOSFETのオンオフの状態は、DRV8702-Q1の入力ピンのIN1及びIN2でコントロールされます。これらのIN1/IN2と外部ハイ/ローサイドNMOSFETの状態の関係は、
データシート（資料番号：SLVSDX8B)
http://www.ti.com/lit/ds/slvsdx8b/slvsdx8b.pdf
のページ22のTable3と４にあります。その関係は、MODE端子＝Hの時とHI-Z時で異なりますので各Tableを御確認ください。
また、SP-SN端子間につくRsenseによる電流制限をするかどうかもMODE端子で設定されます。その関係は、ページ23のTable5で御確認ください。
最後に、御存知のようにDRV8702D-Q1はハーブブリッジゲートドライバですので、このICが1つだけではモータの回転方向は一方向になります。正転/逆転のコントロールが必要な場合は2個必要になると考えます。 PH/ENのPHはPhaseの略で回転方向をコントロールしますので、DRV8702D-Q1が１つだけの場合は、PHを入れる端子はありません。
正転/逆転のコントロールを行う場合の参考回路がないかTI社のほうに確認し、回答が来次第ご連絡いたします。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
Osugi様
お問い合わせいただきありがとうございます。
基本的には、サーマルパッドは電気的に内部接続はされておりません。
ただサーマルパッド上にICチップがマウントされておりますので、ノイズが乗るのことを防ぐため、GNDにつなぐことを推奨いたします。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
amatsu1様
いつもお世話になっております。
回答が遅くなり申し訳ありません。
はい。ご認識どおりと考えます。
あとgmアンプを使っている理由としては、私の認識では高速動作に対応するためと認識しております。
良い資料が見つからなかったのですが、以下の記事が参考になれば幸甚です。
電流アンプによるBuck型DC-DCコンバータの安定化
https://www.infineon.com/dgdl/AN-1043J.pdf?fileId=5546d46256fb43b301574c5ec9097bc6以上、何卒よろしくお願いいたします。
amatsu1様
いつもお世話になっております。
回答が遅くなり申し訳ありません。
残っておりました件につきまして、TI社に確認しまして以下のように回答いたします。Q1． トランスコンダクタンス20mA/Vを使っていないのが不可解に感じてしまいます。
Ans1. やはり、電気的特性特性のエラーアンプの出力（COMP)のソース/シンク電流の26uA(typ)から来ているということでした。
またトランスコンダクタンス20mA/Vの値はHIGH SIDE TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIERの値ですが、
これはデータシート（資料番号：SNVS603C）のページ11にありますブロック図の、HSP/HSNにつながっている
アンプの特性になるということでした。Q2. LM3424にはTon_MINはデータシートに記載がありますが、Ton_MAXは記載がありません。
100%まで可能でしょうか。また、Ton_MAXを設けない理由は何でしょうか。Ans2. Ton_MAXは記載はありませんが、ほぼスイッチング周期(1÷スイッチング周波数）から100ns引いた値に
なるそうです。そのためオンデューティが100%になる事はありません。以上、何卒よろしくお願いいたします。
amatsu1様
いつもお世話になっております。
こちらこそ説明足らずで申し訳ありません。LM3424が使っているピーク電流モードに関しては、
以下に資料がございます。参考になれば幸いです。スイッチング電源の電流モード制御
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/jaja508/jaja508.pdf以上、何卒よろしくお願いいたします。
amatsu1様
いつもお世話になっております。
１．前回のスロープ補償の説明は間違っておりました。大変申し訳ありません。
スロープ補償には内部発振器が発生するランプ波形が使われるのが正しいです。
IS端子は外付けNMOSFETに流れ込む電流値をモニターするのに使われます。２．電気的特性特性のエラーアンプの出力（COMP)のソース/シンク電流の26uA(typ)から来ていると思いますが、
再度TIに確認し分かり次第ご連絡いたします。①．これに関しても、TIに確認し分かり次第ご連絡いたします。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
unoin181016様
何度も申し訳ありませんが以下のことを御確認いただけますでしょうか。
評価モジュール（EVM)をつなぎますと、以下のURLのTIのトレーニングビデオの一分経過した(1:00)ところで出てくる
画面が出てくるかもしれません。
How-to: Configuring LED brightness, color and patterns with the LP50x GUI tool
https://training.ti.com/jp/how-configuring-led-brightness-color-and-patterns-lp50x-gui-tool以下のような画面です。
http://e2e.ti.com/cfs-file/__key/communityserver-discussions-components-files/196/55520.Capture.JPGこの場合はファームウエアアップデートするほうのボタンをクリックいただき、一度、動作を御確認いただけますでしょうか。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
unoin181016様
お手数をお掛けしますが、エラー画面のスクリーンショットをお送りいただけませんでしょうか。
あと、御使用されているGUIのソフトは、現在TIウェブサイトのLP5036の製品フォルダにある、
LP50EVM GUI(SLVC713A)という認識でよろしいでしょうか。以上、お手数を掛けして申し訳ないですが、何卒よろしくお願いいたします。
unoin181016様
お問い合わせいただきありがとうございます。
現在、TI社のほうに問い合わせをしておりますが、まだ回答が来ていない状況です。回答が届き次第お知らせいたしますので、
申し訳ないですが、回答までもう少しお待ちいただけますでしょうか。
（もし、回答が来ない場合でも、明後日中には状況をお知らせいたします。）以上、何卒よろしくお願いいたします。
labdriver様
御回答頂きありがとうございます。
検討してみましたが、現時点では、今回の発振現象（1Aに設定した電流が1.2Aになったり、0.8Aになったりする）の原因は
はっきり分かりません。ただ原因をつかむために、お手数でなのですが、一度EVM(TPS92515HVEVM-749)とLED間の配線長を
10cm程度に短くして、現象がどうなるか見ていただけないでしょうか。配線にはインダクタンスがついているため、
長さが長い場合インダクタンス値が大きくなり、それが原因で今回の現象が起こっているかもしれません。
あとお手数ですが、原因追求の手がかりをつかむために以下のことをお教えいただければと思います。
１．現在起こっている発振現象の発振周波数はいくらになっていますでしょうか。
２．発振している時の電流の変動の最大値と最小値はどのくらいでしょうか。
３．つながれているLEDの両端にコンデンサがついていると言うことはないでしょうか。
４．使われているLEDは１個でしょうか。（直列で２個以上つながれていることはないでしょうか。)
あと、追加のお問い合わせに関してですが、TPS92515は降圧DCDC動作しており、その場合は出力電流ある程度大きければ
（インダクタに流れる電流が０になる状態がない出力電流であれば）Dはほぼ出力電圧（Vf)÷入力電圧で決まる値です。
（データシートでは損失分を入れた計算式になっております）
そのためDを１とかにすることはできません。以上、何卒よろしくお願いいたします。
amatsu1様
ISを使っている理由としては、制御系の安定のためにスロープ補償を行うためということでした。
スロープ補償に関する記事は多くありますがその1つの記事としては、TI社のサイトではないですが
以下のようなものがありました。
DC/DCスイッチングレギュレータにおけるPWM信号生成向けの電圧および電流モード制御
https://www.digikey.jp/ja/articles/techzone/2014/oct/voltage-and-current-mode-control-for-pwm-signal-generation-in-dc-to-dc-switching-regulators
スロープ補償に関するところの回路動作の情報は問い合わせましたがTI社からは得られませんでした。
ただ、データシート（資料番号：SNVS603C）、ページ11のブロック図を見る限りは、IS電圧と内部の
Artificial Rampを1.7kΩ抵抗のところで足し合わせて、90kΩ抵抗で電圧を0.9V持ち上げて、
PWMコンパレータに与えていると考えます。以上、何卒よろしくお願いいたします。
amatsu1様
追加のお問い合わせについて、TI社に確認しまして以下のように回答させていただきます。
１．オフセットの0.9Vに関しては、IC内部のOscillatorブロックで作られるArtificial Ramp波形の電圧レベルを、COMP電圧と
正しく比較出来る様にするためのものということでした。ISを使っている理由に関してはまだ回答が来ていないので、
来次第回答いたします。
２．25uAに関しては、Error amp（誤差アンプ）のソース電流の標準値から来ているとのことでした。以上、何卒よろしくお願いいたします。
