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HIGA様
お問い合わせいただきありがとうございます。また回答が遅くなり申し訳ありません。
本件について以下のように回答させていただきます。なお４に関してはVCCIがGNDに直結できるかはTI社に確認中で、
分かり次第再投稿いたします。【回答】
１．TI社に確認しましたが計算式はありませんでした。
ただ検討しますと、LSF0108の方は、信号の流れをA側→B側のときは、B側にあるプルアップ抵抗により
電流が供給されるので、信号を引き上げるために使われるLSF0108から流れる電流はありません。
逆方向の場合も、A側の負荷に供給するのはB側の信号を入力しているバッファからか、B側のプルアップ抵抗からの
供給になり、この場合もLSFからの供給はありません。LSFで消費する電流としては、EN端子とVref_B端子を接続した
ところから、Vref_Aに流れる電流くらいで、その値はデータシート（SDLS966G）の1uA（Typ)です。
（LSF0108の動作については、次の２番を参照ください。）
TXB0108は、データシート（SCES643F）、P12.”8.2 Functional Block Diagram”より、
往復のドライバー（4kohmの出力抵抗あり）と、One Shotにより駆動される,
ドライバー（立ち上がり、立ち下がりのみ駆動）があります。
使用条件としては、A=＜Bとなっていますので、電圧の高いB側（仮に3.3V）の消費電流（IccB）を検討してみます。
信号の方向はA側→B側です。
１）静止電流：IccB＝5uA(Max)です。（Io=0mA)
２）High出力の駆動電流は、4kohm経由での駆動なので、3.3V/4kohmと考えても、Io=0.825mA(825uA)です。
３）信号周波数に関係するものとして、上記のOne Shotにより駆動される回路の動作で、信号周波数に比例します。
Cのインピーダンスは１/2πfCですので、B側（出力側）についている容量=20pF、信号の周波数=20MHzとすると、
１÷(2*π*20M*20p)≒398Ω。Cに流れる出力電流（Iout）は、電圧÷Cのインピーダンスですので
Iout=3.3V/398Ω≒8.3ｍAとなります。
４）全体を足すと9mA程度となると思います。２． はい。Bn（n=1~8)端子は、NMOSFETのドレインだけが端子につながっているということでオープンドレインと言えます。
LSF0108の内部等価回路は以下の資料のページ2のFigure 1が基本になります。
Voltage-Level Translation With the LSF Family
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/slva675b/slva675b.pdf
Fig1はLSF0101の場合ですが、LSF0108の場合は、A1-B1のNMOSFETがあと7個追加になります。
Fig1の上側のNMOSFETがゲート電圧を作る基準のMOSになります。EN(MOSのゲート）とVref_Bをつなぐと、
MOSのダイオード接続になっています。
（MOSダイオード：https://ja.wikipedia.org/wiki/MOS%E3%83%80%E3%82%A4%E3%82%AA%E3%83%BC%E3%83%89）
そのため、Fig1で書かれているように、EN=Vref_B=Vref_A+Vthになります。ここでVthは、NMOSFETがオンするのに
必要なソース－ゲート間しきい値電圧です。
動作の例としては、Fig2のようにVre_A＝1.8V、Vref_B＝3.3Vとした場合でAn端子が受信側の場合は、
Bn端子がVBPUで3.3Vに上がっている場合でも、An端子電圧は、1.8Vまでしか上がりません。もっと上がると
An-Bn間のNMOSFETがオフになるため、1.8Vで安定します。Bn端子＝０Vの場合は、An-Bn間のFETのVgsは
Vref_A+Vthになるため、オン抵抗が十分小さくなりAn電圧はほぼ0Vになります。
また、An端子が送信側の場合で、An=1.8Vの場合は、An-Bn間のFETはオフになり電流が流れないため、
Bnの電圧はプルアップ抵抗によって3.3Vに引き上げられます。３．内部のバッファの出力は4kΩとなっていますので、10kΩでGNDに引いても、信号電圧がLレベルのしきい値を
下回らないので信号の反転は起きないと考えます。ただ以下の資料にもありますが、TXB0108でプルアップ・プルダウン抵抗を
小さくすると、内部の4kΩの抵抗が影響して、VOHが下がる、あるいはVOLが上がってしまいます。Effects of External Pullup and Pulldown Resistors on TXS and TXB Devices
http://www.ti.com/lit/an/scea054a/scea054a.pdfこの資料のConclusionでもかかれていますが、Voh、Volに影響を小さくするために、プルアップ・プルダウン抵抗は
50kΩより小さい値は使わないようにかかれています。よって、仮にお客様の使用上でA側もB側も駆動されていない状態が
ある場合で、その時にA側とB側のレベルを決まった値にするにはプルアップ・プルダウン抵抗では出来ないことになります。
TXB0108を使って、電源立ち上がり時のレベルを確定する場合は、50k以上のプルアップ・プルダウン抵抗をつけた上で、
VCCA側のリセット信号などををOE端子に入れて、起動時にOEをLレベルにしてA/B出力を３ステート状態にするのがひとつの
方法と考えます。OE=L→Hにした時に出力が駆動をはじめ、プルアップ･プルダウンしたレベルで安定します。４．はい。使わない信号ラインは、同じ番号のA側もB側も、両方同じレベル（HレベルかLレベル）にしてください。
ただGNDにする場合はGND直結できるかどうかは現在TI社のほうに確認中です。回答が来次第追加投稿いたします。以上、何卒よろしくお願いいたします。
T-YAMAMOTO様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。１．RON端子に関して、
VIN端子とRON端子間にデータシートで計算された抵抗（Ron）をつけていただければ、VINが7V以上になっても問題はありません。２．X5RやX7Rのコンデンサ推奨に関して、
御認識のように温度で容量が減少するのを出来るだけ避けるために、温度特性の良いX5RやX7Rが推奨されています。またセラミックコンデンサには、印可される電圧が上がると容量が低下する特性（直流バイアス特性）があり、この低下もできるだけ避けるためもあります。セラミックコンデンサの特性についての説明記事がTI社の以下のサイトにありましたので、御参考になれば幸いです。直流バイアス特性によるセラミック・コンデンサの実容量の問題
http://www.tij.co.jp/analog/jp/docs/analogsplash.tsp?contentId=80041３．２線式調光を使う時とDIM端子による調光を使う時のVINS端子の接続に関して、
御認識の接続で問題ありません。以上、何卒よろしくお願いいたします。
Jack様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。TPS4H160に関する、どちらのお問い合わせにつきましても御認識のとおりで間違いありません。
またデータシート（SLVSCV8C）のページ11~12、Typical CharacteristicsのFigure8、10~13にも関連データがございます。以上、何卒よろしくお願いいたします。
Take様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。① Δt/Δvを算出するための電圧範囲は、VCC*10%(またはVCC*90%）からVCC*90%(またはVCC*10%）になります。
以下のTI資料がご参考になるのではと思います。
Solving CMOS Transition Rate Issues Using Schmitt Triggers
http://www.ti.com/lit/wp/slla364a/slla364a.pdf② 残念ですが具体的な値はありません。データシートのΔt/Δvの範囲内での使用をお勧めいたします。
ただ、どうしてもΔt/ΔvがMax値以上になる場合は、前出の資料のようにシュミットトリガ入力のICの使用を検討いただくのが
1つの方法かと考えます。以上、何卒よろしくお願いいたします。
Osugi様、
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。はい、オープンドレインかオープンコレクタ出力で、入力端子（IN端子、3番ピン）をGNDに落としていただければ、出力端子（OUT端子、4番ピン）はHレベル（11.5V（Typ)）になります。逆に、入力がオープンの時は、入力ピンはVCC近くまで上がると思われますので、オープンドレイン（オープンコレクタ）側のオープン時の耐圧は、VCC以上ある必要と考えます。
以上、よろしくお願いいたします。
dengensekkeiGT様
TREF及びTSENSEが共にGNDに接続した場合でも問題はないと考えます。
理由としましては、以下のように考えます。
LM3424のデータシート（SNVS603C）、ページ14の図20にThermal Foldback Circuitの等価回路があります。Thermal Foldbackは温度が上がるとLEDに流れる電流(ILED)を減少させるため、図20にあるITFという電流をCSH端子に流し込こみ、CSH電圧を上げることにより、ILEDを減少させます。ITFを作る回路はミラー回路になっていますので、TGAINから流れ出す電流のx倍の電流が流れます。
ただ今回の場合はTGAIN端子がオープンになっており、TGAINから流れ出す電流はゼロですので、ITF電流もゼロになるため、Thermal Foldbackは働きません。つまり、TGAIN端子がオープンであればFold backは働かないはずです。
TI社の考えてしては、TGAINとGNDの間の抵抗値が、何かの理由（ほこりなど）で下がった（たとえば無限大Ωが、1MΩになったり、100kΩになる）時でもFoldbackが働かないように、TGAIN端子から流れ出す電流量をコントロールしているNMOSFET（ソースがTGAINにつながっているFET）のゲート電圧を出来るだけGNDにしたいと考えたと思います。
ゲート電圧をGNDにするには、TREFとTSENSE端子につながる減算アンプ（以下のURLを参照ください。）の出力をGNDにする必要があります。(NMOSFETをコントロールしているアンプは、ボルテージフォロワ構成になっていますので、減算アンプの出力電圧と抵抗がついている時のTGAIN端子の電圧は同じになります。）
減算アンプ（減算回路）
http://skomo.o.oo7.jp/f34/hp34_26.htmLM3424の減算アンプの出力（Vo) は、４つの抵抗がすべて同じなので、Vo=TREF-TSENSEになり、TREF=TSENSE=0Vの場合、Vo=0V-0V=0Vで、NMOSFETのゲート電圧は0Vです。TIの推奨の設定の場合は、TREF=0V、TSENSE=2.45Vで、計算ではVo=0V-2.45V=-2.45Vになりますが、LM3424の一番低い電圧は0Vなので、結局Vo=0Vになります。（このスレッドのはじめにお伝えした設定は、Voが2.45VになるのでTIは間違いといったと思います。）
以上の理由により、
TREF及びTSENSEが共にGNDに接続しても大きな問題はないと考えます。またVsに関しても、Vs端子は外部回路用の基準電源で、使わない場合はオープンにしても問題はないと考えます。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
dengensekkeiGT様
回答のほう、お待たせしてすみませんでした。TI社に直接確認していたため、時間を要してしまいました。
最終的なTI社の回答としては、このスレッドのはじめに書きました接続もTI社に確認したものでしたが、
その設定は間違いで、
”TGAIN=オープン、TREF=GND、TSENSEはVSとつないだ上で、その箇所とGNDの間に100kΩの抵抗を接続してください”
ということでした。
以上、何卒よろしくお願いいたしますOsugi様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。TI社に確認しましたが、CFBを導き出す為のTableや計算式はないそうです。
ただ700kHzでしたら、12pFでまず動作を見ていただけないでしょうか。
CFBは位相特性に影響するので、ループのフェーズマージンを測定いただくことが一番良いと思います。以上、何卒よろしくお願いいたします。
Take様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。はい、GND接続で問題ありません。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
dengensekkeiGT様
お問い合わせいただきありがとうございます。
おそらく、どちらの場合もFoldbackの機能を停止することが出来ると思いますが、どちらのほうがよりよいか、再度TI社のほうに確認いたします。分かり次第回答いたします。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
dengensekkeiGT様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。はい。nDIMを使わず、常時点灯で使用される場合は、データシート（SNVS603C）のページ51、Figure43のように、DDRV端子はオープンで問題ありません。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
dengensekkeiGT様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。LM3424でお問い合わせの端子は以下のように処理していただくよう、お願いいたします。
１．SS端子。
これはソフトスタート端子で、使われない時はオープン状態でご使用ください。ただし、SS端子を使用しない場合は、
電源投入時やEN端子=L→Hでの起動時に大きな突入電流が流れる場合がありますので、SS端子は使用されることをお勧めいたします。２．TGAIN端子。
TGAIN端子をオープンにされていることは、温度による電流の調整は行われないようにされていると思います。
その場合は、温度による電流調整に関係する端子は、以下のように処理していただけますでしょうか。
TGAIN端子→オープン。
TSENSE端子→GND。
TREF端子とVS端子は両端子をつないだ上で、そのつないだ点から負荷電流を流し電圧を安定させるために、
つないだところ（TREF+VS)とGNDとの間に100kΩを入れてください。３．DDRV端子。
DDRV端子は、データシート（SNVS603C）のページ29のFigure 36~ページ31のFigure 38のように
外部NMOSFETのゲートにつないでご使用ください。４．VS端子（オープンにしている）。
５．TSENSE端子（GNDにしている）。
６．TREF端子（GNDにしている）。４～６に関しては、２の内容をご覧ください。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
RTM様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。LVCシリーズはCMOS構成のロジックですので、データシートに記載されていない
場合には、直線近似法により推定する方法が、一般にもちいられております。
Vcc=2.7VのVILを0.7V(MAX)、Vcc=3.6VのVILを0.8V(MAX)とした場合、
Vcc=5Vの VIL=X とすると、以下の式がなりたちます。
(0.8-0.7)／(3.6-2.7)＝(X-0.7)／(5-2.7)
0.1／0.9＝(X-0.7)／2.3
(X-0.7)=(0.1×2.3)／0.9＝0.256 から、
X＝0.956 V(MAX) と計算することができます。なお、お問い合わせのVLのMIN値はMAX値のことを言われていると思いますが、
（VILのMIN値としては０Vになります）違う場合はまたお問い合わせいただけますでしょうか。以上、何卒よろしくお願いいたします。
Lead様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。VBATがショートした時の動作は、bq24171のデータシート(バージョン番号：SLUSAF2C)のページ21の9.3.16 Battery Short Protectionの項にも書かれていますように、SRN端子の電圧が２V 以下になると、Fast chargeは1msで停止し、Pre charge時の値まで電流値が下がります。VBATの電圧は、ショートしている時の電圧は、VBAT-GND間のインピーダンスにPre charge電流を掛けた値になります。
以上、何卒よろしくお願いいたします。
Lead様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。基本的には良くないですが、測定の仕方により実際より大きく出ることがあります。一度以下のURLの図7にありますように、スプリンググランドコンタクト（グランドスプリングとも呼ばれます）を使用してもう一度波形を御確認いただけますでしょうか。このスプリンググランドコンタクトを使用することで、よりノイズの少ない、正確な波形が観測出来ます。
http://tech.nikkeibp.co.jp/dm/article/NEWS/20070905/138795/またこの電圧は基板のレイアウトに依存するところが大きいです。そこでお手数ですが、電圧を測定された時のSW端子波形、基板のレイアウト図、及び回路図を弊社の担当者に渡していただけないでしょうか。一度確認させていただければと思います。
以上、何卒よろしくお願いいたします。