[wtidesigner参加者]

ご確認ありがとうございます。

AC80V（start-up）入力時の入力電解コンデンサの電圧で計算と言うことですね。
了解しました。

[wtidesigner参加者]

ご回答ありがとうございます。
急な設計依頼があり、ご連絡が遅れました。

上記⓵の計算式ですとExcel Design toolの各値は
Lk＝2.5uH, fsw＝160kHz, VBULKmin＝70V, Nps＝5.25, Voutnom＝20V　ですから

Cclamp＝0.253uFと計算されます。

DCバイアスの取り扱いを含めても　0.253/（1-0.4）＝0.422uF　で　0.588uFになりません。

ご連絡の式で合ってますか？

[wtidesigner参加者]

ご回答ありがとうございました。

試しにKaを　0.5から0.75に変えてみました。若干FET AB間の中点波形の変化はありましたが、Rabを10ｋΩ等にするほど変わらず
軽負荷時効率の変化もわずかでした。

軽負荷時効率の特性を現状で我慢するか、定数を全て調整しなおすかで考えます。

[wtidesigner参加者]

ご回答ありがとうございます。

ご回答いただいた回答の前者、KAの値を調整する方法は軽負荷時ですから　CS=0。
よって　RABできまる固定値になりますから13kΩ以下にできないのであれば、現状より　TABSETは小さくすることができません。

後者の固定電圧（最大2Vが推奨）を印加の方法では、出力電力増加つまりCS電圧の上昇によりAB間のTime Delyを短くすることができません。

この二つの問題を解消するためにCS電圧にバイアスをかけることを二つ目の投稿で述べたのですが、そうするとCD間，AF間，BE間のTime Delyが変わってきます。

制御特性の意味合いが異なっているようですが、各FET間のTime Delyが微妙に変わると、効率など電源特性が変わっています。このことを（電源）制御特性が変わると述べています。
例えばCS電圧にバイアスを加えると、AB間のTime Delyは短くなりますが、出力電力が増えた際のAF間Time Delyは広がってしまいます。これら全ての調整のやり直しが発生するためTABSETだけを変える方法を模索しているものです。

どうも良い案はなさそうですね。

[wtidesigner参加者]

ご返信ありがとうございます。

軽負荷時ですからカレントトランスからの電圧　CS-voltageはほぼ０Vの状態。
他からバイアスをかけるしかありませんが、そうすると制御特性が変わってきてしまい
全評価がやり直しになりますが、それしか手がないという事ですね。

[投稿者]

投稿