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トピック: SN75DP130の仕様について
お世話になります。下記2点 ご教示頂けますでしょうか。
<Q1>
データシート(7.3 Recommended Operating Conditions)に
下記記載があります。AUXは入出力信号かと存じますが、
Outputとしての記載が見当たりません。下記はOutputの場合の
仕様でもあるという認識で正しいでしょうか。AUX CHANNEL DATA TERMINALS (DP mode の場合)
->VI-DC(DC input voltage)
AUX_SRCp and AUX_SNKp : -0.5 ~0.3 ~0.4 [V]
AUX_SRCn and AUX_SNKn : 2 ~3 ~3.6 [V]
->VID(Differential input voltage amplitude):
300 ~1400 [mV]<Q2>
下記理由にて VID =300~1400[mV]を調整したい場合、
推奨される回路(対策方法)はありますでしょうか。DisplayPortの規格では VAUX-DIFFp-p =290~1380[mV] との規定があり、
また実基板では 信号変化点にて オーバーシュート/アンダーシュートもあるかと存じます。
そのため 1000mVくらいまで調整できればと考え ご質問となります。トピック: LMZ31707のパラメータ
LMZ31707の出力電圧、ソフトスタート時間は外付け部品で設定可能ですが、
その誤差を算出するためにデータシートへ記載されていない下記パラメータを教えてください。1.「0.6」
Rsetを算出する際に使用される「0.6」=Vref?の誤差を教えてください。
2.「1.43」
Rsetを算出する際に使用される「1.43」=Rref?の誤差を教えてください。
3.SS
Cssの算出方法と使用されるパラメータの誤差を教えてください。
Cssに対するSS Timeの表はありますが、どれだけずれる可能性があるのかわかりません。トピック: LMG1020のレイアウトについて
早速ですが下記ご教授ください。(補足資料を添付してます)
Q1
LMG1020EVM-006の回路図では、
VBUSのGND(PGND)とLMG1020を駆動させている5V系のGNDを分離していますが、本当に必要でしょうか。
TIDA-01573を読んでGND電位の上昇による、Vgsの上昇を防ぐことが記載されてます。
一方でLMG1020のデータシート上では特に上記記載は有りませんでした。Q2
datasheet10.1.1 Gate Drive Loop Inductance and Ground Connection
におきまして、FETのソースとLMG1020のGNDの扱いについて下記の認識で合っていますでしょうか?
(1)Top層の直下にプレーン(島)を設け、そこに最小のインピーダンスでFETソースVIAとLMG1020のGNDVIAを接続する。
(2)GNDプレーンへの結合を減らし、共通ソースインダクタンスを最小にするためにFETのソースVIAだけをGNDプレーンに接続する。お手数をお掛けしますがご検討のほどよろしくお願い致します。
トピック: LM2596の逆電圧への耐性について
ご担当者様
お世話になります。
LM2596はOutput(pin1)->Vin(pin2)の逆電圧への耐性はあるでしょうか。
入力側の電圧が出力側電圧より先に低下した場合、-5Vがかかる可能性や
試作時のマイコン書込時の電源供給による破損を防ぐために
確認したいと考えています。データシートp10 8.2 Functional block diagramの3Aswitch
の逆電圧耐性に相当すると思われます。以上、確認のほどよろしくお願い致します。
トピック: ADS1248 GPIOの仕様について
ADS1248のGPIOについてご教示下さい。
現在、GPIOを出力として使用し、MOSFETの駆動を考えています。
データシートに、GPIOの出力電圧 「VOH(min)=AVDD×0.8(IOH=1mA)」の仕様が記載されていますが、
MOSFETのように入力インピーダンスが数MΩオーダーの対象を駆動する場合、(IOHがほぼ流れないため)
VOHの電圧降下はほぼ発生しないという認識で間違いないでしょうか。ご回答の程、よろしくお願い致します。