[forest従業員]

OZSHG1231様

ご投稿ありがとうございました。
本件について下記の通り回答させていただきます。

設計において期待寿命は設定されておりません。
しかし、長期信頼性としては、MTBF/FITとしてメーカーサイトに公開されておりますので、こちらを参考ください。
以下のサイトで、対象製品名を入力して、Searchボタンを押すとそのデータが表示されます。

■DPPM/FIT/MTBF estimator
http://www.ti.com/quality/docs/estimator.tsp

ヒートサイクル試験については、以下Qualityサイトの左側のメニュー”Qualification summary”にて
信頼性データを公開しておりますので、そのデータを参照してください。
(本機能を使用する上では、TI社のサイトにログインが必要となります。
ログイン後、一番上のBOXに型番を入れると、その型番の信頼性データが表示されます。
ヒートサイクル試験は一番上のTCになります。)

■Quality and reliability
http://www.ti.com/support-quality/quality-reliability.html

以上、よろしくおねがいします。
forest

[nakagawa参加者]

KJ様

ご回答ありがとうございます。

>過電流状態に入った際の挙動については、データシートのP.39,40を参照ください。
>また、過電流状態については、0x1Aレジスタの16bitのステータスを読むことで判ります。

上記情報では過電流発生時の状態確認を出来ますが、過電流状態が解除された際の挙動の記載は見られませんでした。
「controlled automatically by the digital core」と記載されているので自動的に過電流検出をデジタルコアが検出するのだと
理解しておりますが、以下の点を懸念しており、過電流保護解除時の動作をご教示頂ければと思います。

・過電流解除の解除を周期的に保護状態を解除して、問題なければ通常動作に戻り、過電流状態が続いていれば再度保護状態に入れるといった挙動(hiccupモード)を行っていた場合、確認周期が早すぎた場合にノイズ原因等にならないか。

以上、宜しくお願い致します。

内蔵されているDCDC／LDOで、使用しないCHがあるのですが、
端子の処理はどのようにしたら良いでしょうか？

[Pukkuru参加者]

forest様
　お世話になっております。
　早々、ありがとうございます。
Bi/Uniの意味として、保護対象信号ラインの単電圧/両電圧の違い、承知致しました。TI社の他の保護素子で、Bi/Uniによって、保護素子のIO端子電圧がその様になっている事を確認しました。

横道にそれますが、TPD1E04U04のデータシート4ページに記載されている、「推奨動作条件のVioがmax3.6V」となっている点が気になります。
保護したい信号はUSBのD+/D-信号です。USBのこのライン電圧波形を見た事が無いのですが、TPD1E04U04を使う事は問題無いのでしょうか？
TI社のTPD2EUSB30では、max6Vとなっています。同じくTPD2EUSB30Aでは、max4Vとなっています。
本題からそれてしまいますが、安直には、TPD2EUSB30を採用するのが安全の様に思えてきます。
USB信号波形を承知していない事が、問題とも自覚します＿これらの素子は、アプリとして皆USB用となっていますし….。

この新たな気がかりは如何様に考えれば良いでしょうか？
たいへんお手数をお掛けしますが、ご教示の程、宜しくお願い致します。

[William従業員]

　Osugi様、
　
　お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。

　はい、オープンドレインかオープンコレクタ出力で、入力端子（IN端子、3番ピン）をGNDに落としていただければ、出力端子（OUT端子、4番ピン）はHレベル（11.5V（Typ)）になります。逆に、入力がオープンの時は、入力ピンはVCC近くまで上がると思われますので、オープンドレイン（オープンコレクタ）側のオープン時の耐圧は、VCC以上ある必要と考えます。

　以上、よろしくお願いいたします。

[FI43101従業員]

Osugi様
添付資料に TPA3126D2 50-W Stereo, Analog-Input, Class-D Audio Amplifier の
TINA-TI model による出力電力シュミレーションを示します。
TAS5704のAnalog-Inputに対し、TPA3126D2はAnalog-Inputですが、
電力出力段はどちらのモデルも同様なClass-D amplifierを採用しています。
シュミレーション･データから、Class-D amplifier の出力波形(OUTPR, OUTNR, OUTPL, OUTPL)は
負荷抵抗値 (Rch-4ohm, Lch-8ohm)にかかわらず、電圧振幅が0–24V(AVCC)のPWM波形となり、
出力電圧は下記の値になることが確認されます。

Rch output voltage = \f(12.64,√2) = 8.94 [Vrms]
Rch output power = 8.94^2/4  = 20 [W]
Lch output voltage = \f(14.49,√2) = 10.24 [Vrms]
Lch output power = 10.24^2/8  = 13.11 [W]

TAS5704のClass-D amplifier出力電圧は、負荷抵抗値にかかわらずほぼ一定の値でり、
負荷抵抗が小さくならない限り、出力電力が大きくなることはありません。

以上、よろしくお願いいたします。

Attachments:

1. TPA3126D2_4ohm_20W.pdf

[QT従業員]

SM様

ご投稿いただきありがとうございます。

ご認識の通り、変換後もOS bitは”1″となりますが、連続で変換する訳ではございません。

その状態で再度OS bitに”1″を書き込むことで、変換は始まります。

（上記”1″を書き込む前に”0″を書き込む必要もございません）

以上、ご確認の程よろしくお願い致します。

QT

 

[KJ従業員]

SM様

今回問い合わせ頂いた内容については、PPMモードつまり、複数の充電ポートを備えた場合で
同時に充電できないシステム向けのものになります。
データシート内のFigure 39.40.のようにSTATUSピンとCTL3ピンを接続することで実現可能です。

データシートP1.概略回路図のようにデバイス単品で使用するの場合はデータシート8.4.1の
Table2.から、CTL3=”1″でcurrent limitはHi、”0″でLoとなります。

以上、宜しくお願い致します。

[Yojiro従業員]

C2000wareの最新版v1.00.04.00での動作確認を進めておりましたが、フラッシュ書き込みファームウェア（flashapi_ex2_sci_kernel.txt）およびアプリケーション（led_ex1_blinky.txt）に修正を行わないと正しくSCIブートが終了できません。お手数ですが、以下の修正を加えていただき、ご確認ください。

flashapi_ex2_sci_kernel.txtとled_ex1_blinky.txtをバイナリエディタで開いていただき、2バイト目に0x0Dを挿入してください。

修正前) 02 0A AA 08 ….
修正後) 02 0D 0A AA 08 ….

※既に、ファイルの先頭のデータが、02 0D 0Aとなっている場合は、修正の必要はありません。

 

ご確認のほど、よろしくお願いいたします。

お世話になっております。
　USB2、USB3の信号保護素子を選定中です。
仮にTPD1E04U04としていますが、

Bi/Uni-Directional仕様が、Uniになっており、気になります。
これの意味は？　
サージ電圧の極性の事ですか？；データシートには、±16kVとか書いてあり。

＿ご教示、宜しくお願い致します。

[SM参加者]

QT様
早速の回答有り難うございます。
1点確認察せて下さい
下記、データシートでは、センサがOS=1で測定開始し、測定中HはOS=0で
測定が終わると OS=1にするようにも読めます。(多分違うと思いますが念のため)
　センサは OS=1を確認後でOS=0にするだけでしょうか？

SThe TMP112 device features a one-shot temperature-measurement mode.
When the device is in shutdown mode, writing a 1 to the OS bit begins a single temperature conversion.
During the conversion, the OS bit reads 0.
The device returns to the SHUTDOWN state at the completion of the single conversion.
After the conversion,the OS bit reads 1.
This feature is useful for reducing power consumption in the TMP112 device when
continuous temperature monitoring is not required.
As a result of the short conversion time, the TMP112 device can achieve a higher conversion rate.
A single conversion typically occurs for 26 ms and a read can occur in less than 20 μs.
When using one-shot mode, 30 or more conversions per second are possible.

[Ge従業員]

> スタック退避の指定時、指定エリアの上にも同じだけのスペースが空いていないと、コンパイルエラーになるようなのですが、
> そういうものなのでしょうか？

スタックは上に積まれていくため、上にも同じだけのスペースが空いていないとコンパイルエラーになると考えます。

[Ge従業員]

> MMUで指定範囲の間にキャッシュがあると処理が遅くなる可能性があるでしょうか？

MMUに対してどのような設定をお望みでしょうか。
またその際に、どのようなアクセス方法に関してご懸念されておりますでしょうか。

> また、MMUでアドレス範囲指定するとソースの記載順にエリアを配置するわけではなく、
> エリアを確保できる順に配置されるのは通常の動作なのでしょうか？

申し訳ございませんがご質問の意図が理解できませんでしたので、
もう少し具体的にご質問をお願いできますでしょうか。

[Yojiro従業員]

serial_flash_programmerはコンソールアプリケーションとなっていますので、コマンドプロンプトを起動して、serial_flash_programmerのディレクトリに移動後に、アプリケーションを実行してください。

実行時のパラメータとして、以下を使用してください。

serial_flash_programmer -d f28004x -k f28004x_fw_upgrade_example\flashapi_ex2_sci_kernel.txt -a f28004x_fw_upgrade_example\led_ex1_blinky.txt -p COM35 -v

パラメータの内容については、以下の通りとなります。

• -d f28004x
  TMS320F28004xシリーズのデバイスを指定します
• -k f28004x_fw_upgrade_example\flashapi_ex2_sci_kernel.txt
  フラッシュ書き込みファームウェアを指定します。起動後このファイルを転送します。
• -a f28004x_fw_upgrade_example\led_ex1_blinky.txt
  フラッシュメモリへ書き込むファームウェアを指定します。このファイルは、hex2000ユーティリティによりシリアルブートローダ用フォーマットで出力されている必要があります
• -p COM35
  シリアル通信で使用するCOM番号を指定します。デバイスマネージャを参照して、通信を行うCOMポート番号を指定してください。
• -v
  エラー発生時のメッセージを出力します。評価時にはこのパラメータを指定してください。

最初のフラッシュ書き込みファームウェアの転送が終わると以下のメッセージとメニューリストが表示されます

What operation do you want to perform?
1-DFU
2-Erase
3-Verify
4-Unlock Zone 1
5-Unlock Zone 2
6-Run
7-Reset
8-Live DFU
0-DONE

まず、2を入力してフラッシュメモリを消去します。（番号を入力後、Enterキーで確定させてください）
消去するセクタ番号が聞かれますので、全セクタ消去の ALLを入力してください。（ALLのあと、Enterキーで入力を確定させてください）
消去が完了すると、以下のメッセージが表示され、再度メニューリストが表示されます。

SUCCESS of Command

続いて、1を入力して、コマンドパラメータで指定したファイルを書き込みます。
ベリファイも行われ、書き込みに成功すると SUCCESS of Command のメッセージと、メニューリストが表示されます。

最後に、ブートモード（SW1）をBoot from flashに変更して、電源を入れ直すか、コンソールに7を入力すると、フラッシュメモリに書き込まれたプログラムが実行します。

ご確認のほど、よろしくお願いします。

[William従業員]

dengensekkeiGT様

　TREF及びTSENSEが共にGNDに接続した場合でも問題はないと考えます。
　理由としましては、以下のように考えます。
　LM3424のデータシート（SNVS603C）、ページ14の図20にThermal Foldback Circuitの等価回路があります。Thermal Foldbackは温度が上がるとLEDに流れる電流(ILED)を減少させるため、図20にあるITFという電流をCSH端子に流し込こみ、CSH電圧を上げることにより、ILEDを減少させます。ITFを作る回路はミラー回路になっていますので、TGAINから流れ出す電流のx倍の電流が流れます。
　ただ今回の場合はTGAIN端子がオープンになっており、TGAINから流れ出す電流はゼロですので、ITF電流もゼロになるため、Thermal Foldbackは働きません。つまり、TGAIN端子がオープンであればFold backは働かないはずです。
　TI社の考えてしては、TGAINとGNDの間の抵抗値が、何かの理由（ほこりなど）で下がった（たとえば無限大Ωが、1MΩになったり、100kΩになる）時でもFoldbackが働かないように、TGAIN端子から流れ出す電流量をコントロールしているNMOSFET（ソースがTGAINにつながっているFET）のゲート電圧を出来るだけGNDにしたいと考えたと思います。
　ゲート電圧をGNDにするには、TREFとTSENSE端子につながる減算アンプ（以下のURLを参照ください。）の出力をGNDにする必要があります。(NMOSFETをコントロールしているアンプは、ボルテージフォロワ構成になっていますので、減算アンプの出力電圧と抵抗がついている時のTGAIN端子の電圧は同じになります。）
　減算アンプ（減算回路）
　http://skomo.o.oo7.jp/f34/hp34_26.htm

　LM3424の減算アンプの出力（Vo) は、４つの抵抗がすべて同じなので、Vo=TREF-TSENSEになり、TREF=TSENSE=0Vの場合、Vo=0V-0V=0Vで、NMOSFETのゲート電圧は0Vです。TIの推奨の設定の場合は、TREF=0V、TSENSE=2.45Vで、計算ではVo=0V-2.45V=-2.45Vになりますが、LM3424の一番低い電圧は0Vなので、結局Vo=0Vになります。（このスレッドのはじめにお伝えした設定は、Voが2.45VになるのでTIは間違いといったと思います。）

　以上の理由により、　
　TREF及びTSENSEが共にGNDに接続しても大きな問題はないと考えます。

　またVsに関しても、Vs端子は外部回路用の基準電源で、使わない場合はオープンにしても問題はないと考えます。

　以上、何卒よろしくお願いいたします。