DP83867IRのStrap Configurationについて質問です。

Xilinx製の評価基板ZCU106にこのデバイスが搭載されており、これを参考にピン処理を行おうと考えていたのですが、
以下のようなピン処理となっております。

RX_D0：1kΩでPull-Down
RX_D2：1kΩでPull-Up
RX_DV/RX_CTRL：1kΩでPull-Down

これは推奨の設定とは違う使い方になるでしょうか。
本来であれば2.49kΩ、10kΩ、5.76kΩを使用してMODE1～4にの電圧になるように調整必要でしょうか。

評価基板の回路図の一部を添付致します。

Attachments:

1. 0381770_HW-Z1-ZCU106_REV1_0_SCHEMATIC_20180118_131241_wm-59.pdf

[UNA従業員]

kkk様

サンプルコードでは、下記コード部分にてFLLの初期化を行っています。

＝＝＝＝＝＝＝＝
// Initialize DCO to 12MHz
__bis_SR_register(SCG0); // Disable the FLL control loop
UCSCTL0 = 0x0000; // Set lowest possible DCOx, MODx
UCSCTL1 = DCORSEL_5; // Select DCO range 24MHz operation
UCSCTL2 = FLLD_1 + 374; // Set DCO Multiplier for 12MHz
// (N + 1) * FLLRef = Fdco
// (374 + 1) * 32768 = 12MHz
// Set FLL Div = fDCOCLK/2

__bic_SR_register(SCG0); // Enable the FLL control loop
＝＝＝＝＝＝＝＝

以上、宜しくお願いします。
H.U

[umamiti従業員]

メーカーに確認が取れましたので、以下に回答を記載いたします。

MSP430FR2433のデータシート、24 ページによると、
REFOの消費電流は、約15μAとなっています。（添付画像を参照）

お客様の測定結果が、LPM3時に18.7uAとなった要因は
REFOを使用した結果だと考えられます。

ですので、水晶発振子を使用していただければ、
LPM3時に、消費電流をカタログスペック値まで、低減させることができると思われます。

※REFOをACLKなどのクロックソースとして使用しない場合、
自動的にREFOにはパワーが供給されないようになっています。

Attachments:

1. 

   MSP430FR2433-REFO.png
   

[短絡亭過電流従業員]

UMA様

御投稿頂きましてありがとうございます。
個体間のバラツキにおける理論上の最小～最大値は、設定時間の-50%～+100%程度となる見込みで御座います。

TL7702Aは1983年にリリースされた古いデバイスの為、個体間の特性バラツキは大きくなることが予想されます。
バラツキの主要因は製造工程上で発生するデバイス内抵抗値の誤差です。

詳しくは下記URLの資料の「2.Circuit Description」を御参照下さい。
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/slvae04/slvae04.pdf

以上、今後とも宜しくお願い申し上げます。

Polnaref

[Yojiro従業員]

HGTKさん

プログラムの処理につきましては、基本的には上から順に実施されますが、最適化の設定により、プログラムの順番は前後することはあります。この条件分で変数Yへ設定したあと、その後変数Yが使用されることなく、再び変数Yへ変数Xの値を代入する行がある場合、最適化によっては最初の代入により変数Yは更新された変数Xの値が入る可能性はあります。
変数Yがauto変数の場合は、変数Y自体が、スタック領域ではなくレジスタに割り当てられることもあります。この場合、デバッグにてステップ実行でこのコードを実行直後は正しく反映して見えるのですが、数ステップ先では、別の用途で使用され値が変わって見えることもあります。

これを防ぐためには、変数Xおよび変数Yの定義・宣言において、volatile修飾子をつけていただくことをおすすめいたします。変数の定義・宣言にてvolatile修飾子を使用いただくと、その変数に対する最適化が抑制されますので、期待する動作となることが期待できます。

また、上記コードのみからの判断にはなりますが、コメントの記載についてもご確認いただけますでしょうか。
C言語ではコメントの記述に2種類（ “/* ～ */” と “// ～”）使用することができます。後者（”// ～”）をお使い且つ日本語（Shift-JIS）での記載の場合、文字コードに注意いただく必要がございます。Shift-JISでは、2バイト目に’\’（文字コード0x5C）が使用される文字が複数あります。この文字をコメントの最後の文字に使用されると、続く改行文字が無効となり、コンパイルエラーまたは意図しない動作の原因となります。
コメントに”// ～ ”を使用される場合は、最後の文字にピリオド”.”を入れていただくか、文字コードをUnicodeで保存いただくことをおすすめいたします。

 

ご確認のほど、よろしくお願いいたします。

お世話になっております。
現在、プログラム作成を実施しておりますが、
下記のコードにおいて、意図した動作とならず、困っております。

//条件成立前のX = 0
if(条件){
Y = X ; //Xの前回値をYに保存したい
X = 10 ; //Xに次の値を代入したい
}

条件成立時の結果　⇒ Y = 10 X = 10

プログラムの処理は上から順に実施されると思っていますが、
2行同時に処理されているような挙動となっているように思います。

処理の順序において、上から順番との考え方が間違っているでしょうか？
お手数おかけしますがご教示のほどお願いいたします。

お求めのLEDドライバのタイプ（リニア制御、昇圧DCDC、降圧DCDC、ACDC）
リニア制御で下記のUV-LEDを制御したいと考えています。どのドライバーを組み合わせるのが単純で良いでしょうか？

LED駆動回路の入力電圧（V、最小値/通常値/最大値)
２４Vを大元の電源より供給されます。

LEDに流す電流値と精度(mA、±%)
If=100mA 〜　５００mA

LED１個の順方向降下電圧（Vf)
Vf=14 v　　12v〜１６v

LEDの直列接続数
12個

並列接続する場合の列数
12個直列が難しい場合は並列と組み合わせ

制御インターフェイス（I2C、SPI、１線または2線I/F等）
１線または２線　不可ならI2C

アナログ調光やデジタル調光の階調数
アナログ調光で無段階で紫外線光量を調整したい。

アプリケーション
UV硬化型インクジェットプリンターの硬化光源

ルネサス製のリセットIC:RNA51957Bから、TI社のTL7702Aへの代替を検討しておりますが、
不明な点がありましたので、質問させていただきます。

TL7702Aの遅延時間の計算は、データシートに記載がある通り、
CT(F) = td(s) / (1.3*10^4) となるかと思いますが、
これのIC単体でのバラつきはどの程度でしょうか？

以上、お手数ですが、宜しくお願いいたします。

[GT従業員]

ikeda様

掲題の件、ご質問ありがとうございます。
以下のように回答させていただきます。

1につきまして
Iccはお考えの通り、データシート記載のIs（Total Supply Current）を指します。
（この値が2mAであれば、前述の計算式のIccは2ｍAとなります。）

データシートP8 「±15-V Electrical Characteristics」内のIsの値が、
2mA typ. / 3mA max
データシートP7 「±5-V Electrical Characteristics」内のIsの値が、
1.5mA typ. / 2.6mA max
となっております。
このことから、Total Supply Currentは電源電圧によってそこまで大きく変動する
ものではないと考えられるため、±12V電源時は、±15V時の値をご参考いただくのが
よいと思います。

2-1、2-2につきまして
交流出力電圧の場合、お考えのとおりAC電圧の実効値電圧で計算します。
例えば±15Vp-pの正弦波で考えた場合、ピーク間電圧を30Vとして、それを
2√2で割った値を実効値とします。

割合が50％の方形波であれば、ピーク値を2で割った値が実効値となります。

ご連絡させて頂きましたメールアドレスにつきましては、自動的に配信を行うためのものとなり、
誠に申し訳ございませんが、こちらのメールアドレスに直接お問い合わせをお受けすることができません。

お手数をお掛けいたしますが、今回のご質問に関連するものであれば、この回答に対しての
返信という形で、また、新規のお問い合わせであれば、該当するフォーラムのカテゴリーから
新たにお問い合わせを頂きたいと思います。

どうぞ宜しくお願い致します。

GT

MSP430FR2433 LaunchPadにおいて、
LPM3及びLPM4で動作時の消費電流を
EnergyTraceで測定しておりますが、

LPM3時が18.7uA,
LPM4時が1.5uAとなり

データシート記載値と比較して、
値が大きくなっています。
（特にLPM3です）
LPM3:1.1uA
LPM4:0.65uA

■評価ボード測定条件(SLAU739 October 2017)
・J101
5VジャンパーOFF
UARTジャンパーOFF

・J10,J11ジャンパーOFF

・水晶発振子(32.768kHz)を使用せず
内蔵オシレータ(REFO or LVO)を使用しています。

■質問①
LPM3時に消費電流をカタログスペック値(1.13uA)
まで低減するにはどのようにすればよいのでしょうか？

以下のサンプルコードを参考にしています。
C:\ti\msp\MSP430Ware_3_80_07_00\driverlib\examples\MSP430FR2xx_4xx\rtc
rtc_ex1_countmode.c

■質問②
LPM4+LVOでRTCの間欠動作(50ms周期）を検討していますが
LVO(10kHz)の精度は温度、電圧のばらつきの記載しか
データシートにございませんが、
その他のばらつきはないのでしょうか？
(MSP430FR5994のデータシートには6～14KHzの記載があります）
(JAJSG26C ?MARCH 2016?REVISED AUGUST 2018 p41)

■添付ファイル
rtc_ex1_countmode.c
EnergyTrace(MSP430FR2433).pdf

Attachments:

1. rtc_ex1_countmode.c
2. EnergyTraceMSP430FR2433.pdf

[Yojiro従業員]

amatsu1さん

CCSのプロジェクトをPC間でコピーする場合ですが、フォルダイメージをそのままコピーされることは推奨しておりません。

お手数ですが、CCSのExport機能を使用したプロジェクトをインポートしていただけますでしょうか。

コピー元PCのCCSにて、下記手順にてExport（ZIP圧縮）していただけますでしょうか。

1. コピーしたいプロジェクトを選択の上、右クリックメニューから「Export」を選択します
2. ダイアログにて、General -> Archive Fileを選択してNextボタンをクリックします
3. To archive fileに保存フォルダ・ファイル名を指定し、Finishボタンをクリックします

インポート方法ですが、以下になります。

1. 生成されたZIPファイルをコピー先のフォルダにコピーしてください。
2. Project > Import CCS Projectsのダイアログにて、Select archive fileにファイル名を指定して、そのままFinishボタンをクリックします。

ご確認のほど、よろしくお願いいたします。

いつも大変お世話になっております。

早速ですが、CCSのエラーについて質問がございます。

CCS(ver 8.2.0.00007)を使ったTMS32028027Fの開発がひと段落となり、他のPCでCCS(こちらもver 8.2.0.00007)により
開発したMSP430FR2155のプロジェクトファイルを読み込む為、以下の手順を実行しました。

Project > Import CCS Projects > Select search Directory > .ccsprojectを含む直近のフォルダを指定
> Automatically import referenced projects found in same serch-directoryにチェック > Finish

しかし、添付のようなエラーが出てきて読み込みができませんでした。

なお、CCS立ち上げ時に指定するwork spaceは他のPCで開発した際のwork spaceと統一しております。（TMS3202827Fを開発していた時のwork spaceとは異なる場所です）

お手数ですが、エラー原因についてご教示願います。

• このトピックは amatsu1が6 年、 1 ヶ月前に変更しました。
• このトピックは amatsu1が6 年、 1 ヶ月前に変更しました。

Attachments:

1. 

   bde8aabc35edd719ccc70cb5a6d97664.png
   

神和製作所の池田です。御返事(5/21 12:51頂きましたメール)ありがとうございます。
デジタル系の設計者なため大変無知な質問になり恐れ入りますが引き続き教えて下さい。
②は、参考として御意見頂ける様であれば御願い致します、頂けない様であれば
「意見なし」と御返事頂けますでしょうか。

①
> OPAMP自体の消費電力P_opamp=Icc×（V+　-　V-）
↓
「Icc」とは、静消費電流の事で
電源は、V+：+12V、V-：-12Vで使用するのですが「Icc」は、V+：+15V、V-：-15Vの時と
大差は、ないと考えて、本デバイスのデータシート8ページ「±15-V Electrical Characteristics」
の「Total supply current」値とする考えで良いでしょうか。それとも実際の信号が入力
(ピンNo2、3、5、6)されていて出力無負荷での電流値が正解でしょうか。
又、
仮に電流値が+12V：2mA、-12V：2mAだった場合、
「P_opamp=Icc×（V+　-　V-）」式の「Icc」に当てはめる値は2mA(0.002A)で良いで
しょうか。(2mA+2mA＝0.004Aでは、ない。初心者レベルで申し訳ありません。）

②
> OPAMPの出力電流による電力消費　P_out
> ソース電流の場合＝（V+ – Vo）×IL=（V+ – Vo）×Vo／RL
> シンク電流の場合＝（Vo – V-）×IL=（Vo – V-）×Vo／RL
↓
②-1、出力信号＝出力電流が交流で正弦波だった場合
　　　出力電圧値、電流値について
　　　ピーク値を実効値(ピーク値÷√2)にして計算する考えは不適切でしょうか。

②-2、出力信号＝出力電流が交流で方形波だった場合
方形波の1周期の半分が0V、半分が10Vだったとすると「P_out」を計算する上では
　　　「Vo」を5Vする考えは不適切でしょうか。(電流も同様)　　

③
本件とは関係ありませんが
再度、伺いたい事がある場合、御返事頂きましたメール(アドレス)に返信しても
宜しいでしょうか。

以上です。宜しく御願い致します
—————————————————————-

On 2019/05/21 12:51, 組込み技術ラボ wrote:
> 以下のURLにトピックスの新規投稿、または返信がありました。
> https://emb.macnica.co.jp/forums/topic/6301/
>
> トピック名：
> オペアンプ「LM7332MA」のジャンクション温度算出について教えて下さい。
>
> 投稿内容：
> ikeda様
>
> 掲題の件、ご質問ありがとうございます。
> また、再度ご投稿いただくお手間を取らせてしまい、誠に申し訳ございません。
>
> ICパッケージ表面温度よりIC ジャンクション温度を推定する場合には、
> θJC topではなく、ΨJTの値をお使い頂くほうが有効となります。
> (LM7322 データシートP4に、ψJT＝10.7℃/Wと記載されております。)
>
> 「ψJT」を使用した場合のジャンクション温度の求め方は下記になります。
> 計算式としては以下のものを用います。
> 　Tj = Tt + Pd×Ψjt
>
> Tj:：IC ジャンクション温度
> Tt：デバイス パッケージ表面温度
> Pd：IC部での消費電力
> Ψjt：熱パラメータ ψJT
>
> Ψjtにつきましては、併せて以下の資料をご参考ください。
> http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/jaja451/jaja451.pdf
> 資料のP8，9に、パッケージの表面温度の測定点につきましても記載がございます。
> 基本的には、パッケージ表面の中心部を測定いただくようになります。
>
> Ψjtは、ある一定の電力消費をICチップで発生させたときの、ジャンクション温度とケース表面温度を測定し、
> 規定されたものになります。
> 本来であれば、ジャンクションで消費される電力の全てがジャンクションーケース間を流れるわけでは
> ないのに、そうなっていると仮定して計算していますので、あくまで擬似的な熱抵抗となりますが、
> θjcを測定している環境より実機に近いものとなりますので、ケース表面温度からジャンクション温度を
> 推定するには、こちらの値の方が有効なものとお考え頂けると思います。
>
> 一般にθjcの 1/5～1/10 程度、またはそれ以下の値となっております。
> Ψjt もある特定の基板（JEDEC基板）での測定結果ですので、やはり基板が変わればΨjtの値も変わりますが、
> ジャンクション‐周囲間の熱抵抗θjaに比べて非常に小さな値となりますので、実機でのΨjtが
> 記載のΨjtに対して差があったとしても、それほど大きな影響があるとも考えにくいことになります。
>
> また、消費電力については、記載いただきました出力電流による電力消費のほか、OPAMP自体の
> 回路電流による電力消費も考慮いただく必要がございます。
>
> OPAMP自体の消費電力P_opamp=Icc×（V+　-　V-）
> Icc：OPAMPの消費電流　V+:OPAMPの＋側電源電圧　V-：OPAMPの‐側電源電圧
>
> OPAMPの出力電流による電力消費　P_out
> ソース電流の場合＝（V+ – Vo）×IL=（V+ – Vo）×Vo／RL
> シンク電流の場合＝（Vo – V-）×IL=（Vo – V-）×Vo／RL
> V+:OPAMPの＋側電源電圧　V-：OPAMPの‐側電源電圧 RL:負荷抵抗 Vo：出力電圧　IL:出力電流
>
> OPAMPの電力消費は、P_outとP_opampの合計となります。
>
> どうぞ宜しくお願い致します。
>
> GT

[GT従業員]

ikeda様

掲題の件、ご質問ありがとうございます。
また、再度ご投稿いただくお手間を取らせてしまい、誠に申し訳ございません。

ICパッケージ表面温度よりIC ジャンクション温度を推定する場合には、
θJC topではなく、ΨJTの値をお使い頂くほうが有効となります。
(LM7322 データシートP4に、ψJT＝10.7℃/Wと記載されております。)

「ψJT」を使用した場合のジャンクション温度の求め方は下記になります。
計算式としては以下のものを用います。
　Tj = Tt + Pd×Ψjt

Tj:：IC ジャンクション温度
Tt：デバイス パッケージ表面温度
Pd：IC部での消費電力
Ψjt：熱パラメータ ψJT

Ψjtにつきましては、併せて以下の資料をご参考ください。
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/jaja451/jaja451.pdf
資料のP8，9に、パッケージの表面温度の測定点につきましても記載がございます。
基本的には、パッケージ表面の中心部を測定いただくようになります。

Ψjtは、ある一定の電力消費をICチップで発生させたときの、ジャンクション温度とケース表面温度を測定し、
規定されたものになります。
本来であれば、ジャンクションで消費される電力の全てがジャンクションーケース間を流れるわけでは
ないのに、そうなっていると仮定して計算していますので、あくまで擬似的な熱抵抗となりますが、
θjcを測定している環境より実機に近いものとなりますので、ケース表面温度からジャンクション温度を
推定するには、こちらの値の方が有効なものとお考え頂けると思います。

一般にθjcの 1/5～1/10 程度、またはそれ以下の値となっております。
Ψjt もある特定の基板（JEDEC基板）での測定結果ですので、やはり基板が変わればΨjtの値も変わりますが、
ジャンクション‐周囲間の熱抵抗θjaに比べて非常に小さな値となりますので、実機でのΨjtが
記載のΨjtに対して差があったとしても、それほど大きな影響があるとも考えにくいことになります。

また、消費電力については、記載いただきました出力電流による電力消費のほか、OPAMP自体の
回路電流による電力消費も考慮いただく必要がございます。

OPAMP自体の消費電力P_opamp=Icc×（V+　-　V-）
Icc：OPAMPの消費電流　V+:OPAMPの＋側電源電圧　V-：OPAMPの‐側電源電圧

OPAMPの出力電流による電力消費　P_out
ソース電流の場合＝（V+ – Vo）×IL=（V+ – Vo）×Vo／RL
シンク電流の場合＝（Vo – V-）×IL=（Vo – V-）×Vo／RL
V+:OPAMPの＋側電源電圧　V-：OPAMPの‐側電源電圧 RL:負荷抵抗 Vo：出力電圧　IL:出力電流

OPAMPの電力消費は、P_outとP_opampの合計となります。

どうぞ宜しくお願い致します。

GT

[astro383参加者]

ご回答有難うございました。スペック規定がない旨 承知しました。頂きました参考値ですが、変動があると認識のうえ設計にて使い、実機での動作検証と進めさせていただきます。