ホーム フォーラム Texas Instruments 電源IC BQ24770の動作についての質問

このトピックには11件の返信が含まれ、2人の参加者がいます。3 年、 10 ヶ月前 Undertale さんが最後の更新を行いました。

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    投稿
  • #14306 返信

    nakagawa
    参加者

    BQ24770の動作についての質問

    デバイス型番:BQ24770

    お世話になっております。

    BQ24770のチャージャーICの動作に関しまして質問がありますので
    ご対応の程、宜しくお願いいたします。

    質問1、Watch Dog Timer動作について
    Watch Dog Timerが働いた際、セル数に合わせたMax Charge Volgateに変更されますが、
    WDTによる変更の場合、外部からの変更に比べて電圧変動のスルーレートがかなり早く、
    問題が発生しています。
    WDT時のスルーレートを調整する方法は御座いますでしょうか。

    質問2、BATFETをONした際の動作
    低負荷状態時でBATFETをONし、その接続先も低負荷の場合、低負荷モードによりLsideFETの動作
    を停止する個体があります。(動作周波数を600kHzに設定した場合)
    停止する事に問題はありませんがこの状態でBATFETをOFFした際、出力のシステム電圧がMax Charge Volgate
    以上の電圧に跳ね上がる問題が確認されています。
    この問題について回避方法はございますでしょうか。

    お手数をお掛けしますが、ご回答よろしくお願いいたします。

    #14310 返信

    Undertale
    従業員

    nakagawa様

    本件お問い合わせくださりありがとうございます。
    お問い合わせ1について問題になっている電圧変動のスルーレートが早い状態と
    外部からの変更を加えた電圧変動の波形をご教授いただくことは可能でしょうか。

    お問い合わせ2について電圧の跳ね上がり状況を確認させていただきたく、
    波形情報(PHASE、VSYS、VBAT波形)をご教授いただけないでしょうか。

    お問い合わせ1にも関わりますが、電圧変動を緩和するために
    出力コンデンサを追加いただくことは可能でしょうか。
    周辺回路図情報も可能な範囲でご教授いただければ幸いでございます。

    宜しくお願い致します。

    Undertale

    #14312 返信

    nakagawa
    参加者

    ご回答ありがとうございます。

    質問1について
    スルーレート波形を添付致します。
    ch1が出力電圧となります。
    WDT時はスルーレート11.66V/Sに対し、電圧変動時は0.33V/msとなっております。
    (WDT時のメジャーが入っておりませんので目測となります)

    質問2について
    提示頂いた波形測定は時間を要しますので少々お待ちください。
    参考としまして、跳ね上がり時のスイッチング波形を添付致します。
    ch1は出力電圧となります。

    出力コンデンサ追加は可能ですが、こちらも少々お時間が必要となります。
    周辺回路情報ですが、
    出力コンデンサ:高分子コンデンサ33uF 2個、セラコン22uF 1個
    入力コンデンサ:セラコン22uF 2個、セラコン0.1uF 1個
    コイル:8.2uH

    その他必要な定数はございますでしょうか。

    よろしくお願いいたします。

    #14323 返信

    Undertale
    従業員

    nakagawa様

    波形についてご教授下さりありがとうございます。
    弊社理解が不足しており申し訳ございませんが、
    WDT時のスルーレートとご連絡いただいている部分は、
    WDTによるリセット後の復帰動作を指しているという理解で正しいでしょうか。
    またCH2はシステム電圧という理解で正しいでしょうか。

    コンデンサ追加の件に関しましてはご検討よろしくお願い致します。
    他にご教授いただきたい内容としましてはご使用いただいている外付けFET種および
    もしFETに抵抗等接続されているようでしたらそちらをご教授いただければと考えます。

    何卒宜しくお願い致します。

    Undertale

    #14327 返信

    nakagawa
    参加者

    お世話になっております。
    WDTによるリセット後の復帰動作です。
    CH1(青色)=出力電圧=システム電圧
    CH2(水色)=出力電流
    となります。

    HsideFET:TOSHIBA製TPN8R903NL
    LsideFET:TOSHIBA製TPN2R703NL
    LsideFET-GateとGND間:1000pF
    BTST抵抗:3.3Ω
    となります。

    よろしくお願いいたします。

    #14328 返信

    nakagawa
    参加者

    1枚目のCH1はAC測定となります。

    よろしくお願いいたします。

    #14345 返信

    Undertale
    従業員

    nakagawa様

    お世話になっております。
    波形および周辺部品情報をご教授下さりありがとうございます。
    ご質問1のWDTによるリセット後の復帰動作について確認を取らせていただきましたが、
    IC自体の内部設定によるスルーレートの制限はできないICとなります。
    そのため対応策としましては周辺部品の調整となり、先日お伝えしましたシステム側出力コンデンサの追加及び
    インダクタ定数の調整(現状の8.2μH→2.2μH程度)をご検討いただければ幸いでございます。

    また、ご質問2に関しましても対策案としてはシステム側コンデンサの追加となります。

    本件お手数をおかけしますが上記追加部品および定数変更でのご検討を
    宜しくお願い致します。

    Undertale

    #14375 返信

    nakagawa
    参加者

    お世話になっております。

    提示して頂きました波形及び出力コンデンサを2倍時の波形を測定致しました。
    Ch1は出力電圧(システム電圧)となります。

    1枚目:2usレンジ
    2枚目:20usレンジ
    3枚目:4msレンジ
    4枚目:4msレンジ出力コンデンサ2倍(高分子コンデンサ33uF 4個、セラコン22uF 2個)

    結果、出力コンデンサ2倍にしましたが、出力変動を抑えることはできませんでした。

    質問1に関しましては承知致しました。

    よろしくお願いいたします。

    #14456 返信

    Undertale
    従業員

    nakagawa様

    お世話になっております。
    波形のご取得並びにコンデンサ追加のご検討ありがとうございます。
    現在電解コンデンサを追加していておりますがESRの低いセラミックコンデンサを
    代わりに追加いただくことで変化はございますでしょうか。
    また応答特性改善の観点で以前にご紹介させていただいたインダクタ定数のご検討に
    関しましてもお手数をおかけしますがご検討いただければ幸いでございます。

    Undertale

    #14462 返信

    nakagawa
    参加者

    お世話になっております。

    現在、電圧の上昇を防ぐ対策から電圧の上昇を許容する設計にシフトしております。
    今時点からインダクタの定数変更の採用は困難となりますので、許容する設計を行います。
    しかし、今後の設計や調査のためにご教示頂きましたセラコンへの変更及びインダクタ定数の変更での
    評価は行いたいと思っております。こちらの評価に関しましては再度お時間を頂ければと思います。
    評価が完了致しましたら、ご報告致しますので少々お持ちください。

    #15041 返信

    nakagawa
    参加者

    お世話になっております。

    インダクタ変更の波形を測定致しました。

    1枚目:8.2uH
    2枚目:2.2uH

    結果、少しの跳ね上がりはあるものの、かなり抑えられています。
    インダクタの変更のみですので、セラコンへの変更と容量を増やすことでさらに抑えることができると予想されます。

    ご回答ありがとうございました。
    今後ともよろしくお願いいたします。

    #15580 返信

    Undertale
    従業員

    お世話になっております。
    周辺部品のご検討並びに波形のご取得ありがとうございました。
    本件承知いたしました。
    お手数をおかけしますが引き続きご評価、ご検討よろしくお願い致します。

    Undertale

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