ホーム › フォーラム › Texas Instruments › マイコン › MSP430 › FLASHの情報メモリ(仕様書SLAS800-MARCH2013の11pageに記載されている)の 使用方法
-
投稿者投稿
-
FLASHの情報メモリ(仕様書SLAS800-MARCH2013の11pageに記載されている)の 使用方法
デバイス型番:MSP430G2955FLASHの情報メモリ(仕様書SLAS800-MARCH2013の11pageに記載されている)の
使用方法がわかりません。
①情報メモリ内のセグメントAは、キャリブレーションジョン情報が
書込まれているので、基本、使用できないと考えています。
セグメントAからDは個別に消去できると仕様書に記載されています。
Segments A to D can be erased individually or as a group with segments 0 to n.
例えば、
セグメントDを使用するとして
セグメントDの消去
セグメントDへの定数書込み
セグメントDからの定数の読み込み
を行う手順をお教え下さい。
サンプルプログラムがあれば、尚、良いのですが。
②また、UniFlashを使用して情報メモリをセグメント毎に
読み書き消去する事は、可能でしょうか。
可能な場合、手順は、どこに記載されていますでしょうか。
OZSHG1231様
お問い合わせ頂き、ありがとうございます。
以下にて、回答差し上げます。①情報メモリのセグメント消去について
MSP430のサンプルプログラム集として「MSPWare」が御座います。
こちらのサンプルプログラム集にて、情報メモリのセグメント(C)を消去、定数の書き込みを実行するものがございますので、こちらが参考になります。MSPWareはWeb上の「TI Resource Explorer」(以下、URL)より閲覧いただくことが可能です。
TI Resource Explorer – Texas Instruments
http://dev.ti.com/tirex/Resourse Explorerの画面左側より次の手順でフォルダの階層を進んでいただくと、
今回の情報メモリの書き込みに関するサンプルプログラムのソースファイルが見つかります。「Software」->「MSP430Ware-v:@.@@.@@.@@」->「MSP430G2XX」->「MSP430G2955」->「Peripheral Examples」->「Register Level」->「msp430g2x55_flashwrite_0@.c」
※ @には任意の数字になります。こちらのサンプルプログラムにて実行されている処理手順は簡潔にすると次のようになります。
FCTL1レジスタにてセグメント消去モードに設定
ポインタ変数によって、セグメントCの先頭番地にダミーデータ(0)を書き込む
FCTL1レジスタにてセグメント消去モードから書き込みモードに設定
ポインタ変数によって、特定の値を書き込む詳細はサンプルプログラムならびに下記ユーザーズガイドを参照ください。
MSP430x2xx User’s Guide
7. Flash Memory Controller
http://www.ti.com/jp/lit/pdf/slau144②UniFlashについて
Uniflashには、セグメント単位での読み書きを実行するコマンドは用意されておりません。EraseであればGUI上で操作が可能です。
書き込んだプログラムにて、セグメント単位でのEraseと定数書き込みを頂く必要がございます。
以上、宜しくお願いします。
-
投稿者投稿