ホーム フォーラム Texas Instruments 電源IC TPS51916の過電流保護について質問

このトピックには5件の返信が含まれ、2人の参加者がいます。3 年、 10 ヶ月前 ishii さんが最後の更新を行いました。

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  • #15435 返信

    ishii
    参加者

    TPS51916の過電流保護について質問

    デバイス型番:TPS51916

    TPS51916の過電流保護について質問があります。

    TPS51916のターミネーションレギュレータを利用した所、立ち上がり時の突入電流が大きく出ています。
    出力側に電流検出抵抗(10mohm)を接続して測定したところ、ピーク値で5.6Aとなっていました。

    データシートより、ターミネーションレギュレータ側の過電流閾値は3Aとなっていますが、
    この数値は短い時間(20us以下)であれば超えても大丈夫なものでしょうか。

    #15554 返信
    KJ
    KJ
    従業員

    ishii様

    ご投稿ありがとうございます。
    VTT端子には10uF以上のコンデンサを入れることを推奨としています。
    負荷急変時、ICが供給しきれない過電流閾値(typ.3A)以上の電流はコンデンサから電流供給されたと考えます。

    以上、宜しくお願い致します。
    KJ

    #15559 返信

    ishii
    参加者

    現状、出力部に10uF、DDR4負荷側に10uFを入れている状態で”突入電流”が激しくなっています。
    また、現象が発生しているのは、コンデンサへの電荷を充電している最中の立ち上がり時ですので、
    コンデンサから電流が供給されるとは考えにくいと思われます。

    一応、現象を確認した立ち上がり波形も添付しておきます。
    電流値は、出力部に10mohmの電流検出抵抗を用意し、その両端の電位差から算出しています。
    CH1が出力部側の抵抗端子、CH2が負荷側の抵抗端子で測定しています。

    #15574 返信
    KJ
    KJ
    従業員

    ishii様

    波形ありがとうございます。
    電流検出抵抗を使用しているとのことでしたので、VTT電圧も瞬間的に上がっていると思われます。
    VTT電圧の絶対最大電圧の最大は3.6Vですので、その値を超えなければ破壊には至りません。
    また、電流値が上がることでIC内の内部温度も上昇しますので、サーマルシャットダウンが起きる
    可能性もございますが、頂いた波形から短時間ですので、サーマルシャットダウンが働く可能性は
    低いかと存じます。

    VTTの過電流保護については、min.2A,typ.3Aのデータシート記載となっております。
    電流Source能力が2A品ですので、定常的に5Aが出せないとは思いますが、瞬間的に5Aが流すことが
    あるのかという点と短時間の場合は過電流保護動作が反応しないのかという点はメーカに確認させて頂きます。

    以上、宜しくお願い致します。
    KJ

    #15600 返信
    KJ
    KJ
    従業員

    ishii様

    頂きました波形より、5.6Aピークの電流は5us程度ですので、エネルギーとしては小さい為
    ICが損傷するようなことはございません。
    ただし、ICから突入電流が5.6Aに達する理由はメーカも不明とのことでした。
    可能であれば、部分的でも構いませんのでVTT出力部の回路図と電流(電圧)測定の縦軸横軸拡大した
    波形を頂けますようお願いします。

    突入電流を減らす方法としては、tracking start upを使用することが挙げられます。
    S3をHighにした後、VTTを有効
    S5をHighにした後、VDDQをオン

    以上、宜しくお願い致します。
    KJ

    #15604 返信

    ishii
    参加者

    主題としている、過電流を一時的に超えてしまう現象については、
    エネルギーが小さいことからICが損傷することは無いということで了解致しました。

    突入電流を減らす為に、tracking start upを使用することを提案されていますが、
    これはデータシート上におけるtracking modeの使用という理解でよろしいでしょうか?
    その場合、VTT出力の立上り時間はVDDQ出力の立上り時間と同期することになるように見受けられます。
    VDDQ電源のソフトスタート時間が1.1ms程度であることから、突入電流を下げるという意味では効果が期待できます。
    しかし、使用予定のCPUから、VTT電源の立上り時間について指定があり、
    それが35us以内と短いことから、non tracking modeでの使用を考えていました。

    回路図については、一部であれば提供可能という許可が下りましたので、添付させて頂きます。
    VTTの出力部分と、メモリ側に実装しているデカップリングコンデンサとなります。
    VTT電源上には、これ以外の受動部品は実装されておらず、残りはDDR4ソケットとDDR4モジュールのみとなります。

    電流(電圧)波形については、どこの拡大かが分かりかねましので、突入電流が発生している辺りの拡大波形を添付致します。

    以上、宜しくお願い致します。

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