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このトピックには5件の返信が含まれ、2人の参加者がいます。6 年、 4 ヶ月前に hi3807 さんが最後の更新を行いました。
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TPS92662-Q1 熱抵抗について
デバイス型番:TPS92662-Q1御担当者様
早速ですが、TPS92662-Q1について1点教えて下さい。
ジャンクションからPKG上面までの熱抵抗(Ψjt)は何℃/Wになりますか?
実使用において動作温度範囲(-40≦Tj≦150)を守れているか確認しようとしており、
PKG表面温度から逆算して動作中のTjを求めたいのです。また、ジャンクションから周囲温度までの熱抵抗(θja)も教えて頂けますでしょうか。
以上、宜しく御教授の程お願い致します。
hi3807様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。Ψjtについては、データシート、ページ6の6.4 Thermal Informationに表記がございます。
値としましては、0.2℃/Wとなっております。以上、何卒よろしくお願いいたします。
上記、御連絡誠にありがとうございます。
本件ジャンクションデータについて追加の質問です。
Q1)RθJC(top)とΨJTはどう違いますか?(どのように使い分けますか?)ちなみに、今回検討している例では、IC表面温度が71℃で、消費電力が0.5Wです。
Tjを推定するのにRθJC(top)の値13.2℃/Wを使用し、
Tj=71℃+0.5W×13.2℃/W=77.6℃
と算出しました。
もしΨJTの値0.2℃/Wを使用すると表面温度とジャンクション温度は
あまり変わらない結果となります。(仮に1W消費中でもその差02.℃)宜しく御教授の程お願い致します。
hi3807様
お問い合わせいただきありがとうございます。
本件について以下のように回答させていただきます。ICからの放熱データは、テスト基板(Cu4層の3インチ角のもの)を使った時の放熱を基本としております。ご存じのように、
ジャンクション温度はRθJA(25.7℃/W)から計算します。またΨJTは、このテスト基板に実装された条件でICの表面温度を測定し、
その温度からジャンクション温度を推定するために用いられます。このICの場合、ICの発熱は主にサーマルパッドから基板に伝達され
基板表面から放熱されるため、IC表面とジャンクション間の熱抵抗(ΨJT)は大きくはありません。すでに計算されておられるように、
ICで1W消費されている場合は、仮にICの表面温度が70.0℃の時は、ジャンクション温度は、Tj=70℃+1W×0.2℃/W=70.2℃と
なります。
RθJC(top)はIC表面(top)に放熱板等を付けて使用する場合の熱抵抗です。このICでは通常この構成は取られませんので
計算では使われません。
詳細は下記URLの資料を御参照ください。JEDECに沿って確認された解説となっています。Semiconductor and IC Package Thermal Metrics
http://www.ti.com/lit/an/spra953c/spra953c.pdf併せて参考までに、前記SPRA953Cの一つ前の資料SPRA953Bの日本語訳を案内させて戴きます。前記SPRA953Cと前半部分は同一です。
参考資料:半導体およびICパッケージの熱評価基準(SPRA953B版の訳)
http://www.tij.co.jp/jp/lit/an/jaja448/jaja448.pdf以上、何卒よろしくお願いいたします。
hi3807様
先ほどの回答で書きましたRθJAの値ですが、値がTPS92661のものでした。申し訳ありません。
正しくは、TPS92662の場合は26.2℃/Wでした。以上、よろしくお願いいたします。
上記、御回答ありがとうございました。
以上、今後とも宜しくお願い致します。
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