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Kevin さんが最後の更新を行いました。
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DS100BR210の使い方について（２）
デバイス型番：DS100BR210SQE/NOPB“0” = 10G-KRを設定すると、よりリニアなドライブ特性が得られます。
低周波電圧利得は〜1.3倍以下に低減されます。これにより出力振幅は入力振幅に依存します。上記の回答をいただきましたが、確認させてください。
出力振幅は入力振幅に依存するというのは、
私は100mVで入ったものが100mVででるという意味だと思っていましたが、
それは間違いで、
周波数成分が依存して、出力電圧はあくまでもVODで指定した電圧になる
が正解でしょうか？お問い合わせありがとうございます。
以下に回答いたします。>出力振幅は入力振幅に依存するというのは、
>私は100mVで入ったものが100mVででるという意味だと思っていましたが、
>それは間違いで、周波数成分が依存して、出力電圧はあくまでもVODで指定した電圧になるが正解でしょうか？
（回答）
例えばNomal modeの場合、VOD=level 5に設定して、100mVを入力すると出力は1Vになります。
一方で10G-KR modeの場合、VOD=level 5に設定して、100mVを入力すると出力は130mV(=100mV*1.3)になります。Best regards,
Kevinすいません。追加質問をお願いいたします。
ちなみに、I2C設定とピン設定がありますが、ピン設定の場合は話は別になりますでしょうか？
1.I2Cモードで設定できるモード
①KRモード
②ノーマルモード2.ピンモードで設定できるモード
①KRモード
②10GEモードはじめにお伺いしたのは1のケースでしたが、2のケースでもお願い致します。
実測すると
2-①と2-②ではVODで設定した振幅で出ているように観測されています。お問い合わせありがとうございます。
以下回答いたします。>ちなみに、I2C設定とピン設定がありますが、ピン設定の場合は話は別になりますでしょうか？
>1.I2Cモードで設定できるモード
> ①KRモード
> ②ノーマルモード
>2.ピンモードで設定できるモード
> ①KRモード
> ②10GEモード
>はじめにお伺いしたのは1のケースでしたが、2のケースでもお願い致します。
>実測すると
>2-①と2-②ではVODで設定した振幅で出ているように観測されています。
（回答）
Pin modeでも同様だと思います。
念のためにENSMB端子(3 pin)とVOD_SEL端子(17 pin)とMODE端子(18 pin)の設定を確認させていただけないでしょうか。
Pin modeでKR modeにしたい場合は、ENSMB=1kohmでGNDにプルダウン、17 pinをHigh、18 pinをFloatにする必要がありますがそうされておりますでしょうか。Best regards,
Kevin
