ホーム フォーラム Texas Instruments センサー 検出する温度について

このトピックには1件の返信が含まれ、2人の参加者がいます。5 年、 7 ヶ月前GT GT さんが最後の更新を行いました。

2件の投稿を表示中 - 1 - 2件目 (全2件中)
  • 投稿者
    投稿
  • #5037 返信
    Osugi
    Osugi
    参加者

    検出する温度について

    デバイス型番:TMP709

    毎度お世話になります。

    TMP709の温度スレッショルド”T”について質問があります。

    TMP709データシート
    http://www.tij.co.jp/jp/lit/ds/symlink/tmp709.pdf

    P.8
    7.3.3 Set-Point Resistor (RSET)
    Set the temperature threshold by connecting RSET from the SET pin to GND. The value of RSET is determined
    using either Figure 2 or Equation 1:
    RSET (kΩ) = 0.0012T2 – 0.9308T + 96.147
    where
    • T = temperature threshold in degrees Celsius.

    とありますが、設定可能なスレッショルド温度である、
    この”T”は何処の温度を指していますでしょうか。

    ・温度Tが指している場所
    ・パッケージ表面とTの差がどれぐらいあるものか

    以上どうぞ、よろしくお願いいたします。

    #5050 返信
    GT
    GT
    従業員

    Osugi様

    いつも大変お世話になっております。
    掲題の件、ご質問ありがとうございます。

    TMP709 データシートP.8 7.3.3 Set-Point Resistor (RSET)の項内に
    記載されたT = temperature threshold in degrees Celsiusは、正確には
    IC内部のダイの温度を指します。

    しかしながら、データシートP11 10.3 Thermal Considerationsに述べられていますように、
    IC自体の消費電流は40uAと低いため、コンパレータ出力が高いインピーダンスの負荷を駆動していれば、
    基本的に、ICの消費電流による自己発熱は無視することができます。

    つまり、パッケージ表面とダイの温度は等しいものと考えることができます。

    仮に、電源電圧5V、ICの消費電流が40uA、パッケージの熱抵抗がデータシート記載の通り217.9°C/Wであった場合、
    計算上ですと、測定環境の温度に対してダイの温度は、40uA×5V×217.8°C/W≒0.044℃高いこととなります。
    但しこれは、ICの消費電力(40uA×5V=200uW)が全てパッケージ表面から放熱された場合となります。
    通常は、ICのリードからパターンへの放熱等もあり、すべてがパッケージ表面からは放熱されないため、
    外部温度とダイ温度の差分はより小さいものとなります。

    どうぞ宜しくお願い致します。

    GT

2件の投稿を表示中 - 1 - 2件目 (全2件中)