ホーム › フォーラム › Texas Instruments › スイッチ、ロジック › Ronについて このトピックには7件の返信が含まれ、3人の参加者がいます。5 年、 3 ヶ月前に demio さんが最後の更新を行いました。 8件の投稿を表示中 - 1 - 8件目 (全8件中) 投稿者 投稿 2019年7月26日 6:03 PM #7279 返信 demio参加者 Ronについて デバイス型番:SN74CBT3251PW SN74CBT3251PWのOn抵抗又はデバイス通過時のドロップ電圧を調べる為、簡単な冶具を作りました。VCCには5V、A入力にも5V、各Bは2MΩで終端しOEとS0~S2をTTLレベルで入力させています。ここでOEをイネーブルすると選択したBから電圧が出ましたが4.08Vでした。この時、負荷は2MΩなので約2uAでしょう。データシートにはオン抵抗が5Ωと書いてあります。そうだとするとこの電圧降下はあまりにも大きすぎます。次に2MΩと並列に470Ωを付けました。そうするとBの電圧は3.64Vになり、電源の消費電流は前回より8mA増えました。そうすると5Ω×8mA=0.04Vの電圧降下になりそうですが(4.08-0.04=4.04V)、実際には3.64Vなのでこれもおかしいです。私は何か勘違いをしているのでしょうか?よろしくお願いします。 2019年7月26日 6:42 PM #7280 返信 Undertale従業員 demio様 本件お問い合わせ下さりありがとうございます。 1点ご確認いただきたく、Vcc電圧4.5V条件で信号入力の電圧を4.5V以下にて 動作状況をご確認いただけますでしょうか。 データシートの電気的特性に近い形で念のためご確認いただきたく お手数をお掛けしますが何卒よろしくお願い致します。 Undertale 2019年7月29日 10:51 AM #7285 返信 demio参加者 VCC=4.5V、A=4.5V、S[2:0]=b111の時、B8(負荷抵抗は2MΩ)は3.578Vでした。また、B8(負荷抵抗は2MΩと470Ωの並列)は3.113Vでした。後者の電流値は前者より7mA増えていました。因みに違うチャネルを使用しても同じ特性でした。よろしくお願いします。 2019年7月31日 11:08 AM #7324 返信 choco従業員 demio様 本件、ご連絡遅くなりまして申し訳ございません。 現在、確認しておりますので申し訳ありませんがしばしお待ちください。 よろしくお願いいたします。 choco 2019年7月31日 1:44 PM #7326 返信 choco従業員 demio様 確認が取れましたので回答させていただきます。 SN74CBT3251PWはSW素子にNch MOSFETを使っており、 ゲート電圧はソース側よりも高い電圧が必要となる仕様となります。 その為、Vccレベルの信号をAに入力した際、Bxから出力される電圧はVcc-1~1.5V程度となります。 今回御社の冶具で確認された測定結果は、上記内容が理由となっています。 よろしくお願いいたします。 choco 2019年7月31日 3:55 PM #7330 返信 demio参加者 ご回答有難うございました。VCC入力に5V、A入力に3.3Vを加えたところ、B出力にも約3.3V出てきました。前述のご回答で動作は納得できたのですが、データシートのどこに「そのこと」が書かれているでしょうか?私には見つけることが出来なかったのですがご指摘願えないでしょうか。よろしくお願いします。 2019年8月1日 7:21 PM #7345 返信 choco従業員 demio様 申し訳ございませんが、データシートには記載はなく、メーカー設計者の以下リンク先のコメントを確認し、 回答させていただいたものになります。 https://e2e.ti.com/support/switches-multiplexers/f/388/p/735555/2716492?tisearch=e2e-quicksearch&keymatch=SN74CBT3251 こちらはE2EというTI社のWebサービスで、メーカーのエンジニアにオンライン上で質問ができるものでございます。 E2E上の投稿からNch MOSFETされていてゲート電圧はソース側よりも高い電圧が必要であることを確認しております。 よろしくお願いいたします。 choco 2019年8月2日 9:54 AM #7349 返信 demio参加者 データシートに記述は無いのですね。分かりました。 ご回答ありがとうございました。 投稿者 投稿 8件の投稿を表示中 - 1 - 8件目 (全8件中)