TPS53355のFETのゲート容量について

[maida参加者]

TPS53355のFETのゲート容量について

デバイス型番：TPS53355

　TPS53355を使用した回路を検討しておりますが、
high-side MOSFETのゲート容量(Ciss)を
大まかでも構いませんので教えてください。
　TPS53355のデータシートp27に記載されております
VBSTpinに接続するR9のW数を設定する際の参考にさせて
頂きたいと思っております。

[Polnaref従業員]

maida様

御問い合わせ頂きましてありがとうございます。
メーカーへ確認しておりますので、回答まで暫くお待ち頂きたく存じます。

以上、宜しくおい願い申し上げます。
Polnaref

[Polnaref従業員]

maida様

回答に時間を要しており、大変申し訳御座いません。
こちらに関しましてもメーカーへ回答を督促しております。今暫くお待ちください。

Polnaref

[Polnaref従業員]

maida様

回答が遅くなりましたこと、御詫び申し上げます。
メーカーの回答では、ハイサイドFETのゲート電荷は約10nCとのことです。

御参考になれば幸いで御座います。
以上、宜しくおい願い申し上げます。
Polnaref

[投稿者]

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